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스트레인 센서의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 스트레인 센서

  • 기술번호 : KST2020003559
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스트레인 센서의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 스트레인 센서를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 스트레인 센서의 제조 방법은 유연한 절연성 기판 상에 제1 표면 리간드를 포함하는 금속 나노 입자를 코팅하여 감지부 영역 및 전극부 영역을 포함하는 금속 나노 입자 박막을 형성하는 단계; 상기 금속 나노 입자 박막의 감지부 영역 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴이 형성된 금속 나노 입자 박막을 제2 표면 리간드가 분산된 리간드 치환 용액에 접촉시키는 제1 치환 단계; 상기 금속 나노 입자 박막의 감지부 영역 상에 형성된 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 마스크 패턴이 제거된 상기 금속 나노 입자 박막을 상기 제2 표면 리간드가 분산된 리간드 치환 용액에 접촉시켜 감지부 및 전극부를 형성하는 제2 치환 단계;를 포함하고, 상기 제2 표면 리간드는 상기 제1 표면 리간드 대비 리간드 길이가 짧은 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01L 1/22 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) B05D 1/00 (2006.01.01) B05D 7/24 (2006.01.01) B22F 1/00 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC G01L 1/22(2013.01) G01L 1/22(2013.01) G01L 1/22(2013.01) G01L 1/22(2013.01) G01L 1/22(2013.01) G01L 1/22(2013.01) G01L 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020190016128 (2019.02.12)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2094134-0000 (2020.03.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.12)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오승주 서울특별시 중구 청구로
2 이승욱 서울특별시 동대문구
3 이우석 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0146692-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2019-0041315-95
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
5 등록결정서
Decision to grant
2020.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0153380-08
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번호 청구항
1 1
유연한 절연성 기판 상에 제1 표면 리간드를 포함하는 금속 나노 입자를 코팅하여 감지부 영역 및 전극부 영역을 포함하는 금속 나노 입자 박막을 형성하는 단계;상기 금속 나노 입자 박막의 감지부 영역 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴이 형성된 금속 나노 입자 박막을 제2 표면 리간드가 분산된 리간드 치환 용액에 접촉시키는 제1 치환 단계;상기 금속 나노 입자 박막의 감지부 영역 상에 형성된 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및상기 마스크 패턴이 제거된 상기 금속 나노 입자 박막을 상기 제2 표면 리간드가 분산된 리간드 치환 용액에 접촉시켜 감지부 및 전극부를 형성하는 제2 치환 단계;를 포함하고,상기 제2 표면 리간드는 상기 제1 표면 리간드 대비 리간드 길이가 짧은 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 감지부는 상기 제1 표면 리간드 및 상기 제2 표면 리간드를 포함하는 금속 나노 입자로 이루어져 금속-절연체 전이(metal-insulating transition) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 표면 리간드는 제1 유기 리간드를 포함하고,상기 제2 표면 리간드는 제2 유기 리간드 및 무기 리간드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 유기 리간드는 8개 내지 18개의 탄소 사슬을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 제1 유기 리간드는 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine), 트리옥틸포스핀 산화물(trioctylphosphine oxide), 올레산(Oleic acid) 및 올레일아민(Oleylamine) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 제2 유기 리간드는 1개 내지 3개의 탄소 사슬을 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
7 7
제3항에 있어서, 상기 제2 유기 리간드는 3-메르캅토프로피온산(3-mercaptopropionic acid, MPA) 및 1,2-에테인다이티올(1,2-ethanedithiol, EDT) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
8 8
제3항에 있어서, 상기 무기 리간드는 염화 암모늄(NH4Cl), 테트라-n-부틸 암모늄브로마이드(tetra-n-butyl ammonium bromide, TBAB), 및 티오시안산 암모늄(NH4SCN) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 감지부는 내부에 크랙(crack)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제1 치환 단계는,공정 시간이 25초 내지 45초인 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 제2 치환 단계는,공정 시간이 5초 내지 15초인 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 전극부는 상기 제1 치환 단계 및 상기 제2 치환 단계에서 상기 금속 나노 입자의 제1 표면 리간드가 상기 제2 표면 리간드로 치환되고,상기 감지부는 상기 제2 치환 단계에서 상기 금속 나노 입자의 제1 표면 리간드가 부분적으로 제2 표면 리간드로 치환되는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 감지부에 포함되는 상기 제1 표면 리간드와 상기 제2 표면 리간드의 비는 33:67 내지 10:90인 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 리간드 치환 용액의 농도는 1mM 내지 5mM인 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 전극부 영역은 상기 감지부 영역의 일단에 형성된 제1 전극 영역 및 상기 감지부 영역의 타단에 형성된 제2 전극 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 금속 나노 입자는 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe) 및 팔라듐(Pd) 중 어느 하나로 이루어진 단일 나노 입자 또는 합금 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서의 제조 방법
17 17
유연한 절연성 기판;상기 유연한 절연성 기판 상에 형성되고, 제1 표면 리간드 및 제2 표면 리간드를 포함하는 금속 나노 입자로 이루어져 금속-절연체 전이(metal-insulating transition) 구조를 갖는 감지부; 및상기 감지부의 일단 및 타단에 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 상기 제2 표면 리간드를 포함하는 금속 나노 입자로 이루어진 전극부를 포함하고,상기 제2 표면 리간드는 상기 제1 표면 리간드 대비 리간드 길이가 짧은 것을 특징으로 하는 스트레인 센서
18 18
제17항에 있어서, 상기 감지부에 포함되는 상기 제1 표면 리간드와 상기 제2 표면 리간드의 비는 33:67 내지 10:90인 것을 특징으로 하는 스트레인 센서
19 19
제17항에 있어서, 상기 감지부는 내부에 크랙(crack)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 신진연구자지원-신진연구 자기조립 기반 나노결정 초격자를 이용한 신축성 반도체 나노소재 개발