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제1 전극층;제2 전극층;상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 사이에 위치하는 절연층; 및상기 제1 전극층과 상기 절연층의 사이, 또는 상기 절연층과 상기 제2 전극층의 사이에 위치하며, 도핑이 제어 가능한 이차원 자성체층;을 포함하는 스핀 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극층, 상기 제2 전극층 및 상기 절연층은 각각 이차원 구조를 갖고, 상기 제1 전극층, 상기 제2 전극층, 상기 절연층 및 상기 자성체층의 면(plane)들은 서로 평행한 것을 특징으로 하는 스핀 소자
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제2항에 있어서,상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 그래핀인 것을 특징으로 하는 스핀 소자
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제2항에 있어서,상기 절연층은, hBN(hexagonal Boron Nitride)인 것을 특징으로 하는 스핀 소자
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제1항에 있어서,상기 자성체층은 상기 자성체층의 자성을 결정하는 원소에 대해 홀 도핑함으로써 상기 자성체층의 자성을 결정하는 원소에 결핍(deficiency)이 발생한 것을 특징으로 하는 스핀 소자
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제1항에 있어서,상기 자성체층은, CrI3, Cr2(Si, Ge)2Te6, MSe2 (단, M은 V 또는 Mn) 및 Fe3GeTe2 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 스핀 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 사이에는 전압이 인가되며, 상기 전압에 의해 발생한 전기장에 의해 상기 자성체층의 자기이방성이 감소되는 것을 특징으로 하는 스핀 소자
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전압이 인가되는 제1 전극층 및 제2 전극층;상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 사이에 위치하는 절연층; 및상기 제1 전극층과 상기 절연층의 사이 또는 상기 절연층과 상기 제2 전극층의 사이에 위치하며, 상기 전압에 의해 발생한 전기장에 의해 자기이방성이 감소되는 이차원 자성체층;을 포함하는 스핀 소자
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이차원 구조를 갖는 제1 전극층;이차원 구조를 갖는 제2 전극층;상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 사이에 위치하며, 이차원 구조를 갖는 절연층; 및상기 제1 전극층과 상기 절연층의 사이 또는 상기 절연층과 상기 제2 금속층의 사이에 위치하는 이차원 자성체층;을 포함하고,상기 제1 전극층, 상기 제2 전극층, 상기 절연층 및 상기 자성체층의 면들은 서로 평행하게 배열되어 계면에서 이종접합을 형성하는 스핀 소자
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