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광 전달층;상기 광 전달층 상에 위치하는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 위치하고, 광 흡수체를 포함하는 센서층;상기 센서층 상에 위치하는 상부 전극을 포함하고,상기 하부 전극과 상기 상부 전극에 전계(electric field)를 가하여 상기 센서층에 전류가 흐르고, 상기 광 전달층을 통해 광(light)이 상기 센서층으로 전달될 시 상기 전류의 변화와 관련된 에너지 밴드갭을 측정하며,상기 센서층의 두께에 따라 상기 측정된 에너지 밴드갭이 결정되는광검출기
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제1항에 있어서,상기 센서층의 두께가 30nm 내지 80nm 일시, 500nm 파장을 갖는 상기 광(light)에 대하여 2
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제1항에 있어서,상기 광 흡수체는, 전이금속 디칼코겐 화합물 또는 전이금속의 이종혼합물인 MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, MoTe2, Te2, ZrS2, ZrSe2 중 어느 하나를 이용하여 형성되는광검출기
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제3항에 있어서,상기 센서층의 두께는, 상기 전이금속 디칼코겐 화합물 또는 전이금속의 이종혼합물의 액상 박리에서 원심분리 속도에 따라 30nm 내지 80nm로 조절되는광검출기
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제1항에 있어서,상기 광 전달층은, 규소 기반의 물질인 유리 또는 쿼츠(quartz) 중 어느 하나와 투명 플라스틱 물질인 SAN(Styrene - Acrylonitrile copolymer), GPPS(general purpose polystyrene), PVC(Poly Vinyl Chloride), ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), PC(polycarbonate) 중 적어도 하나를 이용하여 형성되는광검출기
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제1항에 있어서,상기 광 전달층은, 폴리머(polymer) 기반의 유연 물질인 PET(polyethyleneterephthalate), PE(polyethylene), PS(polystyrene), PMMA(poly(methylmethacrylate)), PDMS(polydimethylsiloxane ) 중 적어도 하나를 이용하여 형성되는광검출기
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제1항에 있어서,상기 센서층은, PMMA(poly(methylmethacrylate)), PTFE(Polytetrafluoroethylene), PGMA(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate), PEG(Polyethylene glycol), PAN(polyacrylonitrile), PU(polyurethane), PVP(Polyvinylpyrrolidone), PES(Polyethersulfone), PAES(polyarylethersulfones) 중 적어도 하나를 이용하여 형성되는광검출기
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제1항에 있어서,상기 하부 전극은, 금속 산화물인 ITO, Al-doped ZnO (AZO), Ga-doped ZnO (GZO), In,Ga-doped ZnO (IGZO), Mg-doped ZnO (MZO), Mo-doped ZnO, Al-doped MgO, Ga-doped MgO, F-doped SnO2, Nb-doped TiO2, Ag 나노 와이어(nanowire), 고도전코팅제(PEDOT:PSS) 및 CuAlO2 중 적어도 하나를 이용하여 형성되는광검출기
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제8항에 있어서,상기 상부 전극은, 금속 물질인 Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd 또는 Pd 중 어느 하나를 이용하여 형성되는광검출기
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제9항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 상부 전극은, 그래핀(graphene), 산화 그래핀, 탄소나노튜브 또는 플러렌(C60) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는광검출기
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제9항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 상부 전극은, 다층 구조인 CuAlO2/Ag/CuAlO2, ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, TiO2/Ag/TiO2, ITO/Au/ITO, WO3/Ag/WO3 또는 MoO3/Ag/MoO3 중 어느 하나의 구조로 형성되는광검출기
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