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평판형 광도파로 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200708
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평판형 광도파로 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 금속소재에 형성하고자 하는 코어의 도파로 패턴을 음각 형태로 하여 금속마스터를 형성하는 단계와, 금속마스터의 도파로 패턴에 코어 형성용 용액을 도포하는 단계와, 코어 형성용 용액 위에서 하부클래드 패널이 금속마스터의 중앙부분에서 가장자리방향으로 점진적으로 밀착 가압되게 하면서 코어 형성용 용액을 경화시켜 코어층을 하부클래드 패널 하부에 형성하는 단계와, 금속마스터를 코어층으로부터 분리하고, 노출된 코어층 상부에 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 평판형 광도파로 소자 제조방법에 의하면, 금속마스터를 이용함으로써 복제 사용 수명이 연장되고, 도파로 패턴의 복잡도와 관계없이 충진밀도가 일정한 코어층을 립발생이 억제되게 용이하게 형성할 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL G02B 6/02 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020120115300 (2012.10.17)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1310895-0000 (2013.09.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우진 대한민국 광주 북구
2 노병섭 대한민국 광주 북구
3 황성환 대한민국 광주 광산구
4 김명진 대한민국 광주 광산구
5 정은주 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0843398-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-2013-0069905-49
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0612210-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평판형 광도파로 소자의 제조방법에 있어서,가
2 2
제1항에 있어서, 상기 가 단계는 가-1
3 3
제1항에 있어서, 상기 다 단계는 다-1
4 4
제1항에 있어서, 상기 다 단계는 다-1
5 5
제1항에 있어서, 상기 다 단계는 다-1
6 6
제1항에 있어서, 상기 다 단계는 다-1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.