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나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법으로서,나노몰드 상에 텅스텐옥사이드 전구체 박막을 형성하는 제1 단계; 기판 상에 접착층을 형성하는 제2 단계; 및 상기 나노몰드 상에 형성된 전구체 박막을 상기 접착층이 형성된 기판 상에 전사하는 제3 단계를 포함하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 접착층의 두께는 50nm ~ 500nm인 것을 특징으로 하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 접착층의 조성은 폴리비닐알콜(PVA) 6~25%, 과산화수소 1
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제 1 항에 있어서, 상기 접착층은 기판과 기판 상에 형성될 나노구조 텅스텐옥사이드 박막, 또는 기판 상에 형성된 텅스텐옥사이드 박막과 기판 상에 형성될 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 단계는, 텅스텐옥사이드를 포함하는 전구체 레진을 준비하는 단계; 나노구조가 각인된 나노몰드를 준비하는 단계; 및 상기 나노몰드에 상기 전구체 레진을 도포하는 단계를 포함하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 텅스텐옥사이드를 포함하는 전구체 레진은 솔벤트(solvent) 함량이 95%이하인 것을 특징으로 하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 텅스텐옥사이드를 포함하는 전구체 레진은 텅스텐옥사이드(H2WO4) 2~30%, 폴리비닐알콜(PVA) 1~10%를 포함하는 과산화수소 용액인 것을 특징으로 하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법은, 상기 나노몰드를 분리하는 제4 단계; 및 소결하는 제5 단계를 더 포함하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법은,상기 제1 단계 내지 제5 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막 제조방법
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나노구조 텅스텐옥사이드 박막으로서, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조되는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막
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제 10 항에 있어서, 상기 나노구조 텅스텐옥사이드 박막은 헥사홀 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막
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제 10 항에 있어서, 상기 나노구조 텅스텐옥사이드 박막은 모노클리닉(monoclinic) 결정구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노구조 텅스텐옥사이드 박막
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