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기판;상기 기판의 상면과 나란한 제1 방향으로 연장되며, 광 신호가 입력되는 시그널 및 로컬 입력 도파로;상기 시그널 입력 도파로와 연결되는 제1 광도파로 및 상기 제1 광도파로의 일측에서 상기 제1 방향과 나란하게 제공되는 트렌치를 포함하는 제1 광회로소자;상기 제1 광도파로와 연결되는 제2 광도파로, 상기 제2 광도파로를 가로지르는 슬릿 및 상기 슬릿에 삽입되는 파장판을 포함하는 제2 광회로소자; 및상기 제2 광회로소자와 연결되는 제3 광회로소자들을 포함하되,상기 제1 내지 제3 광회로소자들이 상기 기판에 단일 집적(monolithic)되는 코히어런트 광수신기
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제 1 항에 있어서,상기 트렌치 및 상기 슬릿은 동일한 공정으로 동시에 구현된 코히어런트 광수신기
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제 2 항에 있어서,상기 트렌치 및 상기 슬릿의 깊이는 상기 제1 광도파로의 두께 및 제2 광도파로의 두께보다 큰 코히어런트 광수신기
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제 3 항에 있어서,상기 트렌치 및 상기 슬릿의 깊이는 50μm 내지 500μm인 코히어런트 광수신기
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘을 포함하고,상기 제1 및 제2 광도파로들은 실리카(SiO2) 또는 실리콘나이트라이드(SiNx)를 포함하는 코히어런트 광수신기
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제 1 항에 있어서,상기 제1 광도파로는 제1 및 제2 분기 도파로들을 포함하되,상기 제1 및 제2 분기 도파로들은 서로 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 이격되고,상기 트렌치는 상기 제1 및 제2 분기 도파로들 사이의 중앙 트렌치 및 상기 제1 및 제2 분기 도파로들로부터 상기 제2 방향으로 이격되는 측면 트렌치들을 포함하는 코히어런트 광수신기
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7
제 6 항에 있어서,상기 측면 트렌치들은 상기 중앙 트렌치를 기준으로 대칭적인 코히어런트 광수신기
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제 6 항에 있어서,상기 제1 광회로소자는 상기 제1 및 제2 분기 도파로들과 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 중첩되는 가열 전극들을 더 포함하는 코히어런트 광수신기
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제 8 항에 있어서,상기 가열 전극들의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 제1 및 제2 분기 도파로들의 제2 방향으로의 폭보다 크거나 같은 코히어런트 광수신기
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제 1 항에 있어서,상기 슬릿은 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향 및 상기 제2 방향의 반대 방향으로 갈수록 상기 제1 방향으로의 폭이 커지는 제1 및 제2 측면 슬릿들 및 상기 제1 및 제2 측면 슬릿들 사이에서 상기 제2 광도파로와 수직하게 만나는 중앙 슬릿을 포함하되,상기 중앙 슬릿은 상기 제1 방향으로 일정한 제1 폭을 가지고,상기 파장판은 상기 제1 방향으로 제2 폭을 가지며,상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 큰 코히어런트 광수신기
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제 10 항에 있어서,상기 제1 폭은 8μm 내지 30μm이고,상기 제2 폭은 5μm 내지 20μm인 코히어런트 광수신기
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12
제 1 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 광회로소자들은 상기 제1 방향으로 순차적으로 제공되고,상기 제3 광회로소자들은 서로 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 이격되는 코히어런트 광수신기
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 광회로소자들은 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 서로 이격되되,상기 제1 광도파로와 상기 제2 광도파로의 교차점을 갖는 코히어런트 광수신기
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14
제 13 항에 있어서,상기 교차점에서 상기 제1 광도파로와 상기 제2 광도파로의 교차 각도는 35도 내지 90도인 코히어런트 광수신기
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15
제 1 항에 있어서,상기 파장판은 1/2λ 파장판(HWP) 또는 1/4λ 파장판(QWP)을 포함하는 코히어런트 광수신기
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기판을 제공하는 단계; 및상기 기판 상에 제1, 제2 및 제3 광회로소자들을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 광회로소자를 형성하는 것은, 제1 광도파로 및 상기 제1 광도파로 양측의 트렌치를 형성하는 것을 포함하고,상기 제2 광회로소자를 형성하는 것은, 제2 광도파로 및 상기 제2 광도파로를 가로지르는 슬릿을 형성하는 것과 상기 슬릿 내로 파장판을 삽입하는 것을 포함하되,상기 제1 광회로소자의 상기 트렌치 및 상기 제2 광회로소자의 상기 슬릿을 형성하는 것은 상기 기판 상에 광도파막을 형성하는 것, 및 상기 광도파막의 일부 및 상기 기판의 일부를 차례로 식각하는 것을 포함하되,상기 트렌치 및 상기 슬릿은 동시에 형성되는 코히어런트 광수신기의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 트렌치 및 상기 슬릿을 형성하는 것은 유도 결합 플라즈마 에칭(Induced Coupled Plasma etching) 및 심도 반응성 이온 식각(Deep Reactive Ion Etching) 중 적어도 어느 하나의 공정에 의해 수행되는 코히어런트 광수신기의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 제1 광도파로는 제1 및 제2 분기 도파로들을 포함하되,상기 트렌치는 상기 제1 및 제2 분기 도파로들 사이의 중앙 트렌치 및 상기 제1 및 제2 분기 도파로들 외측면의 측면 트렌치들을 포함하고,상기 측면 트렌치들은 상기 중앙 트렌치를 기준으로 대칭적인 코히어런트 광수신기의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 슬릿은 상기 제2 광도파로와 수직하게 만나고,상기 파장판은 상기 제2 광도파로와 수직하도록 상기 슬릿에 삽입되는 코히어런트 광수신기의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 제1 광도파로 및 상기 제2 광도파로가 교차되는 교차점을 갖되,상기 교차점에서의 교차 각도는 35도 내지 90도인 코히어런트 광수신기의 제조 방법
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