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전자 회로 및 이를 포함하는 전력 증폭기

  • 기술번호 : KST2020011372
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다양한 실시 예에 따른 전자 회로는 스위치 회로를 포함할 수 있고, 상기 스위치 회로는, 서로 직렬로 연결된, 제1포트에 연결된 제1스위치 및 제2포트에 연결된 제2스위치, 상기 제1스위치 및 상기 제2스위치가 사이의 노드에 연결된 제1병렬 스위치, 및 상기 제1병렬 스위치의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance) 성분을 상쇄하도록 상기 노드에 연결된 제1션트 인덕터를 포함할 수 있다.
Int. CL H03K 17/687 (2006.01.01) H03K 17/693 (2006.01.01) H03F 1/02 (2006.01.01) H03F 1/56 (2006.01.01) H03F 3/21 (2006.01.01)
CPC H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01)
출원번호/일자 1020190015701 (2019.02.11)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0098066 (2020.08.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 여성구 경기도 수원시 영통구
2 왕승훈 대전광역시 유성구
3 홍성철 대전광역시 유성구
4 박재석 경기도 수원시 영통구
5 박진석 대전광역시 유성구
6 이종민 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소
2 김정훈 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 (이건주특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0142768-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스위치 회로를 포함하는 전자 회로에 있어서,상기 스위치 회로는,서로 직렬로 연결된, 제1포트에 연결된 제1스위치 및 제2포트에 연결된 제2스위치; 상기 제1스위치 및 상기 제2스위치가 사이의 노드에 연결된 제1병렬 스위치; 및상기 제1병렬 스위치의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance) 성분을 상쇄하도록 상기 노드에 연결된 제1션트 인덕터를 포함하는 전자 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 스위치 회로의 스위치 온 상태에서, 상기 제1스위치 및 상기 제2스위치는 켜지고, 상기 제1병렬 스위치는 꺼지도록 설정되고,상기 스위치 회로의 스위치 오프 상태되면, 상기 제1스위치 및 상기 제2스위치는 꺼지고, 상기 제1병렬 스위치는 켜지도록 설정된 전자 회로
3 3
제1항에 있어서,상기 제1스위치 및 상기 제2스위치는 nmos 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1병렬 스위치는 pmos 트랜지스터를 포함하는 전자 회로
4 4
제1항에 있어서,상기 제1스위치 및 상기 제2스위치 각각은 디커플링 커패시터를 포함하고, 상기 디커플링 커패시터의 커패시턴스 값과 상기 제1션트 인덕터의 인덕턴스 값을 조절하여 RF 신호를 매칭하도록 설정된 전자 회로
5 5
제1항에 있어서, 제2스위치 회로를 더 포함하고, 상기 제2스위치 회로는, 서로 직렬로 연결된, 제3포트에 연결된 제3스위치 및 제4포트에 연결된 제4스위치; 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치 사이의 노드에 연결된 제2병렬 스위치; 및상기 제2병렬 스위치의 기생 캐패시턴스(parasitic capacitance) 성분을 상쇄하도록 상기 노드에 연결된 제2션트 인덕터를 포함하고,상기 제2병렬 스위치는 상기 제1병렬 스위치와 직렬로 연결되고, 상기 제2션트 인턱터는 상기 제1션트 인덕터와 직렬로 연결되는 전자 회로
6 6
제5항에 있어서,상기 제1션트 인덕트 및 상기 제2션트 인덕터는 하나의 인덕터로 구현되는 전자 회로
7 7
제5항에 있어서,상기 스위치 온 상태에서, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는 켜지고, 상기 제2병렬 스위치는 꺼지도록 설정되고,상기 스위치 오프 상태되면, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는 꺼지고, 상기 제2병렬 스위치는 켜지도록 설정된 전자 회로
8 8
제1항에 있어서, 제3스위치 회로를 더 포함하고, 상기 제3스위치 회로는, 서로 직렬로 연결된, 제3포트에 연결된 제3스위치 및 제4포트에 연결된 제4스위치를 포함하고,상기 제3스위치 회로는, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치 사이의 노드를 통해 상기 제1병렬 스위치에 연결되고, 상기 노드를 통해 상기 제1션트 인덕터에 연결되는 전자 회로
9 9
제8항에 있어서,상기 스위치 온 상태에서, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는 켜지고, 상기 제1병렬 스위치는 꺼지도록 설정되고,상기 스위치 오프 상태되면, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는 꺼지고, 상기 제1병렬 스위치는 꺼지도록 설정된 전자 회로
10 10
전력 증폭기에 있어서,제1증폭부; 및스위치 회로를 포함하는 제2증폭부를 포함하고, 상기 제2증폭부는, 상기 스위치 회로를 통해, 상기 전력 증폭기의 제1파워 모드에서 상기 제1증폭부로부터 출력된 신호가 증폭되도록 설정되고, 상기 스위치 회로를 통해, 상기 전력 증폭기의 제2파워 모드에서 상기 제1증폭부로부터 출력된 신호가 바이패스(bypass)되도록 설정되고,상기 스위치 회로는,서로 직렬로 연결된, 상기 제2증폭부의 제1입력단에 연결된 제1스위치 및 상기 제2증폭부의 제1출력단에 연결된 제2스위치,상기 제1스위치 및 상기 제2스위치가 사이의 노드에 연결된 제1병렬 스위치, 및상기 제1병렬 스위치의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance) 성분을 상쇄하도록 상기 노드에 연결된 제1션트 인덕터를 포함하는 전력 증폭기
11 11
제10항에 있어서,상기 제1파워 모드에서, 상기 제1스위치 및 상기 제2스위치는 켜지고, 상기 제1병렬 스위치는 꺼지도록 설정되고,상기 제2파워 모드에서, 상기 제1스위치 및 상기 제2스위치는 꺼지고, 상기 제1병렬 스위치는 켜지도록 설정된 전력 증폭기
12 12
제10항에 있어서,상기 제1파워 모드는 로우 파워 모드이고, 상기 제2파워 모드는 하이 파워 모드인 전력 증폭기
13 13
제10항에 있어서, 상기 스위치 회로는,상기 제1스위치 및 상기 제2스위치 양단에 걸리는 션트 저항을 더 포함하는 전력 증폭기
14 14
제10항에 있어서, 상기 스위치 회로는,서로 직렬로 연결된, 상기 제2증폭부의 제2입력단에 연결된 제3스위치 및 상기 제2증폭부의 제2출력단에 연결된 제4스위치,상기 제3스위치 및 상기 제4스위치 사이의 노드에 연결된 제2병렬 스위치, 및상기 제2병렬 스위치의 기생 캐패시턴스(parasitic capacitance) 성분을 상쇄하도록 상기 노드에 연결된 제2션트 인덕터를 더 포함하고,상기 제2병렬 스위치는 상기 제1병렬 스위치와 직렬로 연결되고, 상기 제2션트 인턱터는 상기 제1션트 인덕터와 직렬로 연결되는 전력 증폭기
15 15
제14항에 있어서,상기 제1파워 모드에서, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는 켜지고, 상기 제2병렬 스위치는 꺼지도록 설정되고,상기 제2파워 모드에서, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는 꺼지고, 상기 제2병렬 스위치는 켜지도록 설정된 전력 증폭기
16 16
제10항에 있어서, 상기 스위치 회로는,서로 직렬로 연결된, 상기 제2증폭부의 제2입력단에 연결된 제3스위치 및 상기 제2증폭부의 제2출력단에 연결된 제4스위치를 더 포함하고,상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치 사이의 노드를 통해 상기 제1병렬 스위치에 연결되고, 상기 노드를 통해 상기 제1션트 인덕터에 연결되는 전력 증폭기
17 17
제16항에 있어서, 상기 스위치 회로는,상기 제1스위치 및 상기 제2스위치 양단에 걸리는 제1션트 저항; 및상기 제3스위치 및 상기 제4스위치 양단에 걸리는 제2션트 저항을 더 포함하는 전력 증폭기
18 18
제10항에 있어서,상기 제1스위치 및 상기 제2스위치 각각은 디커플링 커패시터를 포함하고, 상기 디커플링 커패시터의 커패시턴스 값과 상기 제1션트 인덕터의 인덕턴스 값을 조절하여 RF 신호를 매칭하도록 설정된 전력 증폭기
19 19
제10항에 있어서,상기 스위치 회로는, 상기 제2증폭부의 피드백 경로(feedback path)에 위치하는 전력 증폭기
20 20
제10항에 있어서,상기 제1파워 모드에서, 상기 제2증폭부의 드레인 전압이 하이 상태로 유지되도록 설정된 전력 증폭기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.