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기판 검사 장치 및 기판 검사 방법

  • 기술번호 : KST2020008734
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판의 결정화를 위한 결정화 모듈; 및 상기 결정화 모듈에 의해 결정화된 상기 기판의 결정화도를 검사하기 위한 검사 모듈을 포함하고, 상기 검사 모듈은, 상기 기판에 테라헤르츠 파를 조사하는 방출부, 상기 테라헤르츠 파가 상기 기판의 제1 영역에 조사하도록 광 경로를 조정하는 조정부 -상기 제1 영역은 상기 결정화 모듈에 의해 결정화된 영역 중 적어도 일부의 영역임-, 상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 기판에서 반사된 반사 테라헤르츠 파를 수신하는 수신부, 및 상기 수신부가 수신한 상기 반사 테라헤르츠 파를 통해 상기 기판의 결정화도를 판단하는 제어부를 포함하는, 기판 검사 장치가 제공될 수 있다.
Int. CL G01N 21/3581 (2014.01.01) G01N 21/88 (2006.01.01) G02B 27/10 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190155057 (2019.11.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0064938 (2020.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180149846   |   2018.11.28
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김학성 서울특별시 성동구
2 오경환 서울특별시 성동구
3 박동운 서울특별시 성동구
4 김헌수 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이피에스 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-1227213-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0158373-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0734536-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 결정화를 위한 결정화 모듈; 및상기 결정화 모듈에 의해 결정화된 상기 기판의 결정화도를 검사하기 위한 검사 모듈을 포함하고,상기 검사 모듈은, 상기 기판에 테라헤르츠 파를 조사하는 방출부,상기 테라헤르츠 파가 상기 기판의 제1 영역에 조사하도록 광 경로를 조정하는 조정부 -상기 제1 영역은 상기 결정화 모듈에 의해 결정화된 영역 중 적어도 일부의 영역임-,상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 기판에서 반사된 반사 테라헤르츠 파를 수신하는 수신부, 및상기 수신부가 수신한 상기 반사 테라헤르츠 파를 통해 상기 기판의 결정화도를 판단하는 제어부를 포함하는, 기판 검사 장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 조정부는, 상기 방출부로부터 조사되는 상기 테라헤르츠 파의 경로를 변환시키는 경로 변환 부재, 및변환된 상기 테라헤르츠 파의 경로에 따라 상기 기판에 복수의 제2 영역을 형성하게 하는 초점 조정 부재 -상기 제1 영역은 상기 복수의 제2 영역의 합으로 정의됨-, 를 포함하는, 기판 검사 장치
3 3
제2 항에 있어서,상기 경로 변환 부재는 상기 방출부를 기준으로 소정의 각도로 회전하는 반사 미러인,기판 검사 장치
4 4
제1 항에 있어서,상기 조정부는 상기 방출부로부터 조사되는 상기 테라헤르츠 파의 적어도 일부를 소정의 각도로 반사시키는 제1 빔 스플리터 및 제2 빔 스플리터를 포함하고,상기 제1 빔 스플리터와 상기 제2 빔 스플리터는 소정의 거리로 이격되어 위치하고, 상기 제1 빔 스플리터에 의해 변환된 상기 테라헤르츠 파는 상기 기판에 제2 영역을 형성하고, 상기 제2 빔 스플리터에 의해 변환된 상기 테라헤르츠 파는 상기 기판에 제3 영역을 형성하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역의 합으로 정의되는, 기판 검사 장치
5 5
제2 항 또는 제4 항에 있어서,상기 제어부는 상기 조정부가 상기 결정화 모듈에서 처리된 결정화 영역에 따라 상기 제1 영역을 조정하도록 제어하는,기판 검사 장치
6 6
상기 제1 항에 있어서,상기 테라헤르츠 파가 조사되는 상기 방출부의 광원은 펄스형 또는 연속형 광원인,기판 검사 장치
7 7
제1 항에 있어서,상기 연산부는 상기 수신부가 수신한 상기 반사 테라헤르츠 파의 주파수 및 수신 시간에 관한 데이터를 통해 상기 제1 영역의 결정화도를 정량적으로 측정하는,기판 검사 장치
8 8
제1 항에 있어서,상기 검사 모듈에 의해 검출된 상기 기판의 상기 제1 영역의 결정화도를 영상화하는 영상 모듈을 더 포함하는, 기판 검사 장치
9 9
기판의 결정화를 위한 결정화 단계; 및상기 결정화 모듈에 의해 결정화된 상기 기판의 결정화도를 검사하기 위한 검사 단계를 포함하고, 상기 검사 단계는, 상기 기판에 테라헤르츠 파를 조사하는 방출 단계,상기 테라헤르츠 파가 상기 기판의 제1 영역에 조사하도록 광 경로를 조정하는 조정 단계 -상기 제1 영역은 상기 결정화 처리부에 의해 결정화된 영역 중 적어도 일부의 영역임-,상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 기판에서 반사된 반사 테라헤르츠 파를 수신하는 수신 단계, 및상기 수신부가 수신한 상기 반사 테라헤르츠 파를 통해 상기 기판의 결정화도를 제어부에 의해 판단하는 단계를 포함하는,기판 검사 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) (재)한국연구재단 원자력연구개발사업 / 방사선기술개발사업 / 첨단 비파괴검사기술개발 구조용 복합재료 및 반도체 패키징 재료의 잠닉손상 정밀진단을 위한 Photo-Mixing 기반의 고속 고분해능 THz 영상/분광 기술 개발