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기판(10);상기 기판(10) 상에 형성되는 열전 소자(20);상기 열전 소자(20) 상에 형성되는 광흡수층(30);상기 광흡수층(30) 상에 형성되며, 상기 광흡수층(30)과 P-N 접합을 형성하는 버퍼층(40);상기 버퍼층(40) 상에 형성되는 제1 전극층(50); 및상기 열전 소자(20)와 상기 광흡수층(30) 사이에 형성되며, 다수의 관통 기둥(61a, 61b, 61c)을 갖는 제2 전극층(60);을 포함하는,열전 게이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 열전 소자(20)는,상기 기판(10) 상에 형성되며 서로에 대해 소정 간격 이격되는 다수의 전극(21a, 21b)을 포함하는 제3 전극층(21);상기 제3 전극층(21)의 다수의 전극(21a, 21b) 각각에 형성되는 반도체 기둥(22);상기 반도체 기둥(22) 상에 형성되는 제4 전극층(23);상기 제4 전극층(23) 상에 형성되는 제1 절연층(24);상기 제1 절연층(24) 상에 형성되는 제5 전극층(25); 및상기 제5 전극층(25) 상에 형성되는 제2 절연층(26);을 포함하는,열전 게이트 태양전지
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제2항에 있어서,상기 제3 전극층(21)과 상기 제5 전극(25)은 전기적으로 연결된,열전 게이트 태양전지
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제2항에 있어서,상기 반도체 기둥(22)은,P형 반도체 기둥(22a) 및 N형 반도체 기둥(22b)을 포함하며,상기 P형 반도체 기둥(22a) 및 상기 N형 반도체 기둥(22b)은 서로에 대해 소정 간격 이격되면서 상기 제3 전극층(21) 상에 교차 형성되는,열전 게이트 태양전지
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제4항에 있어서,상기 제3 전극층(21)에 포함된 다수의 전극(21a, 21b)은 서로에 대해 소정 간격 이격되면서 상기 기판(10) 상에 형성되며,상기 제4 전극층(23)에 포함된 다수의 전극(23a, 23b)은 서로에 대해 소정 간격 이격되면서 상기 반도체 기둥(22) 상에 형성되는,열전 게이트 태양전지
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제5항에 있어서,상기 제3 전극층(21)에 포함된 다수의 전극(21a, 21b)과 상기 제4 전극층(23)에 포함된 다수의 전극(23a, 23b)은 좌우 방향으로 일부 중첩되면서 배열되는,열전 게이트 태양전지
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7
제6항에 있어서,상기 기판(10)과 상기 제1 절연층(24) 사이의 빈 공간에는 제3 절연층(27)이 형성되는,열전 게이트 태양전지
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8
제7항에 있어서,상기 제1 전극층(50)은 가시광선 및 적외선 영역대의 파장을 투과시키는 재질로 이루어지고,상기 제2 전극층(60)은 적외선 영역대의 파장을 투과시키는 재질로 이루어진,열전 게이트 태양전지
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9
제8항에 있어서,상기 제3 전극층(21), 상기 제4 전극층(23) 및 상기 제5 전극층(25)은 적외선 영역대의 파장을 흡수하는 재질로 이루어진,열전 게이트 태양전지
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10
제2항에 있어서,상기 다수의 관통 기둥(61a, 61b, 61c)은 격자 배열을 갖는,열전 게이트 태양전지
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제7항에 있어서,상기 광흡수층(30)과 상기 버퍼층((40)은 각각 P형 반도체 또는 N형 반도체이되, 서로에 대해 반대 극성을 갖는 반도체인,열전 게이트 태양전지
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12
제10항에 있어서,상기 다수의 관통 기둥(61a, 61b, 61c)의 형상은 원 기둥, 타원 기둥 및 다각 기둥을 포함하는,열전 게이트 태양전지
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제10항에 있어서,상기 다수의 관통 기둥(61a, 61b, 61c)의 직경은 10nm 내지 10μm이고,상기 격자 배열에서 어느 하나의 격자와, 상기 어느 하나의 격자와 인접한 격자 사이의 간격은 10nm 내지 10μm인,열전 게이트 태양전지
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제10항에 있어서,상기 제1 절연층(24)의 열전도성은 상기 제2 절연층(26)의 열전도성보다 높은,열전 게이트 태양전지
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제10항에 있어서,상기 제3 전극층(21) 상에 형성되는 상기 P형 반도체 기둥(22a) 및 상기 N형 반도체 기둥은(22b) PbTe, alkali-doped PbTe, Bi2Te3, AgSbSe2, AgSbTe2, AgPbxSbTex+18, SiGe, BiCuSe, Cu1
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