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기판상에 제 1 PR층을 형성하는 단계;쉐도우 마스크의 패턴을 이용하여 제 1 PR층상에 노광 깊이를 제어하기 위한 금속 패턴층을 형성하는 단계;금속 패턴층이 형성된 제 1 PR층상에 제 2 PR층을 형성하고, 패턴 형성용 마스크를 사용하여 상기 제 1 PR층 및 제 2 PR층을, 단일 노광 공정으로 노광하여 상기 금속 패턴층을 이용하여 서로 다른 노광 깊이를 갖도록 하고 한번에 현상을 하여 서로 다른 깊이를 갖는 패턴을 형성하는 단계;서로 다른 깊이를 갖는 패턴을 갖는 제 1,2 PR층을 이용하여 금속 몰드를 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 쉐도우 마스크의 패턴과 패턴 형성용 마스크의 패턴은 상기 금속 패턴층이 형성되는 영역에서 동일한 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 노광 및 현상을 하여 서로 다른 깊이를 갖는 패턴을 형성하는 단계에서,금속 패턴층이 형성된 제 1 영역에서는 금속 패턴층이 형성된 제 1 깊이까지만 노광이 이루어지고,제 1 영역과 다른 제 2 영역은 제 1 깊이보다 깊은 제 2 깊이까지 노광 및 현상이 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 노광 및 현상에 의해,제 1 영역에는 제 1 깊이를 갖는 제 1 패턴이 형성되고, 제 2 영역에는 제 2 깊이를 갖는 제 2 패턴이 형성되고,제 1 패턴 영역에는 광소자의 광이 도파되는 경로가 형성되고, 제 2 패턴 영역에는 광소자의 광파이버가 삽입되는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 제 1,2 PR층을 이용하여 금속 몰드를 제조하는 단계는,제 1 깊이를 갖는 제 1 패턴 및 제 2 깊이를 갖는 제 2 패턴을 갖는 제 1,2 PR층에 금속 몰드 제조용 금속층을 형성하는 단계와,제 1,2 PR층 및 기판을 제거하여 금속 몰드를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 제 1,2 PR층 및 기판을 제거시에 아세톤 세척 공정을 이용하고,아세톤 세척 공정시에 노광 깊이를 제어하기 위한 금속 패턴층은 제거되지 않는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 금속 몰드 제조용 금속층을 형성하는 단계에서,Ni 전기 도금을 이용하는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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실리콘 기판상에 포지티브 PR 제 1 층을 형성하고, 제 1 영역이 오픈되는 쉐도우 마스크를 사용하여 금속 증착을 하여 금속 패턴층을 형성하는 단계;금속 패턴층이 형성된 포지티브 PR 제 1 층상에 포지티브 PR 제 2 층을 형성하는 단계;서로 다른 깊이를 갖는 제1,2 패턴을 동시에 패터닝하기 위한 패턴 형성용 마스크를 사용하여 포지티브 PR 제 1,2 층을 단일 UV 노광(exposure)으로 노광하여 상기 금속 패턴층에 의해 노광 깊이가 금속 패턴층이 형성된 영역과 형성되지 않은 영역이 서로 차이를 갖도록 하는 단계;UV 노광(exposure)이 이루어진 포지티브 PR 제 1,2 층을 현상(development)하여 제 1 영역에 제 1 깊이를 갖는 제 1 패턴 및 제 2 영역에 제 2 깊이를 갖는 제 2 패턴을 동시에 형성하는 단계;제 1 깊이를 갖는 제 1 패턴 및 제 2 깊이를 갖는 제 2 패턴을 갖는 포지티브 PR 제 1,2 층에 금속 몰드 제조용 금속층을 형성하는 단계;포지티브 PR 제 1,2 층 및 실리콘 기판을 제거하여 금속 몰드를 제조하는 단계;를 포함하고, 쉐도우 마스크의 패턴과 패턴 형성용 마스크의 제 1 영역의 패턴은 동일한 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 포지티브 PR 제 2 층을 형성하는 단계에서 포지티브 PR 제 2 층을 실제 패턴 형성 높이와 동일한 두께를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 포지티브 PR 제 1,2 층을 선택적으로 UV 노광(exposure)하는 단계에서,금속 패턴층이 형성된 제 1 영역에서는 금속 패턴층이 형성된 제 1 깊이까지만 노광이 이루어지고,제 1 영역과 다른 제 2 영역은 제 1 깊이보다 깊은 제 2 깊이까지 노광 및 현상이 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 제 1 패턴 영역에는 광소자의 광이 도파되는 경로가 형성되고, 제 2 패턴 영역에는 광소자의 광파이버가 삽입되는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 광소자용 단일 정렬 멀티패턴 제조 방법
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