| 1 |
1
전도성 고분자 나노입자에 금속산화물 침상을 올리는 단계;상기 금속산화물 침상에 개시제 용액을 이용한 기상증착중합을 통해 관능기를 가지는 전도성 고분자층을 금속산화물 침상 위에 코팅한 성게모양의 전도성 고분자 나노입자 제조 단계; 및,상기 성게모양의 전도성 고분자 나노입자를 표면개질 된 전극기판 상에 고정시키는 단계; 및,상기 전극기판에 고정된 성게모양의 전도성 고분자 표면에 항 환경호르몬 압타머를 도입하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 나노입자는 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리 싸이오펜 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 나노입자의 크기는 10 ~ 100nm인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 금속 산화물 침상을 올리는데 있어 도입된 금속산화물 전구체는 염화철Ⅲ, 염화철Ⅲ·수화물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 금속산화물 침상을 올리는데 있어 정전분무를 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서, 상기 금속산화물 침상을 올리는데 있어 전도성 고분자 나노입자의 정전분무 높이가 샬레로부터 10 ~ 30cm인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 7 |
7
제 5항에 있어서, 상기 금속산화물 침상을 올리는데 있어 전도성 고분자 나노입자 정전분무시 정전전압이 13 ~ 25kV인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 8 |
8
제 5항에 있어서, 상기 금속산화물 침상을 올리는데 있어 전도성 고분자 나노입자의 정전분무시 주사속도가 1 ~ 20㎕/min인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 단량체는 피롤, 아닐린, 싸이오펜 및 그 유도체들인 피롤-2-카르복실산 (pyrrole-2-carboxylic acid), 피롤-3-카르복실산 (pyrrole-3-carboxylic acid), 싸이오펜-2-카르복실산 (thiophene-2-carboxylic acid), 싸이오펜-3-카르복실산 (tiophene-2-carboxylic acid)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서, 상기 기상증착중합을 하는데 있어 개시제 용질은 염화구리(Ⅱ), 질산구리(Ⅱ) 중에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서, 상기 기상증착중합을 하는데 있어 개시제의 용매는 증류수, 에틸 알코올, 메틸알코올 중의 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 12 |
12
제 1항에 있어서, 상기 기상증착중합을 하는데 있어 개시제 용액의 농도는 8 ~ 20wt%인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서, 상기 기상증착중합을 하는데 있어 중합온도는 섭씨 60 도 에서 섭씨 90 도 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 14 |
14
제 1항에 있어서, 상기 기상증착중합을 하는데 있어 압력은 10 ~ 10-6 Torr 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 15 |
15
제 1항에 있어서, 상기 기상증착중합을 하는데 있어 중합시간은 15 분에서 45 분 사이 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 16 |
16
제 1항에 있어서, 상기 표면 개질된 전극기판을 제조하는데 있어 아민기(-NH2) 함유 실란커플링제인 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란 중에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 17 |
17
제 1항에 있어서, 상기 성게모양의 전도성 고분자 나노입자를 표면개질된 전극 기판상에 고정시키는데 있어 기판표면의 아민기와 전도성 고분자의 관능기의 축합반응을 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 18 |
18
제 1항에 있어서, 상기 성게 모양의 전도성 고분자 나노입자를 표면개질된 전극기판상에 고정시키는데 사용되는 축합반응에 있어 축합반응 촉매로 4-(4,6-dimethoxy-1,3,5-triazin-2-yl)-4-methylmorpholinium (DMT-MM)을 첨가하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 19 |
19
제 1항에 있어서, 상기 성게 모양의 전도성 고분자 나노입자를 표면개질된 전극기판상에 고정시키는데 사용되는 축합반응에 있어 온도는 섭씨 15 ~ 25도를 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 20 |
20
제 1항에 있어서, 상기 성게 모양의 전도성 고분자 나노입자를 표면개질된 전극기판상에 고정시키는데 사용되는 축합반응에 있어 반응시간은 6 ~ 24시간을 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 21 |
21
제 1항에 있어서, 상기 전극기판에 고정된 성게 모양의 전도성 고분자 표면에 항 환경호르몬 압타머를 도입하는 데 있어 전도성 고분자의 관능기와 압타머의 아민기와의 축합반응을 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 22 |
22
제 1항에 있어서, 상기 성게 모양의 전도성 고분자 나노입자 표면에 항 환경호르몬 압타머를 도입하는 데 있어 항 환경호르몬 압타머를 PH 6
|
| 23 |
23
제 1항에 있어서, 상기 전극기판에 고정된 성게 모양의 전도성 고분자 표면에 항 환경호르몬 압타머를 도입하는 데 있어 전도성 고분자의 관능기와 압타머의 아민기의 축합반응 촉매로 4-(4,6-dimethoxy-1,3,5-triazin-2-yl)-4-methylmorpholinium (DMT-MM)을 첨가하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
| 24 |
24
제 1항에 있어서, 상기 전극기판에 고정된 성게 모양의 전도성 고분자 표면에 항 환경호르몬 압타머를 도입하는 데 있어 전도성 고분자의 관능기와 압타머의 아민기와의 축합반응 온도로 섭씨 15 ~ 30도를 이용하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 제조방법
|
