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복수의 워드 라인들이 형성되는 반도체 레이어들이 적층되는 메모리 블록을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법에 있어서:상기 메모리 블록으로의 쓰기 요청을 수신하는 단계;상기 쓰기 요청이 리딩 워드 라인에 대응하는지 판단하는 단계;상기 쓰기 요청이 상기 리딩 워드 라인에 대응하는 경우, 상기 리딩 워드 라인에 연결된 상기 메모리 셀들을 디폴트 프로그램 모드로 프로그램하는 단계;상기 리딩 워드 라인에 연결된 메모리 셀들에 대한 프로그램 결과 정보를 독출하는 단계; 그리고상기 프로그램 결과 정보를 참조하여 팔로잉 워드 라인에 연결된 메모리 셀들을 최적 프로그램 모드로 프로그램하는 단계를 포함하되,상기 최적 프로그램 모드는 상기 디폴트 프로그램 모드에 비하여 프로그램 펄스 수, 프로그램 검증 펄스 수, 프로그램 시작 전압, 그리고 프로그램 종료 전압 중 적어도 하나를 조정한 동작 모드인 액세스 방법
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제 1 항에 있어서,상기 리딩 워드 라인은 상기 메모리 블록의 상기 반도체 레이어들 각각에 적어도 하나가 할당되는 액세스 방법
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제 2 항에 있어서,상기 리딩 워드 라인은, 상기 리딩 워드 라인이 포함되는 어느 하나의 반도체 레이어 내의 워드 라인들 중 액세스 시퀀스가 가장 빠른 워드 라인에 대응하는 액세스 방법
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제 1 항에 있어서,상기 리딩 워드 라인은 상기 메모리 블록 내에서 하나의 워드 라인에만 할당되는 액세스 방법
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제 4 항에 있어서,상기 리딩 워드 라인은 상기 메모리 블록의 상기 복수의 워드 라인들 중 액세스 시퀀스가 가장 빠른 워드 라인에 대응하는 액세스 방법
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제 5 항에 있어서,상기 팔로잉 워드 라인은 상기 리딩 워드 라인과 동일한 반도체 레이어에 위치하고, 상기 최적 프로그램 모드를 위한 최적 프로그램 파라미터는 수평 레이어 유사성(Horizontal layer similarity)을 고려하여 결정되는 액세스 방법
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제 5 항에 있어서,상기 팔로잉 워드 라인은 상기 리딩 워드 라인과 다른 반도체 레이어에 위치하고, 상기 최적 프로그램 모드를 위한 최적 프로그램 파라미터는 수직 레이어 변이성(Vertical layer variability)을 고려하여 결정되는 액세스 방법
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제 1 항에 있어서,상기 프로그램 결과 정보에는, 상기 리딩 워드 라인에 연결된 메모리 셀들의 프로그램 루프별 검증 전압(Verify voltage) 이상으로 프로그램된 셀 수(Cell count), 상기 검증 전압 이상으로 프로그램된 셀 수가 기준치(TH)를 초과하는 프로그램 루프 수, 그리고 타깃 상태별 프로그램 패스되는 루프 수 중 적어도 하나를 포함하는 액세스 방법
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반도체 레이어들이 적층되는 메모리 블록을 포함하는 불휘발성 메모리 장치; 그리고상기 메모리 블록에 포함되는 워드 라인들을 리딩 워드 라인과 팔로잉 워드 라인으로 분류하여 관리하는 스토리지 컨트롤러를 포함하며, 상기 스토리지 컨트롤러는, 상기 리딩 워드 라인에 연결된 메모리 셀들은 디폴트 프로그램 모드로 프로그램하도록, 상기 팔로잉 워드 라인에 연결되는 메모리 셀들은 최적 프로그램 모드로 프로그램하도록 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하되,상기 최적 프로그램 모드에서 상기 디폴트 프로그램 모드의 실행 결과인 프로그램 결과 정보로부터 생성된 최적 프로그램 파라미터가 사용되며, 상기 최적 프로그램 파라미터는, 상기 디폴트 프로그램 모드에서 사용된 디폴트 프로그램 파라미터로부터 프로그램 펄스 수, 프로그램 검증 펄스 수, 프로그램 시작 전압, 프로그램 종료 전압 중 적어도 하나가 조정된 값인 스토리지 장치
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제 9 항에 있어서,상기 프로그램 결과 정보는 겟 피쳐 명령어(Get feature command)에 응답하여 상기 불휘발성 메모리 장치로부터 출력되는 스토리지 장치
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제 10 항에 있어서,상기 최적 프로그램 파라미터는 셋 피쳐 명령어(Set feature command)를 통해서 상기 불휘발성 메모리 장치에 제공되는 스토리지 장치
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제 9 항에 있어서,상기 리딩 워드 라인은 상기 메모리 블록의 상기 반도체 레이어들 각각에 적어도 하나가 할당되는 스토리지 장치
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제 9 항에 있어서,상기 리딩 워드 라인은 상기 메모리 블록의 상기 반도체 레이어들 중 어느 하나의 레이어에만 할당되는 스토리지 장치
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제 13 항에 있어서,상기 리딩 워드 라인이 위치한 반도체 레이어와 다른 반도체 레이어에 위치하는 경우, 상기 팔로잉 워드 라인의 상기 최적 프로그램 파라미터는 수직 레이어 변이성(Vertical layer variability)을 고려하여 결정되고, 상기 리딩 워드 라인이 위치한 상기 반도체 레이어와 동일한 반도체 레이어에 위치하는 경우, 상기 팔로잉 워드 라인의 상기 최적 프로그램 파라미터는 수평 레이어 유사성(Horizontal layer similarity)을 고려하여 결정되는 스토리지 장치
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복수의 반도체 레이어들을 적층하여 형성된 메모리 블록을 포함하는 불휘발성 메모리 장치; 그리고상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 스토리지 컨트롤러를 포함하되,상기 스토리지 컨트롤러는:상기 메모리 블록으로의 접근 요청이 리딩 워드 라인에 대응하면, 상기 리딩 워드 라인에 연결된 메모리 셀들은 디폴트 프로그램 모드로 프로그램하도록 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하고, 상기 접근 요청이 팔로잉 워드 라인에 대응하면, 상기 팔로잉 워드 라인에 연결된 메모리 셀들은 최적 프로그램 모드로 프로그램하도록 상기 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 워드 라인 모니터; 그리고상기 디폴트 프로그램 모드의 실행에 따라 제공되는 프로그램 결과 정보로부터 상기 최적 프로그램 모드를 위한 최적 프로그램 파라미터를 생성하는 최적 파라미터 매니저를 포함하는 스토리지 장치
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제 15 항에 있어서, 상기 워드 라인 모니터는 상기 메모리 블록에 포함되는 복수의 워드 라인들 중에서 프로그램 시퀀스에 따라 최초로 선택되는 워드 라인을 상기 리딩 워드 라인으로 할당하는 스토리지 장치
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제 15 항에 있어서, 상기 워드 라인 모니터는 상기 복수의 반도체 레이어들 각각에 적어도 하나의 상기 리딩 워드 라인을 할당하는 스토리지 장치
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제 17 항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 접근 요청이 기준 액세스 속도보다 낮은 저속 액세스 모드에 대응하면 적어도 하나의 상기 리딩 워드 라인을 선택하고, 상기 접근 요청이 상기 기준 액세스 속도보다 같거나 높은 고속 액세스 모드에 대응하면 상기 팔로잉 워드 라인을 선택하는 스토리지 장치
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제 18 항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는 쓰기 버퍼를 더 포함하고,상기 워드 라인 모니터는 상기 쓰기 버퍼의 사용율에 따라 상기 쓰기 버퍼에 저장된 데이터를 상기 메모리 블록에 프로그램하는 플러시 동작을 수행하되, 상기 사용율이 기준치보다 낮은 경우, 상기 워드 라인 모니터는 상기 플러시 동작을 위해 적어도 하나의 상기 리딩 워드 라인을 선택하는 스토리지 장치
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제 19 항에 있어서, 상기 사용율이 기준치 이상인 경우, 상기 워드 라인 모니터는 상기 플러시 동작을 위해 상기 팔로잉 워드 라인을 선택하는 스토리지 장치
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제 15 항에 있어서, 상기 최적 파라미터 매니저는 상기 프로그램 결과 정보에 대응하는 상기 최적 프로그램 파라미터를 맵핑하는 파라미터 테이블을 더 포함하는 스토리지 장치
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