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금속 전구체 및 하기 구조식 1 로서 표시되는 합성 아미노 지방산을 용매에 용해시키는 단계;상기 금속 전구체가 환원되어 금속 나노 입자를 형성하는 단계; 및상기 금속 나노 입자 및 상기 합성 아미노 지방산의 자기 조립체를 형성함과 동시에 상기 자기 조립체가 상기 용매 내에서 부양하여 상기 용매의 표면에 위치하는 단계;를 포함하는,다공성 기체 투과막의 제조 방법 : [구조식 1];(구조식 1 에서,R1 은 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 헤테로아릴기임)
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제 1 항에 있어서,상기 자기 조립체는 상기 금속 나노 입자와 상기 합성 아미노 지방산이 네트워크 결합된 것인, 다공성 기체 투과막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 합성 아미노 지방산은 친수성 부분 및 소수성 부분을 모두 포함하는 것인, 다공성 기체 투과막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체 및 상기 합성 아미노 지방산의 몰비는 1 : 1 내지 1 : 5 인 것인, 다공성 기체 투과막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 자기 조립체의 내부에 기공 크기 조정을 위한 실란층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 다공성 기체 투과막의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 실란층을 형성하는 단계는 상기 금속 나노 입자 상에 하기 구조식 2 또는 하기 구조식 3 으로서 표시된 실란 전구체를 증착시키는 단계를 포함하는 것인, 다공성 기체 투과막의 제조 방법 : [구조식 2]SiR2R3R4R5;[구조식 3]R2OSiR3R4R5;(구조식 2 및 3 에서,R2 내지 R5 는 각각 독립적으로 F, Cl, Br, 또는 I 의 할로겐 원소, 수소, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 헤테로아릴기임)
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제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체가 환원되어 금속 나노 입자를 형성하는 단계는 20℃ 내지 50℃ 온도 범위에서 수행되는 것인, 다공성 기체 투과막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 Au, Pt, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 다공성 기체 투과막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 용매는 H2O, 메탄올, 에탄올, 암모니아, 무수아세트산, 아세톤, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 극성 용매를 포함하는 것인, 다공성 기체 투과막의 제조 방법
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금속 나노 입자 및 합성 아미노 지방산의 네트워크 결합에 의해 형성된 다공성 기체 투과막에 있어서, 상기 금속 나노 입자 상에 실란 화합물이 형성되어 있고, 상기 실란 화합물에 의해 상기 다공성 기체 투과막의 기공 크기가 조정되는 것인, 다공성 기체 투과막
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제 10 항에 있어서,상기 다공성 기체 투과막의 두께는 100 nm 내지 2,000 nm 인, 다공성 기체 투과막
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제 10 항에 있어서,상기 실란 화합물은 상기 금속 나노 입자 및 상기 합성 아미노 지방산과 결합된 것인, 다공성 기체 투과막
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제 10 항에 있어서,상기 다공성 기체 투과막은 상기 네트워크 결합된 상기 금속 나노 입자 및 상기 합성 아미노 지방산의 다층 구조를 포함하는 것인, 다공성 기체 투과막
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제 10 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Au, Pt, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 다공성 기체 투과막
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제 10 항에 있어서,상기 합성 아미노 지방산은 하기 구조식 1 로서 표시되는 것인, 다공성 기체 투과막 : [구조식 1];(구조식 1 에서,R1 은 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 의 헤테로아릴기임)
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