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특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질; 및상기 특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질 상에 형성된 점 결함(point defect);을 포함하는 것인,압전 물질
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제 1 항에 있어서,상기 점 결함은 상기 특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질의 특정 원자가 제거되어 형성된 것인, 압전 물질
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제 2 항에 있어서, 상기 점 결함은 상기 특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질의 전체 원자 중 1% 이상의 원자가 제거되거나, 다른 원자로 치환됨으로써 형성되는 것인, 압전 물질
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제 1 항에 있어서,상기 특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질은 상기 특정 방향 이외의 다른 방향에 대해서는 압전성이 발현되는 물질을 포함하는 것인, 압전 물질
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제 4 항에 있어서,상기 특정 방향 이외의 다른 방향으로는 압전성이 발현되는 물질의 결정 구조는 반전 대칭성이 있는 결정군을 포함하는 것인, 압전 물질
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제 1 항에 있어서,상기 압전 물질은 상기 점 결함에 의해 응력 구배(strain gradient)가 발생하는 것인, 압전 물질
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제 6 항에 있어서,상기 압전 물질은 상기 응력 구배에 의해 특정 방향에 대한 압전성, 또는 변전성(flexoelectricity)이 나타나는 것인, 압전 물질
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제 1 항에 있어서,상기 특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질의 상(phase)과 상기 압전 물질의 상(phase)은 동일한 것인, 압전 물질
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제 5 항에 있어서,상기 압전 물질 또는 상기 특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질은 표면 주름 정도에 비례하여 압전 분극의 세기가 증가하는 것인, 압전 물질
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제 3 항에 있어서,상기 점 결함은 공공(vacancy), 자기 침입형 원자(self-interstitial atom), 침입형 불순물 원자(interstitial impurity atom), 치환형 불순물 원자(substitutional impurity atom) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 결함을 포함하는 것인, 압전 물질
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특정 방향에 대해서 압전성이 발현되지 않는 물질 상에 점 결함을 형성하는 단계;를 포함하는 것인,압전 물질의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 압전 물질의 제조 방법은 압전성, 또는 변전성을 위한 구조체를 형성하는 단계를 포함하지 않는 것인, 압전 물질의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 점 결함을 형성하는 단계는 열처리, 가스 반응, 산화-환원 반응, 도핑, 및 이들의 조합들로 이루어진 공정을 포함하는 것인, 압전 물질의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 열처리는 100℃ 내지 900℃에서 수행되는 것인, 압전 물질의 제조 방법
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