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절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021001640
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조에 관한 것이고, 절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조를 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 반사방지 또는 소자 보호 및 고효율 달성을 위해 형성한 절연막을 절연파괴 전압을 이용하여 선택적으로 투과시켜 접촉전극을 형성하는 방법으로 적은 에너지만으로 전극의 접촉특성을 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/02 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/02002(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/032(2013.01)
출원번호/일자 1020190106671 (2019.08.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0026210 (2021.03.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 서울특별시 서초구
2 조은철 경기도 용인시 기흥구
3 주민규 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0891337-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0189601-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0863673-89
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0162441-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0162444-20
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번호 청구항
1 1
제 1 도전성 타입으로 이루어진 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 반도체 기판 상에 위치하고 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입으로 이루어진 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층 상에 위치하는 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전극과 상기 에미터층 사이에 전기적 에너지를 인가하여 상기 절연막의 절연 파괴를 유도시켜 전도성 필라멘트를 형성함으로써 전극 접촉을 이루는 것을 특징으로 하는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전극과 상기 에미터층 사이에 전기적 에너지를 인가하여 상기 절연막의 절연 파괴를 유도시켜 전도성 필라멘트를 형성함으로써 전극 접촉을 이루는 것은,상기 절연막 상에 상기 전극이 형성되는 길이 방향을 따라 도트 전극을 인쇄하는 단계;상기 도트 전극을 인쇄하면서 상기 도트 전극과 상기 에미터층 사이에 전기적 에너지를 인가하는 단계; 및상기 도트 전극과 상기 에미터층 사이의 상기 절연막 내부에 전도성 필라멘트가 형성되는 단계를 포함하는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조의 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 도트 전극을 인쇄하는 단계는,롤투롤 방식, 잉크젯 방식 또는 스크린 프린팅 방식으로 수행되는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조의 형성 방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트가 형성되는 단계 이후,상기 도트 전극들 간의 연결을 위한 라인 전극을 인쇄하여 라인 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조의 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 전기적 에너지는 펄스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조의 형성 방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 형성된,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조
7 7
제 1 도전성 타입으로 이루어진 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 위치하고 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입으로 이루어진 에미터층;상기 에미터층 상에 위치하는 절연막; 및상기 절연막 상에 전극을 포함하고,상기 전극과 상기 에미터층 사이에 전기적 에너지의 인가에 의해 상기 절연막의 절연 파괴를 유도시켜 전도성 필라멘트를 형성함으로써 전극 접촉을 이루는 것을 특징으로 하는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조
8 8
제 7 항에 있어서,상기 전극과 상기 에미터층 사이에 전기적 에너지의 인가에 의해 상기 절연막의 절연 파괴를 유도시켜 전도성 필라멘트를 형성함으로써 전극 접촉을 이루는 것은,상기 절연막 상에 상기 전극이 형성되는 길이 방향을 따라 도트 전극을 인쇄하는 단계;상기 도트 전극을 인쇄하면서 상기 도트 전극과 상기 에미터층 사이에 전기적 에너지를 인가하는 단계; 및상기 도트 전극과 상기 에미터층 사이의 상기 절연막 내부에 전도성 필라멘트가 형성되는 단계를 포함하는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조
9 9
제 8 항에 있어서,상기 전도성 필라멘트가 형성되는 단계 이후,상기 도트 전극들 간의 연결을 위한 라인 전극을 인쇄하여 라인 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는,절연막을 가지는 태양전지의 전극 접촉 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 신재생에너지핵심기술개발(R&D) 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술개발
2 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 신재생에너지핵심기술개발(R&D) 태양광산업 원천기술 개발 및 중소·중견기업 경쟁력 제고를 위한 통합형기술개발 플랫폼 구축 및 운영