1 |
1
SnO2 입자의 원자구조 내 침입형 원자 자리(interstitial atom site)에 전이 금속원소가 도핑되어 있는 SnO2 나노 입자
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 침입형 원자 자리는 SnO2 입자의 원자구조 내 4C 사이트(site)인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 전이 금속원소는 Fe, Cr, V, Mn, Ni, Cu 및 Ti으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 전이 금속원소는 Fe 또는 Cr인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 SnO2 나노 입자는 직경이 2 내지 12 nm인 것을 특징으로 하는 SnO2 나노 입자
|
6 |
6
1) 하나의 반응로에 주석(IV)염화물 5수화물(tin (IV) chloride pentahydrate; SnCl4·5H2O) 및 유기용매를 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;2) 상기 단계 1)의 혼합물에 전이금속 질화물 n수화물(transition metal nitrate n-hydrate; TM(NO3)x·nH2O, 여기서 1≤x≤3, 5≤n≤9)을 첨가한 후 혼합하여 겔 용액을 제조하는 단계; 3) 상기 단계 2)의 겔 용액을 가열하여 전이금속이 도핑된 출발 물질을 제조하는 단계; 및4) 상기 단계 3)의 출발 물질을 열처리하는 단계;를 포함하는,SnO2 입자의 원자구조 내 침입형 원자 자리에 전이 금속원소가 도핑된 SnO2 나노 입자의 제조 방법
|
7 |
7
제6항에 있어서,상기 단계 2)의 전이 금속은 Fe, Cr, V, Mn, Ni, Cu 및 Ti으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
8 |
8
제6항에 있어서,상기 단계 3)의 가열은 200 내지 250℃에서 3 내지 10시간 동안 가열하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
9 |
9
제6항에 있어서,상기 단계 4)의 열처리는 300 내지 900℃에서 8 내지 20시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
10 |
10
SnO2 나노 입자의 원자구조 내 침입형 원자 자리(interstitial atom site)에 전이 금속원소를 도핑하는 단계;를 포함하는, SnO2 나노 입자의 촉매 및 전기화학적 특성의 향상 방법
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 전이 금속원소는 Fe, Cr, V, Mn, Ni, Cu 및 Ti으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법
|
12 |
12
제10항에 있어서,상기 SnO2 나노 입자는 직경이 2 내지 12 nm인 것을 특징으로 하는 방법
|