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기판;상기 기판 위에 형성된 산화막;상기 산화막의 일부가 식각된 영역에 형성되는 공극;상기 산화막의 상부에 적층되어 상기 공극을 덮는 멤브레인;상기 식각된 영역에 적층되는 전하 포획층을 포함하고,상기 전하 포획층은,일부는 상기 공극의 내부에 삽입되고, 다른 일부는 상기 공극의 외부로 연장되어 상기 멤브레인에 덮이지 않아 상부가 개방되는 전극층을 포함하고,상기 공극은,상기 전극층 및 상기 멤브레인 위에 증착된 공극 밀폐 물질을 통해 고진공 상태로 밀폐하는, 초음파 트랜스듀서
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제1항에 있어서,상기 전하 포획층은,전하를 포획하는 포획 물질층;상기 포획 물질층 위에 적층된 절연층을 포함하고,상기 전극층은,상기 절연층 위에 적층되는, 초음파 트랜스듀서
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제1항에 있어서,상기 산화막은,상기 멤브레인을 지탱하는 제1 산화막; 및상기 제1 산화막보다 얇게 상기 식각된 영역에 형성되는 제2 산화막을 포함하는, 초음파 트랜스듀서
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제1항에 있어서,상기 멤브레인 위에 배치되는 구동 전극;상기 전극층 위에 배치되는 전하 포획층 연결 전극; 및상기 기판 위에 배치된 접지 전극을 더 포함하는, 초음파 트랜스듀서
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제2항에 있어서,상기 포획 물질층은,질화 규소 및 유전체 물질 중 적어도 하나로 구성된, 초음파 트랜스듀서
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제1항에 있어서,상기 기판은,고농도로 도핑된 실리콘 웨이퍼인, 초음파 트랜스튜서
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기판 상에 오목한 패턴을 포함하는 산화막을 형성하는 단계;상기 오목한 패턴 내에 전하 포획층을 적층하는 단계;상기 오목한 패턴이 형성된 영역 중 일부를 제외한 영역을 덮도록 상기 산화막 위에 멤브레인을 적층하는 단계;상기 오목한 패턴이 형성된 영역 중 상기 멤브레인이 덮인 영역을 밀폐시켜 공극을 형성하는 단계; 및상기 전하 포획층 및 상기 멤브레인 상에 전극을 배치하는 단계를 포함하고,상기 공극을 형성하는 단계는,고진공 상태에서 공극 밀폐 물질을 증착하여 상기 공극 내부를 고진공 상태로 밀폐하는 단계를 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 산화막을 형성하는 단계는,열산화 공정을 통해 상기 기판 상에 제1 산화막을 형성하는 단계;상기 제1 산화막을 식각하는 단계; 및열산화 공정을 통해 상기 기판 위 영역 중 제1 산화막이 식각된 영역에 제2 산화막을 형성하는 단계를 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 산화막은,상기 제1 산화막보다 얇은 두께로 형성되는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 전하 포획층을 적층하는 단계는,상기 오목한 패턴 위에 포획 물질층을 적층하는 단계;상기 포획 물질층 위에 절연층을 적층하는 단계; 및상기 절연층 위에 전극층을 적층하는 단계;를 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 포획 물질층을 적층하는 단계는,질화 규소 및 유전체 물질 중 적어도 하나를 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition(CVD)를 통해 적층하는 단계를 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 전극층을 적층하는 단계는,도핑된 폴리 실리콘을 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition(CVD)를 통해 적층하는 단계를 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 멤브레인을 적층하는 단계는,상기 전하 포획층이 집적된 상기 기판 상부에 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼를 본딩하는 단계; 및상기 SOI 웨이퍼를 식각하는 단계를 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 산화막을 식각하는 단계; 및식각된 영역에 드러난 상기 기판 위에 접지 전극을 패터닝하는 단계를 더 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
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제1항 내지 제3항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항의 초음파 트랜스듀서; 및상기 초음파 트랜스듀서를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 초음파 트랜스듀서 시스템
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제17항에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 초음파 트랜스듀서의 전하 포획층을 상기 초음파 트랜스듀서의 구동과 독립적으로 제어하는, 초음파 트랜스듀서 시스템
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