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광순응 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 인공지능형 카메라

  • 기술번호 : KST2021008878
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면은, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성되고, 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 채널층, 상기 채널층 상에 형성된 광흡수층 및 상기 채널층 상에 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 광흡수층은 하기 화학식 1 로서 표시되는 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인 광순응 이미지 센서를 제공한다 [화학식 1] AMBrzI3-z (상기 A 는 유기 양이온 또는 무기 양이온이고, 상기 M 은 Pb2+, Sn2+, Cu2+, Ge2+, Zn2+, Ni2+, Fe2+, Mn2+, Eu2+, 및 Co2+ 중의 하나이고, z 는 0 초과 3 미만의 실수임).
Int. CL H01L 27/146 (2006.01.01)
CPC H01L 27/14623(2013.01) H01L 27/14683(2013.01) Y10S 977/812(2013.01)
출원번호/일자 1020190173824 (2019.12.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0081650 (2021.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.24)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선국 경기도 성남시 분당구
2 윤대호 경기도 수원시 장안구
3 홍성인 경기도 수원시 장안구
4 최승희 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-1334400-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0089515-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0389944-06
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번호 청구항
1 1
게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성되고, 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 채널층;상기 채널층 상에 형성된 광흡수층; 및상기 채널층 상에 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 광흡수층은 하기 화학식 1 로서 표시되는 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인,광순응 이미지 센서:[화학식 1]AMBrzI3-z(상기 A 는 유기 양이온 또는 무기 양이온이고,상기 M 은 Pb2+, Sn2+, Cu2+, Ge2+, Zn2+, Ni2+, Fe2+, Mn2+, Eu2+, 및 Co2+ 중의 하나이고,z 는 0 초과 3 미만의 실수임)
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광흡수층의 광이 조사되는 영역에는 상기 Br 의 농도가 증가하고, 광이 조사되지 않는 영역에는 상기 I 의 농도가 증가하는 것인, 광순응 이미지 센서
3 3
제 2 항에 있어서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 광흡수층은 광 조사에 의해 상기 페로브스카이트 물질의 밴드갭이 조절되는 것인, 광순응 이미지 센서
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 페로브스카이트 물질의 Br 및 I 의 위상의 분리에 의해 밴드갭이 조절되는 것인, 광순응 이미지 센서
6 6
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, SnS2, SnSe2, SnTe2, ReS2, ReSe2, ReTe2, TaS2, TaSe2, TaTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 광순응 이미지 센서
7 7
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 Si, Au, Ti, Al, Pb, Ag, Hf, Ta, Cu, Sn, Pd, IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 광순응 이미지 센서
8 8
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 각각 독립적으로 Au, Ti, Al, Pb, Ag, Hf, Ta, Cu, Sn, Pd, IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 광순응 이미지 센서
9 9
제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 SiO2, Al2O3, ZrO2, Si3N4, SiC, AlN, Fe2O3, ZnO, BN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 광순응 이미지 센서
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 유기 양이온은 (R1R2R3R4N)+ 로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며, 상기 R1 내지 상기 R4 는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24 의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20 의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20 의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20 의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 광순응 이미지 센서
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 무기 양이온은 Cs, Rb, Li, Na, K, Fr, Cu, Ag, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하는 것인, 광순응 이미지 센서
12 12
게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층 상에 하기 화학식 1 로서 표시되는 페로브스카이트 물질을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는, 광순응 이미지 센서의 제조 방법:[화학식 1]AMBrzI3-z(상기 A 는 유기 양이온 또는 무기 양이온이고,상기 M 은 Pb2+, Sn2+, Cu2+, Ge2+, Zn2+, Ni2+, Fe2+, Mn2+, Eu2+, 및 Co2+ 중의 하나이고,z 는 0 초과 3 미만의 실수임)
13 13
제 12 항에 있어서
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 코팅은 스핀코팅, 슬릿 코팅, 바 코팅 딥 코팅, Langmuir-Blodgett 방법, Layer-by-Layer 방법, 닥터 브레이드, 스크린 프린트, 스프레이 방법, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 광순응 이미지 센서의 제조 방법
15 15
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 광순응 이미지 센서를 포함하는, 인공지능형 카메라
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 2/3 오감증강형 2차원 나노센서 시스템 개발