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스핀 홀 효과 조정을 이용한 스커미온 발진 소자

  • 기술번호 : KST2020014065
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 발진기는 면내 전류에 의하여 스커미온의 폐 궤적(closed trajectory)을 제공하는 자성 라인 패턴을 포함한다. 상기 자성 라인 패턴은, 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향에 의하여 정의된 배치평면 내에서 상기 제1 방향으로 연장되는 강자성층; 상기 강자성층의 하부에 배치된 하부 중금속층; 및 상기 강자성층의 상부에 배치된 상부 중금속층을 포함한다. 상기 자성 라인 패턴은 음의 스핀 전류를 가지는 제1 영역과 양의 스핀 전류를 가지는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계는 상기 제1 방향을 비스듬히 가로지른다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/02 (2006.01.01) H01L 43/12 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020190120707 (2019.09.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2166769-0000 (2020.10.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20201016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.30)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석봉 서울특별시 서초구
2 황현석 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0998303-73
2 등록결정서
Decision to grant
2020.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0672443-60
3 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5026083-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
면내 전류에 의하여 스커미온의 폐 궤적(closed trajectory)을 제공하는 자성 라인 패턴을 포함하는 스커미온 발진기에 있어서,상기 자성 라인 패턴은:제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향에 의하여 정의된 배치평면 내에서 상기 제1 방향으로 연장되는 강자성층;상기 강자성층의 하부에 배치된 하부 중금속층; 및상기 강자성층의 상부에 배치된 상부 중금속층을 포함하고,상기 자성 라인 패턴은 음의 스핀 전류를 가지는 제1 영역과 양의 스핀 전류를 가지는 제2 영역을 포함하고,상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계는 상기 제1 방향을 비스듬히 가로지르는 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 영역에서 상기 상부 중금속층의 제1 두께는 상기 제2 영역에서 상기 상부 중금속층의 제2 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
3 3
제2 항에 있어서,상기 제1 두께는 상기 하부 중금속층의 두께보다 크고,상기 제2 두께는 상기 하부 중금속층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계가 폭 방향과 이루는 경사각은 15 도 내지 60도 인 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
5 5
제1 항에 있어서,상기 자성 라인 패턴의 폭은 50 nm 내지 150 nm 인 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
6 6
제1 항에 있어서,상기 강자성층은 수직자기 이방성을 가진 물질인 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
7 7
제1 항에 있어서,상기 자성 라인 패턴의 일단에 배치되어 펄스 직류 전류에 상기 자성 라인 패턴에 스커미온 생성시키는 스커미온 발생부; 및상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 배치되어 자기 저항 효과에 의하여 발진 신호를 추출하는 발진 신호 검출부를 더 포함하고,상기 발진 신호 검출부는 상기 스커미온의 상기 폐 궤적의 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
8 8
면내 전류에 의하여 스커미온의 폐 궤적(closed trajectory)을 제공하는 자성 라인 패턴을 포함하는 스커미온 발진기에 있어서,상기 자성 라인 패턴은:제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향에 의하여 정의된 배치평면 내에서 상기 제1 방향으로 연장되는 합성 페리자성층;상기 합성 페리자성층의 하부에 배치된 하부 중금속층; 및상기 합성 페리자성층의 상부에 배치된 상부 중금속층을 포함하고,상기 자성 라인 패턴은 음의 스핀 전류를 가지는 제1 영역과 양의 스핀 전류를 가지는 제2 영역을 포함하고,상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계는 상기 제1 방향을 비스듬히 가로지르는 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
9 9
제8 항에 있어서,상기 합성 페리자성층은 차례로 적층된 하부 강자성층, 비자성 도전층, 및 상부 강자성층을 포함하고,상기 상부 강자성층 및 상기 하부 강자성층은 수직 자기 이방성을 가지고,상기 상부 강자성층 및 상기 하부 강자성층은 서로 반대 방향의 자화 방향을 가지는 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
10 10
제8 항에 있어서, 상기 제1 영역에서 상기 상부 중금속층의 제1 두께는 상기 제2 영역에서 상기 상부 중금속층의 제2 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
11 11
제10 항에 있어서,상기 제1 두께는 상기 하부 중금속층의 두께보다 크고,상기 제2 두께는 상기 하부 중금속층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
12 12
제8 항에 있어서,상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계가 폭 방향과 이루는 경사각은 15 도 내지 60도 인 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
13 13
제8 항에 있어서,상기 자성 라인 패턴의 폭은 50 nm 내지 150 nm 인 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
14 14
제8 항에 있어서,상기 자성 라인 패턴의 일단에 배치되어 펄스 직류 전류에 상기 자성 라인 패턴에 스커미온 생성시키는 스커미온 발생부; 및상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계에 배치되어 자기 저항 효과에 의하여 발진 신호를 추출하는 발진 신호 검출부를 더 포함하고,상기 발진 신호 검출부는 상기 스커미온의 상기 폐 궤적의 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 스커미온 발진기
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1 과학기술정보통신부 고려대학교 미래소재디스커버리 설계기반 Spin-Orbitronics 소재 개발