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로우 해머 방지 회로, 로우 해머 방지 회로를 포함하는 메모리 모듈 및 이를 포함하는 메모리 시스템

  • 기술번호 : KST2021000861
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술에 의한 로우 해머 방지 회로는 리프레시 명령이 인가되는 경우 리프레시 명령에 대한 일반 리프레시 동작과 함께 추가로 수행할 추가 리프레시 동작 시 참조할 참조 주소를 제공하는 회로로서, 참조 주소로서 제공되었거나 제공될 예정인 로우 주소를 저장하는 히스토리 저장 회로; 액티브 명령에 대응하는 로우 주소를 저장하는 주소 저장 회로; 참조 주소로서 제공될 주소를 저장하는 참조 주소 저장 회로; 및 상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 상기 참조 주소로서 출력하는 제어 회로를 포함한다.
Int. CL G11C 11/406 (2006.01.01) G11C 11/408 (2006.01.01) G11C 11/4078 (2006.01.01) G06F 3/06 (2006.01.01)
CPC G11C 11/40603(2013.01) G11C 11/4085(2013.01) G11C 11/4078(2013.01) G06F 3/0659(2013.01)
출원번호/일자 1020190095516 (2019.08.06)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0016981 (2021.02.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이어진 경기도 수원시 팔달구
2 강인갑 서울특별시 강남구
3 안정호 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선종 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 *** (서초동, 서초현대타워아파트) ****(김선종 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2019-0804978-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리프레시 명령이 인가되는 경우 리프레시 명령에 대한 일반 리프레시 동작과 함께 추가로 수행할 추가 리프레시 동작 시 참조할 참조 주소를 제공하는 로우 해머 방지 회로로서,상기 참조 주소로서 제공되었거나 제공될 예정인 로우 주소를 저장하는 히스토리 저장 회로;액티브 명령에 대응하는 로우 주소를 저장하는 주소 저장 회로;상기 참조 주소로서 제공될 주소를 저장하는 참조 주소 저장 회로; 및상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 상기 참조 주소로서 출력하는 제어 회로를 포함하는 로우 해머 방지 회로
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 히스토리 저장 회로는 상기 로우 주소에 대응하는 액티브 카운트를 함께 저장하고,상기 제어 회로는 상기 액티브 명령에 대응하는 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있는 경우 상기 로우 주소를 상기 주소 저장 회로에 저장하고, 상기 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있다면 상기 로우 주소에 대응하는 액티브 카운트를 증가시키는 로우 해머 방지 회로
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제어 회로는 단위 시간이 경과하거나 상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 주소 저장 회로에서 임의의 주소를 선택하여 상기 참조 주소 저장 회로와 상기 히스토리 저장 회로에 저장하고, 상기 참조 주소 저장회로에 저장된 주소 중 하나를 선택하여 상기 참조 주소로서 출력하는 로우 해머 방지 회로
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 주소 저장 회로는 제 1 주소 저장 회로와 상기 제 2 주소 저장 회로를 포함하고,상기 제어 회로는 상기 액티브 명령에 대응하는 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있는 경우 상기 로우 주소를 상기 제 1 주소 저장 회로에 저장하는 로우 해머 방지 회로
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제어 회로는 단위 시간이 경과하거나 상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 제 1 주소 저장 회로에서 어느 하나의 주소를 선택하여 상기 제 2 주소 저장 회로에 저장하고, 상기 제 2 주소 저장 회로에서 임의의 주소를 선택하여 상기 참조 주소 저장 회로와 상기 히스토리 저장 회로에 저장하며, 상기 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 선택하여 상기 참조 주소로서 출력하는 로우 해머 방지 회로
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 제어 회로는 상기 제 1 주소 저장 회로에서 어느 하나의 주소를 선택한 후 상기 제 1 주소 저장 회로를 초기화하는 로우 해머 방지 회로
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 제어 회로는 상기 리프레시 명령이 인가된 경우 상기 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 선택하여 상기 참조 주소로서 출력하는 로우 해머 방지 회로
8 8
리프레시 명령이 인가되는 경우 리프레시 명령에 대한 일반 리프레시 동작과 함께 추가로 수행할 추가 리프레시 동작 시 참조할 참조 주소를 제공하는 로우 해머 방지 회로; 및상기 리프레시 명령과 상기 참조 주소를 수신하여 상기 일반 리프레시 동작과 상기 추가 리프레시 동작을 수행하는 메모리 칩을 포함하는 메모리 모듈
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 메모리 칩은 상기 추가 리프레시 동작 시 상기 참조 주소에 인접한 워드라인을 리프레시하는 메모리 모듈
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 로우 해머 방지 회로는상기 참조 주소로서 상기 메모리 칩에 제공되었거나 제공될 예정인 로우 주소를 저장하는 히스토리 저장 회로;액티브 명령에 대응하는 로우 주소를 저장하는 주소 저장 회로;상기 참조 주소로서 상기 메모리 칩에 제공될 참조 주소를 저장하는 참조 주소 저장 회로; 및상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 상기 참조 주소로서 출력하는 제어 회로를 포함하는 메모리 모듈
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 히스토리 저장 회로는 상기 로우 주소에 대응하는 액티브 카운트를 함께 저장하고,상기 제어 회로는 상기 액티브 명령에 대응하는 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있는 경우 상기 로우 주소를 상기 주소 저장 회로에 저장하고, 상기 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있다면 상기 로우 주소에 대응하는 액티브 카운트를 증가시키는 메모리 모듈
12 12
청구항 10에 있어서, 상기 제어 회로는 단위 시간이 경과하거나 상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 주소 저장 회로에서 임의의 주소를 선택하여 상기 참조 주소 저장 회로와 상기 히스토리 저장 회로에 저장하고, 상기 참조 주소 저장회로에 저장된 주소 중 하나를 선택하여 상기 참조 주소로서 출력하는 메모리 모듈
13 13
청구항 11에 있어서, 상기 주소 저장 회로는 제 1 주소 저장 회로와 상기 제 2 주소 저장 회로를 포함하고,상기 제어 회로는 상기 액티브 명령에 대응하는 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있는 경우 상기 로우 주소를 상기 제 1 주소 저장 회로에 저장하는 메모리 모듈
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 제어 회로는 단위 시간이 경과하거나 상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 제 1 주소 저장 회로에서 어느 하나의 주소를 선택하여 상기 제 2 주소 저장 회로에 저장하고, 상기 제 2 주소 저장 회로에서 임의의 주소를 선택하여 상기 참조 주소 저장 회로와 상기 히스토리 저장 회로에 저장하며, 상기 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 선택하여 상기 참조 주소로서 출력하는 메모리 모듈
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 제어 회로는 상기 제 1 주소 저장 회로에서 어느 하나의 주소를 선택한 후 상기 제 1 주소 저장 회로를 초기화하는 메모리 모듈
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 제어 회로는 상기 리프레시 명령이 인가된 경우 상기 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 선택하여 상기 참조 주소로서 출력하는 메모리 모듈
17 17
청구항 8에 있어서,메모리 컨트롤러에서 제공되는 명령 및 주소를 버퍼링하여 상기 메모리 칩에 제공하는 버퍼 칩을 더 포함하되, 상기 로우 해머 방지 회로는 상기 버퍼 칩 내부에 포함되는 메모리 모듈
18 18
명령 신호, 주소 신호를 출력하는 메모리 컨트롤러; 및상기 명령 신호 및 주소 신호에 따라 동작하여 데이터 신호를 상기 메모리 컨트롤러와 송수신하는 메모리 모듈을 포함하되, 상기 메모리 모듈은 리프레시 명령이 인가되는 경우 리프레시 명령에 대한 일반 리프레시 동작과 함께 추가로 수행할 추가 리프레시 동작 시 참조할 참조 주소를 제공하는 로우 해머 방지 회로; 및상기 리프레시 명령과 상기 참조 주소를 수신하여 상기 일반 리프레시 동작과 상기 추가 리프레시 동작을 수행하는 메모리 칩을 포함하는 메모리 시스템
19 19
청구항 18에 있어서, 상기 로우 해머 방지 회로는상기 참조 주소로서 상기 메모리 칩에 제공되었거나 제공될 예정인 로우 주소를 저장하는 히스토리 저장 회로;액티브 명령에 대응하는 로우 주소를 저장하는 주소 저장 회로;상기 참조 주소로서 상기 메모리 칩에 제공될 참조 주소를 저장하는 참조 주소 저장 회로; 및상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 참조 주소 저장 회로에 저장된 주소 중 하나를 상기 참조 주소로서 출력하는 제어 회로를 포함하는 메모리 시스템
20 20
청구항 20에 있어서, 상기 히스토리 저장 회로는 상기 로우 주소에 대응하는 액티브 카운트를 함께 저장하고,상기 제어 회로는 상기 액티브 명령에 대응하는 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있는 경우 상기 로우 주소를 상기 주소 저장 회로에 저장하고, 상기 로우 주소가 상기 히스토리 저장 회로에 저장되어 있다면 상기 로우 주소에 대응하는 액티브 카운트를 증가시키는 메모리 시스템
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청구항 20에 있어서, 상기 제어 회로는 단위 시간이 경과하거나 상기 리프레시 명령이 인가되는 경우 상기 주소 저장 회로에서 임의의 주소를 선택하여 상기 참조 주소 저장 회로와 상기 히스토리 저장 회로에 저장하고, 상기 참조 주소 저장회로에 저장된 주소 중 하나를 선택하여 상기 참조 주소로서 출력하는 메모리 시스템
22 22
청구항 18에 있어서, 상기 메모리 모듈은 상기 메모리 컨트롤러에서 제공되는 명령 및 주소를 버퍼링하여 상기 메모리 칩에 제공하는 버퍼 칩을 더 포함하되, 상기 로우 해머 방지 회로는 상기 버퍼 칩 내부에 포함되는 메모리 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.