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하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 고분자:[화학식 1][화학식 2]상기 식에서,R은 수소, 비치환된 또는 치환된 C1-6 알킬, 비치환된 또는 치환된 C3-10 사이클로알킬 또는 비치환된 또는 치환된 (C0-6 알킬)-(C6-10 아릴)-(C0-6 알킬);X는 직접결합 또는 4가 결합기(linker);Y는 직접결합 또는 2가 결합기(liker);n은 0 또는 1의 정수이고,상기 고분자는 500 내지 5,000,000의 분자량을 가진다
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제1항에 있어서, 상기 R은 부틸, 사이클로헥실, 벤질, 구아니디노에틸, 구아니디노아릴, 카르복시메틸, (아미노)(카르복시)부틸 또는 (아세트아미도)(N-알킬카바모일)부틸인 것인, 고분자
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3
제1항에 있어서, 상기 치환은 아민기(-NH2), 카르복실기(-COOH), 구아니디노기(-NHC(NH2)=NH), 아세트아미도기(-NHCOCH3), N-알킬카바모일기(-CONHR')로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 것인, 고분자
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4
제1항에 있어서, 상기 X는 하기 구조식들로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것인, 고분자
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5
제1항에 있어서, 상기 Y는 하기 구조식들로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것인, 고분자
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6
제1항에 있어서, 상기 고분자는 양성자성 용매에서 분해되는 것인, 고분자
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7
제6항에 있어서, 상기 양성자성 용매는 물, 알코올, 카르복실산, 아민 및 싸이올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 고분자
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8
제5항에 있어서, 상기 분해는 산(acid) 또는 염기(base)의 첨가로 촉진되는 것인, 고분자
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하기 화학식 3의 구아니딘 및 화학식 4 또는 화학식 5의 다중무수물을 포함하는, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 고분자 제조용 조성물:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5]상기 식에서, R, X, Y 및 n은 제1항에 정의된 바와 같다
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10
제9항에 있어서, 상기 화학식 3의 구아니딘은 부틸구아니딘, 사이클로헥실구아니딘, 벤질구아니딘, 에탄다이일다이구아니딘, 페닐렌다이구아니딘, 아르기닌 또는 구아니디노아세테이트인 것인, 고분자 제조용 조성물
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11
제9항에 있어서, 상기 화학식 4의 다중무수물은 바이프탈산 이무수물, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 옥시디프탈산 무수물, 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 헥사플루오로아이소프로필리덴 다이프탈산 무수물, 멜리트산 삼무수물 또는 글리세롤 트리스트라이멜리트산 삼무수물인 것인, 고분자 제조용 조성물
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12
제9항에 있어서, 상기 화학식 5의 다중무수물은 부탄테트라카르복실산 이무수물, 페닐렌-비스-다이하이드로푸란다이온 또는 사이클로헥산다이일-비스-다이하이드로푸란다이온인 것인, 고분자 제조용 조성물
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13
하기 화학식 3의 구아니딘과 화학식 4 또는 화학식 5의 다중무수물을 반응시키는 단계를 포함하는, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 고분자의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3] [화학식 4][화학식 5]상기 식에서,R, X, Y 및 n은 제1항에 정의된 바와 같다
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14
제13항에 있어서, 상기 고분자의 제조방법은 반응시키는 단계에 카르보다이이미드(carbodiimide)를 추가로 첨가하는 것인, 고분자의 제조방법
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하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 고분자를 포함하는 필름:[화학식 1][화학식 2]상기 식에서,R, X, Y 및 n은 제1항에 정의된 바와 같다
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