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고표면적 분말의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014053918
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고표면적 분말의 형성 방법에 따르면, 이종의 제1 금속들로 이루어진 금속 이온이 해리된 금속 전해액을 준비한다. 이어서, 상기 제1 금속들보다 높은 환원력을 갖는 제2 금속을 상기 금속 전해액에 침지시켜 제1 자발적 치환 반응을 발생시켜 상기 제1 금속들로 이루어진 금속 합금 분말을 형성한다. 따라서 비표면적이 개선된 고표면적 분말이 형성될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/24 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110112732 (2011.11.01)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1308159-0000 (2013.09.06)
공개번호/일자 10-2013-0047913 (2013.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20131015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.01)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정찬화 대한민국 서울특별시 서초구
2 정명기 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0858218-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.05.02 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0350494-02
4 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0053628-83
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.05.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0365904-71
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0057003-51
7 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067422-57
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439109-58
9 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0069589-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0326888-50
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0558691-46
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0558689-54
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0582858-28
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0779576-76
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0779578-67
18 등록결정서
Decision to grant
2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0629025-59
19 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0280022-70
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이종(異種)의 제1 금속들을 각각 포함하는 염화 금속물들을 준비하는 단계; 상기 염화 금속물들을 제1 용액에 해리시켜 상기 이종의 제1 금속들로 이루어진 금속 이온이 해리되어 있고, 염소 이온을 포함하는 금속 전해액을 준비하는 단계; 및상기 제1 금속들보다 높은 환원력을 갖는 제2 금속을 상기 금속 전해액에 침지시켜 제1 자발적 치환 반응을 발생시켜 상기 제1 금속들로 이루어진 합금 분말을 추출하는 단계를 포함하는 고표면적 분말의 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
이종(異種)의 제1 금속들을 준비하고, 상기 제1 금속들을 염소 이온이 해리된 제2 용액에 해리시켜 이종의 상기 제1 금속들로 이루어진 금속 이온이 해리된 금속 전해액을 준비하는 단계; 및 상기 제1 금속들보다 높은 환원력을 갖는 제2 금속을 상기 금속 전해액에 침지시켜 제1 자발적 치환 반응을 발생시켜 상기 제1 금속들로 이루어진 합금 분말을 추출하는 단계를 포함하는 고표면적 분말의 형성 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제2 용액은 염화나트륨, 염화암모늄, 염산 또는 이들의 혼합물을 순수에 해리시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 합금 분말에서 상기 제1 금속들 중 적어도 하나를 제거하는 단계를 더 포함하는 고표면적 분말의 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속 전해액은 강산을 포함하고, 상기 합금 분말에서 상기 제1 금속들 중 어느 하나를 제거하는 단계는 상기 강산과 상기 제1 금속들 중 어느 하나와 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 합금 분말을 건조하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 금속들 중 어느 하나를 제거하는 단계는 상기 건조된 합금 분말을 강산에 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 합금 분말을 건조하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 금속들 중 어느 하나를 제거하는 단계는 상기 건조된 합금 분말을 전기화학공정으로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 금속 전해액에 상기 합금 분말의 구조 및 방향성, 표면개질을 위한 첨가제를 혼합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 첨가제는, 폴리옥소메탈레이트(polyoxometalates; POM), 바나딜 설페이트(Vanadyl Surfate; VOSO4), 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone), 아세트산(Acetic acid), 브롬화 헥사데킬트리메틸 암모늄(hexadecyltrimethyl ammonium bromide; CTAB), 염화폴리디알릴디메틸암모늄 (Polydiallyldimethylammonium chloride; PDDA), 도데실황산나트륨(sodium dodecyl sulfate; SDS) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 알루미늄을 포함할 경우, 상기 이종의 제1 금속들은 구리, 아연, 티타늄, 니켈, 납, 주석, 망간, 코발트, 루테늄, 바나듐, 금, 은 및 백금 중 적어도 두 가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 박막 또는 분말 형태로 상기 금속 전해액에 침지되는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 제1 금속들보다 낮은 환원력을 갖는 제3 금속이 해리된 제3 용액을 준비하는 단계; 및상기 합금 분말을 상기 제3 용액에 침지시켜, 상기 제3 금속 및 상기 제1 금속들 간에 제2 자발적 치환 반응을 발생시켜 상기 제1 금속들로 이루어진 합금 분말을 상기 제3 금속으로 감싸는 코어셀 금속 물질을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 합금 분말의 표면에 금속 산화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 금속 산화층을 형성하는 단계는 상기 합금 분말을 산소 분위기에 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 금속 산화층을 형성하는 단계는 상기 합금 분말에 대하여 플라즈마 상태의 산소 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 고표면적 분말의 형성 방법
18 18
제1항에 있어서, 상기 합금 분말은 덴드라이트형, 돌기형, 튜브형, 입자뭉침형, 바늘형 또는 이들의 혼합 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 덴드라이트형 금속 분말의 형성 방법
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1 US09676034 US 미국 FAMILY
2 US20140283650 US 미국 FAMILY
3 WO2013065984 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2014283650 US 미국 DOCDBFAMILY
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