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nm 오더 두께를 갖는 초박막의 두께 산출시 보정을 위해 사용되는 그래프형 보정기준으로,측정하고자 하는 초박막을 포함하는 기준 샘플을 대상으로 하되, 기준 샘플 내 초박막의 두께를 달리하며 두께를 측정한 측정값들에 기반하며,상기 측정값은 길이 단위 소급성을 갖는 제1두께측정법을 이용한 제1측정값과 오프셋 소급성을 갖는 제2두께측정법을 이용한 제2측정값을 포함하고,상기 제1측정값을 y축 값으로 갖고 상기 제2측정값을 x축 값으로 갖는 포인트(point)들을 선형 피팅(linear fitting)하여 얻어진, 기울기 m과 y축 절편값 c를 갖는 상호보정용 1차 그래프를 포함하는 그래프형 보정기준
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제 1항에 있어서,상기 제1두께측정법은 고분해능 투과전자현미경(HR-TEM)을 이용한 두께측정법이며, 상기 제2두께측정법은 중에너지이온산란분광법(MEIS)을 이용한 두께측정법인 그래프형 보정기준
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nm 오더 두께를 갖는 초박막의 두께 산출 방법으로,a) 초박막의 두께를 달리하며, 길이 단위 소급성을 갖는 제1두께측정법으로 초박막 샘플의 두께를 측정하여 제1측정값을 얻고, 이와 독립적으로 오프셋 소급성을 갖는 제2두께측정법으로 초박막 샘플의 두께를 측정하여 제2측정값을 얻는 단계;b) 상기 제1두께측정법의 두께를 y축으로, 상기 제2두께측정법의 두께를 x축으로 하고, 상기 두께를 달리한 초박막 별 제1측정값과 제2측정값으로 특정되는 포인트(point)들을 선형 피팅(linear fitting)하여 기울기 m과 y축 절편값 c를 갖는 상호보정용 그래프를 얻는 단계; 및c) 제1측정값에서 절편값 c를 뺀 보정된 제1두께를 얻고, 제2측정값에 기울기 m을 곱하여 보정된 제2두께를 얻고, 보정된 제1두께와 보정된 제2두께의 평균값을 산출하는 단계;를 포함하는 초박막의 두께 산출 방법
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제 3항에 있어서,상기 제1두께측정법은 고분해능 투과전자현미경(HR-TEM)을 이용한 두께측정법이며, 상기 제2두께측정법은 중에너지이온산란분광법(MEIS)을 이용한 두께측정법인 초박막의 두께 산출 방법
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제 4항에 있어서,상기 a) 단계의 초박막은 실리콘 단결정 기판 상 형성된 초박막의 두께 산출 방법
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제 5항에 있어서,상기 고분해능 투과전자현미경을 이용한 두께측정 시, 실리콘 단결정의 면간 거리를 기준으로 초박막의 두께를 측정하는 초박막의 두께 산출 방법
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제 5항에 있어서,상기 고분해능 투과전자현미경을 이용한 두께측정 시, 실리콘 단결정 기판과 초박막 적층체의 고분해능 투과전자현미경 수직 단면 이미지상, 실리콘 단결정 기재의 표면에 수직이 되도록 실리콘 단결정에서 초박막을 가로지르는 가상의 선에 대해 명암세기 분포를 얻고, 명암세기 분포에서 경계를 이루는 두 영역 각각의 평균 명암세기를 산출하고, 두 평균 명암세기의 중간 지점을 두 영역간의 계면의 위치로 하여, 초박막의 두께인 제1측정값이 산출되는 초박막의 두께 산출 방법
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제 5항에 있어서,중에너지이온산란분광법(MEIS)을 이용한 두께측정 시, 중에너지이온산란분광 스펙트럼 상 실리콘에 해당하는 에너지 구간에서 일정 구간의 신호 세기를 적분하여 기재 신호세기(IA)를 얻고, 동일 스펙트럼상 초박막 성분원소의 에너지 구간 전 영역에서의 신호 세기를 적분하여 박막 신호세기(IB)를 얻어, 제2측정값인 박막 신호세기(IB)/기재 신호세기(IA) 비율을 산출하는 초박막의 두께 산출 방법
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