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가스 센서 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021008204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 티타늄(Ti)이 첨가된 산화니켈(NiO)로 이루어진 가스 감응층; 을 포함하는 가스 센서를 개시한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 27/407 (2006.01.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4075(2013.01)
출원번호/일자 1020190163344 (2019.12.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0072975 (2021.06.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.10)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종흔 서울특별시 송파구
2 김기범 인천광역시 연수구
3 정성용 전라북도 익산시 성당면
4 김태형 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-1273119-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0017924-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0083609-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-0349140-31
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0349116-45
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
티타늄(Ti)이 첨가된 산화니켈(NiO)로 이루어진 가스 감응층; 을 포함하는 가스 센서
2 2
제 1항에 있어서,상기 가스 감응층에서티타늄과 니켈의 몰농도비(Ti/Ni)는 0
3 3
제 2항에 있어서,상기 가스 감응층은티타늄(Ti)이 첨가된 산화니켈(NiO)로 구성되는 복수의 구조체를 포함하는 가스 센서
4 4
제 3항에 있어서,상기 구조체의 크기는 0
5 5
제 3항에 있어서,상기 구조체는 멀티룸 중공 구체의 형상을 갖는 가스 센서
6 6
제 3항에 있어서,상기 구조체는 중공 구체의 형상을 갖는 가스 센서
7 7
제 3항에 있어서상기 구조체는 고상 혼합체 미분말인가스 센서
8 8
제 4항에 있어서,상기 가스 감응층의 두께는 2㎛ 내지 40㎛인 가스 센서
9 9
(A) 티타늄(Ti)이 첨가된 산화니켈(NiO) 구조체를 형성하는 단계; 및(B) 상기 티타늄(Ti)이 첨가된 산화니켈(NiO) 구조체로 가스 감응층을 형성하는 단계를 포함하는가스 센서의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 (A) 단계는(A-1) 티타늄(Ti)과 니켈(Ni)의 몰농도비(Ti/Ni)가 0
11 11
제 10항에 있어서,상기 (A-2) 단계에서 형성된 상기 구조체는 멀티룸 중공 구체의 형상을 갖는 가스 센서의 제조 방법
12 12
제 10항에 있어서상기 (A-2) 단계에서 형성된 상기 구조체는 중공 구체의 형상을 갖는 가스 센서의 제조 방법
13 13
제 10항에 있어서,상기 (A-2) 단계에서 형성된 상기 구조체의 크기는 0
14 14
제 9항에 있어서,상기 (A) 단계는(A-3) 산화티타늄(TiO2) 분말과 산화니켈(NiO) 분말의 몰농도비(Ti/Ni)가 0
15 15
제 14항에 있어서,상기 (A-4) 단계에서 형성된 고상 혼합체 미분말의 크기는 0
16 16
제 9항에 있어서,상기 (B) 단계에서형성된 상기 가스 감응층의 두께는 2㎛ 내지 40㎛인 가스 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.