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주석산화물 나노구조를 포함하되, 상기 나노구조는, 굽어진 나노로드 또는, 직선형태의 나노로드 및 상기 굽어진 나노로드의 혼합물을 포함하고, 상기 혼합물에서 상기 굽어진 나노로드의 함량이 상기 직선형태의 나노로드의 함량보다 많은 것인, 주석산화물 나노박막
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제1항에 있어서, 상기 나노구조는, 상기 굽어진 나노로드가 서로 엉키어 브랜치 구조를 형성하거나, 상기 직선형태의 나노로드 및 상기 굽어진 나노로드의 혼합물이 서로 엉키어 브랜치 구조를 형성하는 것인, 주석산화물 나노박막
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제1항에 있어서, 상기 주석산화물은 이산화주석(SnO2)인 것인, 주석산화물 나노박막
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제1항에 있어서,상기 나노박막은, 광전소자용 전자수송층으로 사용되는 것인, 주석산화물 나노박막
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주석 전구체, 제1 용매, R1COOH 및 R2NH2를 포함하는 혼합용액을 열처리하여 주석산화물 나노구조를 형성하는 단계;상기 주석산화물 나노구조를 제2 용매에 분산시킨 주석산화물 분산액을 기판 상에 코팅하는 단계; 및상기 코팅 후 경화하여 나노박막을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 R1 및 R2는 서로에 관계없이 탄소수 6 내지 28의 포화 또는 불포화알킬기인 것인, 주석산화물 나노박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 주석 전구체는 주석 알콕시드(Tin alkoxide) 또는 주석 이소프로폭시드(Tin isopropoxide)인 것인, 주석산화물 나노박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 제1 용매는 물인 것인, 주석산화물 나노박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 혼합용액 내 상기 R1COOH 및 R2NH2 은 1:6 내지 1:16의 몰수비로 혼합되는 것인, 주석산화물 나노박막 제조방법
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제5항에 있어서,상기 열처리는, 상기 주석 전구체로부터 주석산화물 결정핵을 형성하고,상기 결정핵으로부터 주석산화물 입자 및 주석산화물 파이버를 성장시키고,상기 주석산화물 파이버로부터 주석산화물 나노구조를 형성하는 것인, 주석산화물 나노박막 제조방법
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제9항에 있어서,상기 주석산화물 나노구조는, 굽어진 나노로드 또는, 직선형태의 나노로드 및 상기 굽어진 나노로드의 혼합물인 것인, 주석산화물 나노박막 제조방법
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기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하고, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 주석산화물 나노구조를 포함하는 전자수송층;상기 전자수송층 상에 위치하는 광활성층;상기 광활성층 상에 위치하는 정공전달층; 및상기 정공전달층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 것인, 광전소자
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제11항에 있어서,상기 광활성층은 페로브스카이트 물질을 포함하고, 상기 광전소자는 페로브스카이트 태양전지인 것인, 광전소자
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