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전이금속의 침입형 원자자리 도핑법에 의해 제조된 SnO2 나노입자

  • 기술번호 : KST2020016655
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전이금속의 침입형 원자자리 도핑법에 의해 제조된 SnO2 나노 입자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 촉매 특성을 가진 SnO2 입자의 원자구조 내 침입형 원자 자리에 다전자가를 가진 전이 금속원소가 도핑된 SnO2 나노 입자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명을 통해 전이 금속원소가 도핑된 SnO2 나노 입자의 도핑자리와 입자 크기를 원자단위에서 제어함으로써 센서나 촉매와 관련된 광촉매 및 전기화학적 특성을 강화시킬 수 있다.
Int. CL C01G 19/02 (2006.01.01) B01J 23/14 (2006.01.01) B01J 35/02 (2006.01.01) B01J 35/00 (2006.01.01) B01J 37/08 (2006.01.01)
CPC C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01)
출원번호/일자 1020190058530 (2019.05.20)
출원인 성균관대학교산학협력단, 숙명여자대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2190605-0000 (2020.12.08)
공개번호/일자 10-2020-0133846 (2020.12.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 숙명여자대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 용산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영민 경기도 수원시 영통구
2 장우성 경기도 수원시 장안구
3 이한길 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
2 숙명여자대학교산학협력단 서울특별시 용산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0510139-70
2 보정요구서
Request for Amendment
2019.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0088042-00
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0587340-23
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0062962-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0362805-57
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0766739-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0766738-14
9 등록결정서
Decision to grant
2020.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0831921-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SnO2 입자의 원자구조 내 침입형 원자 자리(interstitial atom site)에 전이 금속원소가 도핑되어 있는 SnO2 나노 입자
2 2
제1항에 있어서,상기 침입형 원자 자리는 SnO2 입자의 원자구조 내 4C 사이트(site)인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
3 3
제1항에 있어서,상기 전이 금속원소는 Fe, Cr, V, Mn, Ni, Cu 및 Ti으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
4 4
제3항에 있어서,상기 전이 금속원소는 Fe 또는 Cr인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
5 5
제1항에 있어서,상기 SnO2 나노 입자는 직경이 2 내지 12 nm인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
6 6
1) 하나의 반응로에 주석(IV)염화물 5수화물(tin (IV) chloride pentahydrate; SnCl4·5H2O) 및 유기용매를 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;2) 상기 단계 1)의 혼합물에 전이금속 질화물 n수화물(transition metal nitrate n-hydrate; TM(NO3)x·nH2O, 여기서 1≤x≤3, 5≤n≤9)을 첨가한 후 혼합하여 겔 용액을 제조하는 단계; 3) 상기 단계 2)의 겔 용액을 가열하여 전이금속이 도핑된 출발 물질을 제조하는 단계; 및4) 상기 단계 3)의 출발 물질을 열처리하는 단계;를 포함하는,SnO2 입자의 원자구조 내 침입형 원자 자리에 전이 금속원소가 도핑된 SnO2 나노 입자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 단계 2)의 전이 금속은 Fe, Cr, V, Mn, Ni, Cu 및 Ti으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 단계 3)의 가열은 200 내지 250℃에서 3 내지 10시간 동안 가열하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 단계 4)의 열처리는 300 내지 900℃에서 8 내지 20시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
10 10
SnO2 나노 입자의 원자구조 내 침입형 원자 자리(interstitial atom site)에 전이 금속원소를 도핑하는 단계;를 포함하는, SnO2 나노 입자의 촉매 및 전기화학적 특성의 향상 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 전이 금속원소는 Fe, Cr, V, Mn, Ni, Cu 및 Ti으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 SnO2 나노 입자는 직경이 2 내지 12 nm인 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 세종대학교 산학협력단 미래소재디스커버리사업 양이온 주입기반 원자레벨 격자조작을 통한 극한 기능성-반응성 세라믹스 분말