1 |
1
코어(core) 및 쉘(shell)의 구조를 가지는 나노형광체로,상기 코어를 감싸는 상기 쉘은, 하기 화학식1로 표시되는 Ce3+과 Tb3+이 공부활된(co-doped) 불화물계 제1화합물을 포함하는 나노형광체
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 코어는 하기 화학식2로 표시되는 Yb3+와 Er3+로 공부활된 불화물계 제2화합물을 함유하는 나노입자를 포함하는 것인 나노형광체
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 나노형광체는 크기가 1 nm 내지 50 nm 인 것인 나노형광체
|
4 |
4
제2항에 있어서,상기 코어에 포함되는 나노입자는 육방정 구조를 포함하는 것인 나노형광체
|
5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 쉘에 포함되는 제1화합물은 결정질을 포함하는 것인 나노형광체
|
6 |
6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 코어는 1 nm 내지 30 nm인 것인 나노형광체
|
7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 나노형광체는 다운컨버젼(down-conversion) 및 업컨버젼(up-conversion) 발광 특성을 가지는 것인 나노형광체
|
8 |
8
(a) 가돌리늄 전구체, 세륨 전구체, 터븀 전구체 및 올레익산 염을 포함하는 제1용액을 제조하는 제1용액제조단계, (b) 상기 제1용액을 열처리하여 란탄족 착화합물을 포함하는 제2용액을 제조하는 착화합물형성단계, (c) 올레익산 및 1-옥타디센을 포함하는 제3용액과, 상기 제2용액을 포함하는 혼합물을 혼합하여 제4용액을 제조하고, 상기 제4용액을 나트륨 전구체 및 불소 전구체와 혼합하여 제1반응용액을 제조하는 제1반응용액제조단계, 그리고(d) 상기 제1반응용액을 열처리하여 하기 화학식1로 표시되는 제1화합물을 포함하는 나노형광체를 제조하는 형광체제조단계를 포함하는 나노형광체의 제조방법
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 (c) 제1반응용액제조단계에서 상기 제4용액은 코어에 포함되는 나노입자를 더 포함하고,상기 (d) 형광체제조단계에서 상기 나노입자를 포함하는 코어는 상기 제1화합물에 의하여 감싸여 나노형광체에 포함되는 것인 나노형광체의 제조방법
|
10 |
10
제9항에 있어서,상기 나노입자는 하기 화학식2로 표시되는 제2화합물을 포함하는 것으로, 상기 나노입자는 (e) 이트륨 전구체, 이터븀 전구체, 어븀 전구체, 올레익산 및 1-옥타디센을 포함하는 제5용액을 제조하는 제5용액제조단계,(f) 상기 제5용액을 가열하여 란탄족 착화합물을 포함하는 제6용액을 형성하는 착화합물형성단계,(g) 나트륨 전구체 및 불소 전구체를 포함하는 제7혼합용액과 상기 제6용액을 혼합하여 제2반응용액을 제조하는 제2반응용액제조단계, 그리고(h) 상기 제2반응용액을 열처리하여 하기 화학식2로 표시되는 Yb3+와 Er3+로 공부활된(co-doped) 불화물계 제2화합물의 나노입자를 형성하는 나노입자형성단계를 포함하는 나노입자의 제조방법에 의하여 제조된 것인 나노형광체의 제조방법
|
11 |
11
제8항에 있어서, 상기 (d) 나노형광체제조단계의 열처리는, 200 내지 370 ℃에서 이루어지는 것인 나노형광체의 제조방법
|
12 |
12
제8항에 있어서,상기 가돌리늄 전구체는 가돌리늄아세테이트 (Gd(CH3COO)3), 염화가돌리늄 (GdCl3), 염화가돌리늄 수화물 (GdCl3
|
13 |
13
제8항에 있어서,상기 제1용액은 Y, La, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 란탄족 전구체를 더 포함하는 것인 나노형광체의 제조방법
|
14 |
14
제1항에 의한 나노형광체를 포함하는 형광 또는 자기 공명 영상 조영제
|
15 |
15
제1항에 의한 나노형광체를 포함하는 적외선 센서
|
16 |
16
제1항에 의한 나노형광체를 포함하는 위조 방지 코드
|
17 |
17
제1항에 의한 나노형광체를 포함하는 태양전지
|