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하부 전극;상기 하부 전극과 마주하여 배치되는 상부 전극;상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 양자점 발광층;상기 하부 전극과 상기 양자점 발광층 사이의 전자이동층; 및상기 상부 전극과 상기 양자점 발광층 사이의 정공이동층을 포함하고,상기 양자점 발광층은, 양자점, 및 상기 양자점의 표면 상의 제1 리간드 및 제2 리간드를 포함하며,상기 제1 리간드는 상기 전자이동층에 인접하고,상기 제1 리간드는 사슬 구조의 유기 화합물이고,상기 제2 리간드는 상기 정공이동층에 인접하고,상기 제2 리간드는 고리 구조의 유기 화합물이며,상기 제2 리간드의 길이는, 상기 제1 리간드의 길이보다 작은 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 리간드는 피리딘인 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 양자점 발광층은 양자점들이 적층된 다층 구조를 가지는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 리간드는 상기 양자점 발광층 및 정공이동층 계면에 배치되는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 양자점은 II-VI 족, III-V 족 또는 I-III-VI 족의 나노 반도체 화합물을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔루라이드(CdTe), 징크설파이드(ZnS), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔루라이드(ZnTe), 인듐포스파이드(InP), 인듐아세나이드(InAs), 카파인듐설파이드(CuInS2), 카파인듐셀레나이드(CuInSe2) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전자이동층은 산화아연(ZnO), 이산화티타늄(TiO2), 삼산화텅스텐(WO3) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 소자
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8
제1항에 있어서,상기 정공이동층은 TFB(Poly(9,9-dioctylfluorene-alt-N-(4-sec-butylphenyl)-diphenylamine)), TCTA(4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine), NPB(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine), Poly-TPD(Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bisphenylbenzidine]), CBP(4,4′-Bis(9-carbazolyl)-1,1′-biphenyl) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 소자
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9
제1항에 있어서,상기 정공이동층과 상기 상부 전극 사이의 정공주입층을 포함하고,상기 정공주입층은 MoO3, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene sulfonate) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 소자
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하부 전극 상에 전자이동층을 형성하는 단계;표면에 제1 리간드들이 결합된 양자점을 합성하는 단계;합성된 상기 양자점을 상기 전자이동층 상에 제공하여 양자점 발광층을 형성하는 단계;상기 양자점 발광층의 상기 양자점의 상기 제1 리간드들 중 적어도 하나를 제2 리간드로 치환하는 단계;상기 양자점 발광층 상에 정공이동층을 형성하는 단계; 및상기 정공이동층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 정공이동층과 상기 상부 전극 사이에 정공주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1 리간드는 사슬 구조의 유기 화합물이고,상기 제2 리간드는 고리 구조의 유기 화합물이며,상기 제2 리간드의 길이는, 상기 제1 리간드의 길이보다 작은 발광 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2 리간드는 피리딘인 발광 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 양자점 발광층은 양자점들이 적층된 다층 구조를 가지는 발광 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2 리간드는 상기 양자점 발광층 및 정공이동층 계면에 배치되는 발광 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 양자점 발광층의 리간드를 치환하는 단계는 스핀 코팅 공정, 스프레이 코팅 공정, 바 코팅 공정 또는 담지(dipping) 공정을 통해 수행되는 발광 소자의 제조방법
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