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금(Au) 촉매 및 산화물로 이루어진 이중층 구조를 이용한 메틸벤젠 가스 센서 및 이를 제조하는 가스 센서 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021000363
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메틸벤젠을 검지하는 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 센서는, 상기 메틸벤젠에 감응하는 감응층과; 상기 감응층의 상면에 형성되는 금(Au)을 포함하는 촉매층을 포함한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 27/407 (2006.01.01) G01N 27/414 (2006.01.01) B01J 23/52 (2006.01.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/4075(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4143(2013.01) B01J 23/52(2013.01) B01J 2523/43(2013.01) B01J 2523/27(2013.01) B01J 2523/845(2013.01)
출원번호/일자 1020190083794 (2019.07.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0007395 (2021.01.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종흔 서울특별시 송파구
2 문영국 서울특별시 동대문구
3 정성용 전라북도 익산시 성당면
4 조영무 서울특별시 성북구
5 김준식 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
3 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0711354-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0141559-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0664899-22
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1262355-77
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1262373-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메틸벤젠을 검지하는 가스 센서에 있어서,상기 메틸벤젠에 감응하는 감응층과;상기 감응층의 상면에 형성되는 금(Au)을 포함하는 촉매층을 포함하는 가스 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 감응층은 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 또는 산화코발트(Co3O4)를 포함하는 가스 센서
3 3
제 1 항에 있어서,절연체 재질로 제공되는 절연체 기판과;상기 절연체 기판에 연결되는 전극을 더 포함하되,상기 감응층은 상기 절연체 기판 상에 제공되고,상기 전극은 상기 절연체 기판 및 상기 감응층의 사이에 제공되는 가스 센서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 감응층을 가열하는 히터를 더 포함하는 가스 센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 상기 감응층과 구분되어 상기 감응층의 최상면에만 형성되는 가스 센서
6 6
메틸벤젠을 검지하는 가스 센서를 제조하는 가스 센서 제조 방법에 있어서,주석(Sn) 전구체, 아연(Zn) 전구체 또는 코발트(Co) 전구체와 구연산을 포함하는 용액을 제조하는 용액 제조 단계와;상기 용액을 초음파 분무열분해를 통해 미분말로 형성하는 미분말 형성 단계와;상기 미분말을 이용하여 전극이 제공된 절연체 기판 상에 메틸벤젠에 감응하는 감응층을 형성하는 감응층 형성 단계와;상기 감응층 상에 금(Au)을 포함하는 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,감응층 형성 단계는,상기 미분말을 상기 절연체 기판 상에 도포하는 도포 단계와;상기 절연체 기판 상에 도포된 미분말을 건조시키는 건조 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 감응층 상에 형성된 상기 촉매층을 열처리하는 열처리 단계를 더 포함하는 가스 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.