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기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer), 및 상기 복수의 단위막 사이 중 어느 하나에 배치되는 식각 정지막(etch stop layer)을 포함하고, 상기 식각 정지막을 노출시키는 트렌치(trench)를 갖는 반사 구조체; 및상기 트렌치의 바닥면 상에 배치되는 흡수 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 식각 정지막의 하부에 배치된 상기 복수의 단위막의 개수는, 상기 식각 정지막의 상부에 배치된 상기 복수의 단위막의 개수와 같은 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 식각 정지막의 하부에 배치된 상기 복수의 단위막의 개수는, 상기 식각 정지막의 상부에 배치된 상기 복수의 단위막의 개수 보다 적은 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 식각 정지막의 두께는, 상기 제1 물질막 또는 상기 제2 물질막의 두께 보다 두꺼운 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 식각 정지막은, 실리콘 산화물을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막의 두께는 서로 동일한 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 최상부에 배치된 상기 단위막 상에 배치되는 캡핑막(capping layer)를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 식각 정지막의 하부면과 인접하게 배치된 상기 제2 물질막은, 상기 제2 물질막의 상부면에 인접한 상부 영역 및 상기 제2 물질막의 하부면에 인접한 하부 영역으로 구분되고, 상기 상부 영역에서 상기 하부 영역으로 갈수록, 산소(O)의 농도가 감소되는 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크
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기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer), 및 상기 복수의 단위막 사이 중 어느 하나에 배치되는 식각 정지막(etch stop layer)을 포함하는 예비 반사 구조체를 준비하는 단계; 상기 예비 반사 구조체를 식각하여, 상기 식각 정지막을 노출시키는 트렌치(trench)를 갖는 반사 구조체를 제조하는 단계; 및 상기 트렌치의 바닥면 상에 흡수 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 예비 반사 구조체 준비 단계는, 상기 기판 상에 제1 물질막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 물질막 상에 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 제1 적층 단계; 상기 제2 물질막 상에 상기 식각 정지막을 형성하는 단계; 및 상기 식각 정지막 상에 상기 제1 물질막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 물질막 상에 상기 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 제2 적층 단계를 포함하되, 상기 제1 적층 단계, 및 상기 제2 적층 단계는 복수회 반복되는 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 제1 적층 단계에서 형성되는 복수의 상기 제2 물질막 중, 최상부에 형성되는 제2 물질막의 두께는, 상기 최상부에 형성되는 제2 물질막을 제외한 제2 물질막의 두께 보다 두껍고, 3
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12
제10 항에 있어서, 상기 제1 적층 단계의 반복 횟수는, 상기 제2 적층 단계의 반복 횟수 이하로 수행되는 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 반사 구조체 제조 단계에서, 상기 예비 반사 구조체에 제공되는 식각 소스에 대해, 상기 식각 정지막은, 상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막과 비교하여 식각 선택비를 갖는 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 식각 정지막 형성 단계는, 상기 제1 적층 단계에서 최상부의 상기 제2 물질막을 열산화시키는 단계를 포함하고, 최상부의 상기 제2 물질막 열산화되는 동안, 산소(O)가 최상부의 상기 제2 물질막 내부로 침투되어, 최상부의 상기 제2 물질막 내부에 산소 농도 구배(gradient)가 형성되는 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 마스크 제조 방법
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