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결정질 실리콘 웨이퍼;상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 일면에 형성되는 페로브스카이트(perovskite) 물질을 포함하는 페로브스카이트 층;상기 페로브스카이트 층의 일면에 형성되고, 정공수송 물질을 포함하는 정공수송 층; 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 타면에 형성되는 제1 전극 층; 및상기 정공수송 층의 일면에 형성되며, 상기 제1 전극 층이 가지는 극성과는 다른 극성을 가지는 제2 전극 층;을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 층은, 페로브스카이트 물질을 초음파 스프레이를 이용하여 초음파로 분사하고, 상기 초음파 스프레이로부터 페로브스카이트 물질이 분사되는 경로의 양측에 배치되는 방전전극으로부터 발생되는 플라즈마에 의해 플라즈마 처리된 페로브스카이트 물질이 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 일면에 코팅되는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극 층은,상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 타면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 층;상기 진성 비정질 실리콘 층의 일면에 형성되는 제1 타입 비정질 실리콘 층; 상기 제1 타입 비정질 실리콘 층의 일면에 형성되는 제1 투명 전극 층; 및 상기 제1 투명 전극 층의 일면에 이격 배열되어 형성되는 제1 도전성 전극 층;을 더 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제3항에 있어서, 상기 제2 전극 층은,상기 정공수송 층의 일면에 형성되는 제2 투명 전극 층; 및상기 제2 투명 전극 층의 일면에 이격 배열되어 형성되는 제2 도전성 전극 층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 제1 투명 전극 층 및 상기 제2 투명 전극 층은, ZnO, ITO(indium-tin oxide) 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 층의 표면에 플라즈마 열 처리를 함에 따라 상기 페로브스카이트 층의 적어도 일 표면을 결정화시킴으로써, 상기 페로브스카이트 층과 상기 정공수송 층 사이에 형성되는 박막 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 표면에 친수성 및 소수성을 부여하기 위하여 플라즈마 스프레이 코팅을 함에 따라 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성되는 플라즈마 코팅 층;을 더 포함하고,상기 페로브스카이트 층은 상기 플라즈마 코팅 층의 일표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 층과 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 접합에 따른 밴드 갭은 1
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결정질 실리콘 웨이퍼;상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 일면에 형성되는 페로브스카이트(perovskite) 물질을 포함하는 페로브스카이트 층;상기 페로브스카이트 층의 일면에 형성되고, 전자수송 물질을 포함하는 전자수송 층; 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 타면에 형성되는 제1 전극 층; 및상기 정자수송 층의 일면에 형성되며, 상기 제1 전극 층이 가지는 극성과는 다른 극성을 가지는 제2 전극 층;을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제9항에 있어서,상기 페로브스카이트 층은, 페로브스카이트 물질을 초음파 스프레이를 이용하여 초음파로 분사하고, 상기 초음파 스프레이로부터 페로브스카이트 물질이 분사되는 경로의 양측에 배치되는 방전전극으로부터 발생되는 플라즈마에 의해 플라즈마 처리된 페로브스카이트 물질이 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 일면에 코팅되는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 제1 전극 층은, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 타면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 층; 상기 진성 비정질 실리콘 층의 일면에 형성되는 제1 타입 비정질 실리콘 층; 상기 제1 타입 비정질 실리콘 층의 일면에 형성되는 제1 투명 전극 층; 및 상기 제1 투명 전극 층의 일면에 이격 배열되어 형성되는 제1 도전성 전극 층;을 더 포함하고,상기 제2 전극 층은, 상기 정공수송 층의 일면에 형성되는 제2 투명 전극 층; 및 상기 제2 투명 전극 층의 일면에 이격 배열되어 형성되는 제2 도전성 전극 층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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제11항에 있어서, 상기 제1 투명 전극 층 및 상기 제2 투명 전극 층은, ZnO, ITO(indium-tin oxide) 또는 FTO(fluorine-dopedtin oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
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결정질 실리콘 웨이퍼의 일면에 원격 플라즈마 초음파 스프레이 공정을 이용하여 페로브스카이트(perovskite) 물질을 포함하는 페로브스카이트 층을 형성시키는 단계;상기 페로브스카이트 층의 일면에 정공수송 물질을 포함하는 정공수송 층 또는 전자수송 물질을 포함하는 전자수송 층을 형성시키는 단계; 및상기 정공수송 층 또는 상기 전자수송 층의 일면에 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 타면에 형성되는 제1 전극 층이 가지는 극성과는 다른 극성을 가지는 제2 전극 층을 형성시키는 단계;를 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 제2 전극 층을 형성시키는 단계는,상기 정공수송 층 또는 전자수송 층의 일면에 제2 투명 전극 층을 형성시키는 단계; 및상기 제2 투명 전극 층의 일면에 제2 도전성 전극 층을 이격 배열하여 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 페로브스카이트 층의 표면에 플라즈마 열 처리를 함에 따라 상기 페로브스카이트 층의 적어도 일 표면을 결정화시킴으로써, 상기 페로브스카이트 층과 상기 정공수송 층 또는 상기 전자수송 층 사이에 박막 층을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 타면에 형성되는 상기 제1 전극 층은,상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 타면에 형성되는 진성 비정질 실리콘 층;상기 진성 비정질 실리콘 층의 일면에 형성되는 제1 타입 비정질 실리콘 층; 상기 제1 타입 비정질 실리콘 층의 일면에 형성되는 제1 투명 전극 층; 및 상기 제1 투명 전극 층의 일면에 이격 배열되어 형성되는 제1 도전성 전극 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지 제조 방법
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