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기판;상기 기판의 일면에, 서로 이격 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함한 전극부; 및표면 리간드가 무기 리간드로 치환된 은 나노입자로 이루어지고, 상기 기판의 일면에, 일단은 상기 제1 전극에, 타단은 상기 제2 전극에 연결되는 박막 형태로 형성되어, 변형(strain)에 의해 전기저항이 변하는 감지부; 를 포함하는 스트레인 센서
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제1항에 있어서,상기 표면 리간드는 트리옥틸포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드, 올레산, 올레일아민(Oleylamine) 또는 이들의 조합을 포함하는 스트레인 센서
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제1항에 있어서,상기 무기 리간드는 n-테트라부틸암모늄 클로라이드, n-테트라부틸암모늄 브로마이드, n-테트라부틸암모늄 아이오다이드 또는 이들의 조합을 포함하는 스트레인 센서
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제1항에 있어서,은 나노입자의 표면 리간드가 무기 리간드로 치환됨으로써 감지부의 크랙(crack) 밀도가 증가하거나, 은 나노입자의 평균 입경이 증가한 스트레인 센서
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제4항에 있어서,상기 무기 리간드로 치환된 은 나노입자의 평균 입경이 20 내지 40 nm인 스트레인 센서
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제1항에 있어서,상기 전극부는 표면 리간드가 무기 리간드로 치환된 은 나노입자로 이루어진 박막 형태인 것인 스트레인 센서
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제6항에 있어서,상기 전극부는 감지부에 비해 크랙 밀도가 더 작거나, 무기 리간드로 치환된 은 나노입자의 평균 입경이 더 작은 스트레인 센서
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제7항에 있어서,상기 전극부에 포함된 무기 리간드로 치환된 은 나노입자의 평균 입경이 20 내지 40 nm인 스트레인 센서
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제1항에 있어서,상기 감지부의 게이지 팩터(Gauge factor)가 40 이상인 스트레인 센서
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기판의 일면에 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극부를 형성하는 단계;상기 전극부가 형성된 상기 기판의 일면에, 일단이 상기 제1 전극에 연결되고, 타단이 상기 제2 전극에 연결되도록, 표면 리간드를 갖는 은 나노입자를 코팅하여 박막 형태의 메탈 포일(Metal foil)을 형성하는 단계; 및무기 리간드가 분산된 용액을 상기 메탈 포일에 접촉하여, 상기 은 나노입자의 표면 리간드를 상기 무기 리간드로 치환시켜, 변형에 의해 전기저항이 변하는 감지부를 형성하는 단계; 를 포함하는 스트레인 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 표면 리간드는 트리옥틸포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드, 올레산, 올레일아민 또는 이들의 조합을 포함하는 스트레인 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 무기 리간드는 n-테트라부틸암모늄 클로라이드, n-테트라부틸암모늄 브로마이드, n-테트라부틸암모늄 아이오다이드 또는 이들의 조합을 포함하는 스트레인 센서 제조방법
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제10항에 있어서,은 나노입자의 표면 리간드를 상기 무기 리간드로 치환시켜 감지부의 크랙 밀도를 증가시키거나, 은 나노입자의 평균 입경을 증가시키는 것인 스트레인 센서 제조방법
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제13항에 있어서,상기 무기 리간드로 치환된 은 나노입자의 평균 입경이 20 내지 40 nm인 스트레인 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 무기 리간드는 n-테트라부틸암모늄 아이오다이드이고,상기 무기 리간드가 분산된 용액을 2 내지 60 초 동안 상기 메탈 포일에 접촉시키는 것인 스트레인 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전극부 형성 단계는,기판의 일면에 서로 이격되도록 표면 리간드를 갖는 은 나노입자를 코팅하여 박막 형태의 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및무기 리간드가 분산된 용액을 상기 제1 전극 및 제2 전극에 접촉하여, 상기 은 나노입자의 표면 리간드가 상기 무기 리간드로 치환된 전극부를 형성하는 단계; 를 포함하는 스트레인 센서 제조방법
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제16항에 있어서,상기 전극부는 감지부에 비해 크랙 밀도가 더 작거나, 무기 리간드로 치환된 나노입자의 평균 입경이 더 작은 것인 스트레인 센서 제조방법
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제17항에 있어서,상기 전극부에 포함된 무기 리간드로 치환된 은 나노입자의 평균 입경이 20 내지 40 nm인 스트레인 센서 제조방법
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제16항에 있어서,상기 무기 리간드는 n-테트라부틸암모늄 클로라이드이고,상기 무기 리간드가 분산된 용액을 60 초 이상 상기 제1 전극 및 제2 전극에 접촉시키는 것인 스트레인 센서 제조방법
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