| 1 |
1
무기 고분자 매트릭스; 및상기 무기 고분자 매트릭스 내에 내포된(embedded), 표면에 요철 구조의 나노패턴이 형성된 소수성의 기저 입자 및 소수성의 형광 나노입자;를 포함하는 형광 소재
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 소수성의 형광 나노입자의 적어도 일부가 상기 기저 입자 표면의 요철 구조의 오목한 부분에 배치되어 하이브리드 입자를 형성하는 형광 소재
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 기저 입자의 표면에 제1 소수성 작용기 또는 리간드를 포함하고, 상기 형광 나노입자의 표면에 제2 소수성 작용기 또는 리간드를 포함하며, 상기 기저 입자 표면의 제1 소수성 작용기 또는 리간드와 상기 형광 나노입자 표면의 제2 소수성 작용기 또는 소수성 리간드 사이에 물리적 결합이 형성된 것인 형광 소재
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 제1 소수성 작용기 또는 리간드 및 상기 제2 소수성 작용기 또는 리간드는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 탄화수소 사슬을 포함하는 형광 소재
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 기저 입자는 실리카, 알루미나, 또는 이들의 조합을 포함하는 형광 소재
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 기저 입자의 평균입경이 50 nm 내지 200 nm인 형광 소재
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 형광 나노입자는 페로브스카이트 나노결정, 반도체 나노결정, 무기 형광체, 형광 염료, 및 염료 도핑된 투명 금속 산화물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 형광 소재
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 형광 나노입자의 평균입경이 3 nm 내지 15 nm인 형광 소재
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 무기 고분자 매트릭스는 실리카, 알루미나, 또는 이들의 조합을 포함하는 형광 소재
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 형광 나노입자와 함께 Au, Ag, 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 나노입자를 더 포함하는 형광 소재
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 형광 소재가 분말 형태인 형광 소재
|
| 12 |
12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 형광 소재 및 고분자를 포함하는 형광 필름
|
| 13 |
13
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 형광 소재를 포함하는 발광소자
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 발광소자는 발광 다이오드(light-emitting diode), 발광 트랜지스터(light-emitting transistor), 레이저(laser) 및 편광(polarized) 발광 소자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 발광소자
|
| 15 |
15
표면에 요철 구조의 나노패턴이 형성된 소수성의 기저 입자를 포함하는 제1 용액 및 소수성의 형광 나노입자를 포함하는 제2 용액을 혼합한 혼합용액을 준비하는 단계;상기 혼합용액을 무기 고분자 매트릭스용 전구체를 포함하는 제3 용액과 혼합하는 단계; 및상기 혼합된 결과물을 경화시키는 단계;를 포함하는 제1항에 따른 형광 소재의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 제1 용액, 제2 용액 및 제3 용액은 모두 유기용매만을 사용한 것인 형광 소재의 제조방법
|
| 17 |
17
제15항에 있어서,상기 경화 단계는 대기 중에서 수행되는 형광 소재의 제조방법
|
| 18 |
18
제15항에 있어서,상기 경화 단계에서 얻은 결과물을 분쇄하는 단계를 더 포함하는 형광 소재의 제조방법
|
