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글로벌 비트라인의 전압을 구동하는 비트라인 드라이버;셀 워드라인과 셀 비트라인 사이에 연결된 메모리 셀을 포함하는 셀 어레이;상기 글로벌 비트라인을 상기 셀 비트라인에 연결하는 비트라인 스위치를 포함하는 비트라인 디코더;상기 셀 워드라인을 상기 글로벌 워드라인에 연결하는 워드라인 스위치를 포함하는 워드라인 디코더;읽기 동작 시 상기 글로벌 비트라인의 전압으로부터 상기 메모리 셀의 상태에 대응하는 감지신호를 출력하는 센스앰프; 및상기 읽기 동작을 제어하는 제어회로를 포함하는 반도체 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 워드라인 스위치는 상기 셀 워드라인을 로컬 워드라인에 연결하는 로컬 워드라인 스위치; 및상기 로컬 워드라인을 상기 글로벌 워드라인에 연결하는 글로벌 워드라인 스위치를 포함하는 반도체 메모리 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 워드라인 디코더는 상기 셀 워드라인을 방전시키는 워드라인 방전 스위치를 더 포함하는 반도체 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 비트라인 스위치는 상기 셀 비트라인을 로컬 비트라인에 연결하는 로컬 비트라인 스위치; 및상기 로컬 비트라인을 상기 글로벌 비트라인에 연결하는 글로벌 비트라인 스위치를 포함하는 반도체 메모리 장치
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청구항 4에 있어서, 상기 비트라인 디코더는 상기 셀 비트라인을 방전시키는 비트라인 방전 스위치를 더 포함하는 반도체 메모리 장치
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6
청구항 1에 있어서, 상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인을 제 1 전원에 연결하여 상기 글로벌 비트라인을 프리차지한 후 상기 글로벌 비트라인을 상기 제 1 전원과 분리한 상태에서 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 후 상기 센스앰프를 활성화시켜 읽기 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치
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7
청구항 6에 있어서, 상기 글로벌 비트라인에 아닐링 전류를 제공하는 아닐링 드라이버를 더 포함하고, 상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 상태에서 상기 아닐링 전류가 상기 메모리 셀에 흐르도록 제어하는 반도체 메모리 장치
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8
청구항 6에 있어서, 상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 상태에서 상기 셀 워드라인과 상기 글로벌 워드라인이 분리되도록 상기 워드라인 디코더를 제어하는 반도체 메모리 장치
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9
청구항 2에 있어서, 상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인을 제 1 전원에 연결하여 상기 글로벌 비트라인을 프리차지한 후 상기 글로벌 비트라인을 상기 제 1 전원과 분리한 상태에서 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 후 상기 센스앰프를 활성화시켜 읽기 동작을 수행하되,상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 상태에서 상기 글로벌 워드라인 스위치와 상기 로컬 워드라인 스위치를 모두 턴온하는 반도체 메모리 장치
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청구항 9에 있어서, 상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 상태에서 상기 로컬 워드라인 스위치의 턴온 저항을 조절하는 반도체 메모리 장치
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11
청구항 4에 있어서, 상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인을 제 1 전원에 연결하여 상기 글로벌 비트라인을 프리차지한 후 상기 글로벌 비트라인을 상기 제 1 전원과 분리한 상태에서 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 후 상기 센스앰프를 활성화시켜 읽기 동작을 수행하되,상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 상태에서 상기 글로벌 비트라인 스위치와 상기 로컬 비트라인 스위치를 모두 턴온하되, 상기 제어회로는 상기 로컬 비트라인 스위치의 턴온 저항을 제어하는 반도체 메모리 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인을 제 1 전원에 연결하여 상기 글로벌 비트라인을 프리차지한 후 상기 글로벌 비트라인을 상기 제 1 전원과 분리한 상태에서 상기 글로벌 비트라인과 상기 셀 비트라인을 연결한 후 상기 센스앰프를 활성화시켜 읽기 동작을 수행하되,상기 제어회로는 상기 글로벌 비트라인을 상기 제 1 전원에 연결하여 상기 글로벌 비트라인을 프리차지하는 동안 상기 글로벌 비트라인 스위치는 턴온하고 상기 로컬 비트라인 스위치는 턴오프하는 반도체 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 센스앰프는 상기 읽기 동작 시 상기 글로벌 비트라인의 전압을 기준전압과 비교하여 상기 감지신호를 출력하는 반도체 메모리 장치
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청구항 6에 있어서, 상기 셀 어레이는 상기 메모리 셀과 다른 메모리 셀을 더 포함하고, 상기 제어회로는 상기 메모리 셀에 대해서 읽기 동작을 종료한 후, 상기 글로벌 비트라인을 프리차지하여 상기 다른 메모리 셀에 대한 읽기 동작을 개시하는 반도체 메모리 장치
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15
청구항 1에 있어서, 상기 글로벌 워드라인의 전압을 제어하는 워드라인 드라이버를 더 포함하는 반도체 메모리 장치
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16
청구항 15에 있어서, 상기 제어회로는 읽기 동작 시 상기 워드라인 드라이버를 제어하여 상기 글로벌 워드라인의 전압을 일정하게 고정하는 반도체 메모리 장치
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청구항 16에 있어서, 상기 워드라인 드라이버는 소스와 드레인이 상기 글로벌 워드라인과 제 2 전원 사이에 연결되고 게이트에 상기 제어회로에서 제공되는 제어신호가 인가되는 모스 트랜지스터를 포함하는 반도체 메모리 장치
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