| 1 |
1
쇼트키 장벽 다이오드로서, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 형성되는 제2 반도체층, 그리고 상기 제2 반도체층 상의 일부 위치에 형성되어 쇼트키 장벽을 형성하는 쇼트키 금속층을 포함하고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 물질로 이루어지고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층의 전도대 오프셋은 설정된 값보다 작게 설정되는 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 제1 반도체층은 n+ 타입을 가지고, 제2 반도체층은 n- 타입을 가지는 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 3 |
3
제1항에서,상기 제1 반도체층은 인듐인(Indium phosphide)를 포함하고, 상기 제2 반도체층은 갈륨 비소 인듐(Indium gallium arsenide)을 포함하는 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 4 |
4
제1항에서, 상기 설정된 값은 상온 300k의 열에너지인 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 5 |
5
제1항에서, 상기 금속층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되는 절연층을 더 포함하는 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 6 |
6
제5항에서, 일부 위치에서 상기 절연층과 상기 제2 반도체층까지 식각한 후 상기 제1 반도체층 상에 형성되는 옴 금속층을 더 포함하는 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 7 |
7
제1항에서,상기 쇼트키 금속층 하부로 제2 반도체층 및 제1 반도체층이 부분적으로 식각되는 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 8 |
8
제1항에서, 상기 기판과 상기 제1 반도체층 사이에 형성되는 버퍼층을 더 포함하고, 상기 버퍼층은 상기 제1 반도체층과 동일한 물질로 이루어지는 쇼트키 장벽 다이오드
|
| 9 |
9
쇼트키 장벽 다이오드의 제조 방법으로서, 기판 위에 제1 물질을 도핑하여 제1 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체층 위에 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 도핑하여 제2 반도체층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 반도체층 위에 쇼트키 장벽이 형성되도록 쇼트키 금속층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층의 전도대 오프셋은 동일한 물질로 이루어진 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층의 전도대 오프셋보다 작게 설정되는 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에서,상기 제1 반도체층은 n+ 타입을 가지고, 제2 반도체층은 n- 타입을 가지는 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항에서,상기 제1 반도체층은 인듐인(Indium phosphide)를 포함하고, 상기 제2 반도체층은 갈륨 비소 인듐(Indium gallium arsenide)을 포함하는 제조 방법
|
| 12 |
12
제9항에서, 상기 제2 반도체층과 상기 쇼트키 금속층 사이에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 제조 방법
|
| 13 |
13
제12항에서,상기 쇼트키 금속층을 형성하는 단계 전에, 일부 위치에서 상기 절연층과 상기 제2 반도체층까지 식각한 후 상기 제1 반도체층 상에 옴 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 제조 방법
|
| 14 |
14
제12항에서, 상기 쇼트키 금속층을 형성하는 단계 후에, 상기 쇼트키 금속층의 하부로 제2 반도체층 및 제1 반도체층을 부분적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 제조 방법
|
