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이산화티타늄 나노막대의 성장방법

  • 기술번호 : KST2021002688
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 범용기판에 이산화티타늄 나노막대를 성장시키고, 동시에 분리하여 원하는 기판으로의 전사가 가능한 이산화티타늄의 배열 및 성장방법에 관한 것으로, 다양한 기판에 대하여 결함없이 TiO2 나노막대의 성장 및 전사공정이 가능한 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/16 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0328 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020190162796 (2019.12.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2221285-0000 (2021.02.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20210303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진섭 경기도 수원시 영통구
2 김도현 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-1269972-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0179086-55
4 등록결정서
Decision to grant		 2020.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0825419-18
5 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2021.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-5005601-48
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번호 청구항
1 1
베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판 상에 금속 버퍼층(metal buffer layer)을 형성하는 단계;상기 금속 버퍼층 상에 Ti 시드층(seedlayer)을 형성하는 단계;상기 Ti 시드층을 TiO2 나노막대(nanorod)로 성장시키면서 상기 금속 버퍼층을 제거시키는 단계;상기 성장된 TiO2 나노막대와 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 포함하는이산화티타늄 나노막대 성장방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드(SiC), 사파이어(Al2O3), 단결정 질화갈륨(GaN), Cu 또는 유리(Glass)인 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 버퍼층은 Ni, Al, Ti 또는 Cu 인 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 버퍼층의 두께는 50 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 버퍼층을 제거시키는 단계는, 산(acid) 처리를 통하여 수행하는 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판을 분리하는 단계는,상기 베이스 기판과 상기 성장된 TiO2 나노막대 층 사이에 분리기판을 삽입하여 상기 베이스 기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 분리기판은 PET(polyethylene terephthalate) 기판, PEN(polyethylene naphthalate) 기판, PEEK(poly ether ether keton) 기판 또는 PES(poly ether sulfone) 기판인 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판을 분리하는 단계는,상기 성장된 TiO2 나노막대를 수용성 용액으로 고정한 후 레이저(Laser)를 이용하여 상기 베이스 기판과 상기 성장된 TiO2 나노막대 층 사이를 분리하는 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 수용성 용액은 PVA(polyvinyl alcohol)인 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노막대 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부(2013Y) (재)한국연구재단 이공분야기초연구사업 / 이공학 개인기초연구지원사업 / 기본연구(1년~5년) 광전자 소자용 금속산화물 중공 나노구 단일층 응용에 관한 연구