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기판 상에 고분자를 포함하는 용액을 도포하여 고분자층을 형성하는 단계;상기 고분자층이 형성된 기판 상에 요철 패턴을 가지는 스탬프를 이용하여 음각부와 양각부를 포함하는 고분자 패턴을 형성하는 단계;상기 음각부를 통해 상기 기판이 노출되도록 상기 고분자 패턴의 음각부를 식각하는 단계;상기 고분자 패턴 상에 무기물 박막을 증착하는 단계;상기 무기물 박막이 증착된 고분자 패턴의 양각부 상에 상기 고분자 패턴의 직경보다 작은 직경을 가지는 미세 패턴을 형성하는 단계; 및열처리를 통해 상기 고분자 패턴을 제거하여 중공 반사체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 리플로우를 통한 중공 반사체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자는 PMMA, PBMA, PS, PET, PVC를 포함하는 열 가소성 고분자 또는 포토 레지스트(photoresist)를 포함하는 열 경화성 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 리플로우를 통한 중공 반사체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무기물 박막은 SiO2, Si3N4, TiO2, Al2O3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 리플로우를 통한 중공 반사체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 미세 패턴은 SiO2 또는 Al2O3을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 리플로우를 통한 중공 반사체의 제조방법
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제1 요철 패턴이 형성된 제1 몰드 상에 고분자를 포함하는 용액을 도포하여 고분자층을 형성하는 단계;상기 고분자층 상에 상기 제1 요철 패턴의 직경보다 작은 직경을 가지는 제2 요철 패턴이 형성된 제2 몰드를 위치시키는 단계;상기 제2 몰드와 접촉된 상기 고분자층으로부터 상기 제1 몰드를 제거하는 단계;상기 제1 몰드가 제거된 상기 제2 몰드와 접촉된 상기 고분자층을 기판 상에 위치시키는 단계; 및상기 기판 상에 위치한 상기 고분자층으로부터 상기 제2 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 패터닝을 통한 중공 반사체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 기판은 접착층을 더 포함하여 상기 제2 몰드와 접촉된 상기 고분자층이 상기 기판 상에 접착되는 것을 특징으로 하는 양면 패터닝을 통한 중공 반사체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 기판은 SiO2, Al2O3, PC, PVC, PET, PDMS 중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양면 패터닝을 통한 중공 반사체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 고분자는 PC, PVC, PET, PDMS 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 패터닝을 통한 중공 반사체의 제조방법
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기판;상기 기판 상에 형성되고, 음각부 및 양각부를 포함하는 요철 패턴을 가지는 무기물 박막;상기 무기물 박막의 양각부 상에 형성된 미세 패턴; 및상기 기판과 상기 요철 패턴을 가지는 무기물 박막으로 둘러싸여 형성된 중공부를 포함하고,상기 미세 패턴의 직경은 상기 무기물 박막의 요철 패턴의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 고분자 리플로우를 통해 제조된 중공 반사체
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기판;상기 기판 상에 형성된 접착층;상기 접착층 상에 형성되어, 하부에 제1 요철 패턴 및 상부에 제2 요철 패턴을 포함하는 고분자층; 및상기 기판과 상기 고분자층에 의해 둘러싸여 형성된 중공부를 포함하며,상기 제1 요철 패턴의 직경은 상기 제2 요철 패턴의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 양면 패터닝을 통해 제조된 중공 반사체
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