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기판;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층으로부터 상기 기판을 노출시키고, 상기 노출된 기판에서 절연층까지 연장되도록 각각 형성된 그래핀층 어레이;상기 절연층 상에 형성되되, 상기 연장된 그래핀층 어레이의 일단에 각각 형성된 소스 전극들;상기 소스 전극들과 인접하게 형성되되, 상기 소스 전극들의 배열의 전체 폭을 따라 연장되도록 형성된 드레인 전극;상기 그래핀층 어레이 상에 형성된 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 형성되고, 각각의 상기 소스 전극들과 대응되도록 형성된 게이트 전극들을 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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제1항에 있어서,상기 드레인 전극은 절연층 상에 형성되되, 상기 기판과 접하도록 형성되는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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제1항에 있어서,상기 드레인 전극은 상기 그래핀층 어레이와 물리적으로 분리되도록 상기 그래핀층 어레이와 수직한 방향에 형성되는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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4
제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은 상기 소스 전극들 및 상기 드레인 전극의 상부 표면이 노출되도록 형성되는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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제4항에 있어서,상기 노출된 소스 전극들 및 드레인 전극과 상기 게이트 전극들 상에 각각 형성된 배선을 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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6
제1항에 있어서,상기 드레인 전극은 인접한 상기 소스 전극들 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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7
제1항에 있어서,상기 노출된 기판 상에 형성되는 상기 그래핀층 어레이는 각각 다른 크기의 면적을 갖는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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8
제1항에 있어서,상기 그래핀층 어레이 표면에 p형 또는 n형 불순물로 도핑되는 도펀트층을 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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9
제8항에 있어서,상기 도펀트층은 폴리아크릴산(PAA) 또는 폴리에틸렌이민(PEI) 중 어느 하나 물질을 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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10
제8항에 있어서,상기 도펀트층은 상기 소스 전극들과 접하는 부위를 제외한 상기 그래핀층 어레이 표면에 형성되는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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11
제1항에 있어서,상기 노출된 기판과 상기 그래핀층 어레이 사이에 형성된 중간층을 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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12
제11항에 있어서,상기 중간층은 Al2O3 또는 HFO2 물질중 어느 하나의 물질을 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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13
제11항에 있어서,상기 중간층은 터널링 전류(tunneling current)가 가능하도록 얇게 형성되는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자
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14
기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 기판에서 상기 절연층까지 연장되도록 그래핀층 어레이를 형성하는 단계;상기 절연층 상에 형성되되, 상기 연장된 그래핀층 어레이의 일단에 각각 접하도록 소스 전극들을 형성하는 단계;상기 소스 전극들과 인접하게 형성되되, 상기 소스 전극들의 배열의 전체 폭을 따라 연장되도록 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 절연층과 상기 그래핀층 어레이 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연층 상에 상기 소스 전극들과 대응되도록 게이트 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 그래핀층 어레이를 형성하는 단계 이전에,상기 절연층 상에 상기 기판이 노출되도록 상기 절연층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 이전에,상기 소스 전극들의 배열의 전체 폭을 따라 연장되도록 상기 절연층의 일부를 제거하여 상기 기판을 노출하는 단계를 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 드레인 전극은 상기 그래핀층 어레이와 물리적으로 분리되도록 상기 그래핀층 어레이와 수직인 방향에 형성되는 것인 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 소스 전극들을 형성하는 단계 이후에,상기 그래핀층 어레이 표면에 n형 또는 p형 불순물을 도핑하여 도펀트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 제조방법
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제15항에 있어서,상기 노출된 기판 상에 터널링 전류(tunneling current)가 가능하도록 얇은 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 게이트 절연층은 상기 소스 전극들 및 상기 드레인 전극 상부면이 노출되도록 형성되고, 상기 노출된 상부면에 각각 배선을 연결하는 단계를 더 포함하는 어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 제조방법
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