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클래딩 모드를 제거하는 광섬유에 있어서,광섬유의 중심에 위치하고, 입력단으로 입사된 빛을 출력단으로 전송하는 코어;상기 코어의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 코어의 외측을 둘러싸는 형태로 배치되는 제1 클래딩;상기 코어로부터 상기 제1 클래딩으로 빠져나온 빛을 제거하고, 상기 코어의 중심으로부터 기 설정된 간격을 두고 형성되며, 상기 제1 클래딩의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 제2 클래딩; 및상기 광섬유의 최외곽에 배치되며, 상기 제1 클래딩과 동일한 굴절률을 갖는 제3 클래딩을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유
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제1항에 있어서,상기 코어는,상기 광섬유 내 구성요소 중 가장 높을 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 광섬유
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제1항에 있어서,상기 제2 클래딩의 굴절률과 상기 제1 클래딩의 굴절률의 차는,0 이상 0
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제1항에 있어서,상기 제2 클래딩은,상기 제1 내지 제3 클래딩 두께의 5% 이상을 차지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 광섬유
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제1항에 있어서,기설정된 간격은,상기 코어의 중심으로부터 상기 제1 클래딩까지의 거리가 상기 코어 반경의 4배 이상인 것을 특징으로 하는 광섬유
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코어, 제1 클래딩, 제2 클래딩 및 제3 클래딩을 포함하고, 클래딩 모드를 제거하는 광섬유 제조과정에 있어서,상기 코어 및 제1 클래딩 영역을 포함하는 제1 광섬유 모재를 제조하는 제1 광섬유 모재 제조과정;제3 클래딩의 모재를 준비하는 준비과정;상기 제3 클래딩의 모재 내에 상기 제2 클래딩 영역을 형성하여, 제2 광섬유 모재를 제조하는 제2 광섬유 모재 제조과정;상기 제1 광섬유 모재의 외측에 상기 제2 광섬유 모재를 자켓팅(Jacketing)하는 자켓팅 과정; 및기 설정된 굵기로 광섬유를 인출하는 인출 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 클래딩 모드를 제거하는 광섬유 제조과정
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제6항에 있어서,상기 제1 및 제3 클래딩은,실리카 계열의 유리 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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제6항에 있어서,상기 제2 클래딩은,희토류 원소 또는 전이 금속이 도핑된 실리카 계열의 유리 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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제6항에 있어서,상기 증착공정은,MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition), PCVD(Plasma-activated Chemical Vapor Deposition), VAD(Vapor-phase Axial Deposition), OVD(Outside Vapor Deposition) 공정 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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제6항에 있어서,상기 제1 광섬유 모재 제조과정은,상기 코어 영역과 상기 제1 클래딩 영역의 비굴절률 차를 0
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제10항에 있어서,상기 코어 영역과 상기 제1 클래딩 영역은,단일모드로 구성되는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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제6항에 있어서,상기 제2 광섬유 모재 제조과정은,상기 제3 클래딩의 모재 내에 다공성 실리카 수트층을 형성하고, 상기 다공성 실리카 수트층으로 도핑 용액을 주입시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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코어, 제1 클래딩, 제2 클래딩 및 제3 클래딩을 포함하고, 클래딩 모드를 제거하는 광섬유 제조과정에 있어서,제3 클래딩 모재를 준비하는 준비과정;상기 제3 클래딩 모재 내에 제2 클래딩 영역을 형성하는 제2 클래딩 형성과정;상기 제2 클래딩 영역이 형성된 제2 광섬유 모재 내에 상기 제1 클래딩 및 코어를 형성하여, 제1 광섬유 모재를 제조하는 제1 광섬유 모재 제조과정; 및기 설정된 굵기로 광섬유를 인출하는 인출과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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제13항에 있어서,상기 제2 클래딩 형성과정은,상기 광섬유 모재의 외측에 다공성 실리카 수트층을 형성하고, 상기 다공성 실리카 수트층으로 도핑 용액을 주입시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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코어, 제1 클래딩, 제2 클래딩 및 제3 클래딩을 포함하고, 클래딩 모드를 제거하는 광섬유 제조과정에 있어서,상기 코어 및 제1 클래딩 영역을 포함하는 광섬유 모재를 제조하는 광섬유 모재 제조과정;상기 광섬유 모재 외측에 상기 제2 클래딩 영역을 형성하는 제2 클래딩 형성과정;상기 제2 클래딩 영역의 외측에 제3 클래딩 영역을 형성하는 제3 클래딩 형성과정; 및기 설정된 굵기로 광섬유를 인출하는 인출과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 클래딩 모드를 제거하는 광섬유 제조과정
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제15항에 있어서,상기 제2 클래딩 형성과정은,상기 광섬유 모재의 외측에 다공성 실리카 수트층을 형성하고, 상기 다공성 실리카 수트층으로 도핑 용액을 주입시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 제조과정
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