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플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2020015070
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치는, 3차원 센서에서 핀드 포토다이오드(Pinned photodiode) 및 플로팅 디퓨전 노드(Floating diffusion node) 사이에 트랜스퍼 스위치(Transfer switch)가 연결된 복수의 픽셀이 구비된 센서 어레이 및 상기 센서 어레이의 픽셀에서 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 트랜스퍼 스위치의 트랜스퍼 구동 전압(TX driving voltage)을 최소 값으로 유지하고, 상기 포토다이오드의 전하(charge)를 고려하여 상기 트랜스퍼 구동 전압을 단계적으로 증가시키고, 상기 플로팅 디퓨전 노드와 커패시터를 통해 연결된 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지한다.
Int. CL H04N 5/3745 (2011.01.01) H01L 27/146 (2006.01.01)
CPC H04N 5/3745(2013.01) H04N 5/3745(2013.01) H04N 5/3745(2013.01)
출원번호/일자 1020190099697 (2019.08.14)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2176000-0000 (2020.11.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20201106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.14)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재혁 서울특별시 서초구
2 김동욱 경기도 수원시 영통구
3 안연수 경기도 용인시 수지구
4 전정훈 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0836416-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2019-0054359-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0332824-77
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0731413-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0731414-17
7 등록결정서
Decision to grant
2020.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0737632-40
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번호 청구항
1 1
3차원 센서에서 핀드 포토다이오드(Pinned photodiode) 및 플로팅 디퓨전 노드(Floating diffusion node) 사이에 트랜스퍼 스위치(Transfer switch)가 연결된 복수의 픽셀이 구비된 센서 어레이; 및 상기 센서 어레이의 픽셀에서 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 트랜스퍼 스위치의 트랜스퍼 구동 전압(TX driving voltage)을 최소 값으로 유지하고, 상기 포토다이오드의 전하(charge)를 고려하여 상기 트랜스퍼 구동 전압을 단계적으로 증가시키고, 상기 플로팅 디퓨전 노드와 커패시터를 통해 연결된 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하고, 상기 트랜스퍼 구동 전압과 무관하게 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하고, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 포토다이오드의 전하를 고려하여 상기 트랜스퍼 구동 전압을 기설정된 전압만큼 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 트랜스퍼 구동 전압이 하이(High)일 때 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 트랜스퍼 구동 전압이 하이(High)일 때 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하고, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 제어부는, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 기설정된 전압만큼 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 기설정된 전압만큼 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 트랜스퍼 구동 전압과 무관하게 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 커패시터는, 메탈-인슐레이터-메탈(MIM, Metal-Insulator-Metal) 커패시터 또는 메탈-옥사이드-메탈(MOM, Metal-Oxide-Metal) 커패시터인, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
10 10
제1항에 있어서, 상기 핀드 포토다이오드의 양쪽에 제1 트랜스퍼 스위치 및 제2 트랜스퍼 스위치가 연결되고, 제1 트랜스퍼 스위치 및 제2 트랜스퍼 스위치에 각각 제1 플로팅 디퓨전 노드 및 제2 플로팅 디퓨전 노드가 연결되는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치
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플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 장치에 의해 수행되는 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법에 있어서, 3차원 센서의 센서 어레이에 구비된 복수의 픽셀 각각에서 핀드 포토다이오드(Pinned photodiode) 및 플로팅 디퓨전 노드(Floating diffusion node) 사이에 연결된 트랜스퍼 스위치(Transfer switch)의 트랜스퍼 구동 전압(TX driving voltage)을 최소 값으로 유지하는 단계; 상기 포토다이오드의 전하(charge)를 고려하여 상기 트랜스퍼 구동 전압을 단계적으로 증가시키는 단계; 및 상기 플로팅 디퓨전 노드와 커패시터를 통해 연결된 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는 단계를 포함하고, 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는 단계는, 상기 트랜스퍼 구동 전압과 무관하게 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하고, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 트랜스퍼 구동 전압을 증가시키는 단계는, 상기 포토다이오드의 전하를 고려하여 상기 트랜스퍼 구동 전압을 기설정된 전압만큼 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는 단계는, 상기 트랜스퍼 구동 전압이 하이(High)일 때 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는 단계는, 상기 트랜스퍼 구동 전압이 하이(High)일 때 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하고, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
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제14항에 있어서,상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는 단계는, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 기설정된 전압만큼 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
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삭제
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제11항에 있어서,상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는 단계는, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 전하를 고려하여 상기 전위 생성 노드의 전압을 기설정된 전압만큼 단계적으로 증가시키는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
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제11항에 있어서,상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는 단계는, 상기 트랜스퍼 구동 전압과 무관하게 상기 전위 생성 노드의 전압을 하이(High)로 유지하는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
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제11항에 있어서,상기 커패시터는, 메탈-인슐레이터-메탈(MIM, Metal-Insulator-Metal) 커패시터 또는 메탈-옥사이드-메탈(MOM, Metal-Oxide-Metal) 커패시터인, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
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제11항에 있어서, 상기 핀드 포토다이오드의 양쪽에 제1 트랜스퍼 스위치 및 제2 트랜스퍼 스위치가 연결되고, 제1 트랜스퍼 스위치 및 제2 트랜스퍼 스위치에 각각 제1 플로팅 디퓨전 노드 및 제2 플로팅 디퓨전 노드가 연결되는, 플로팅 디퓨전 노드의 모듈레이션 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)신오전자 미래성장동력사업 3/3 다양한 조도환경에서 동작 가능한 웨어러블용 저전력, 초소형 3D 깊이 카메라 기술