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기판;상기 기판 상에 형성된 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성된 촉매층;을 포함하고, 상기 광활성층의 발광 스펙트럼 영역 및 상기 촉매층의 흡수 스펙트럼 영역이 중첩되는 것인, 에너지 전이형 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 광활성층에서 발생한 정공, 전자, 또는 에너지는 상기 촉매층으로 전달되는 것인, 에너지 전이형 광전극
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제 2 항에 있어서, 상기 정공, 상기 전자 또는 상기 에너지에 의해 상기 촉매층의 촉매능이 향상되는 것인, 에너지 전이형 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 다공성 구조를 갖는 것인, 에너지 전이형 광전극
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제 4 항에 있어서,상기 촉매층은 1 nm 이하의 기공을 포함하는 것인, 에너지 전이형 광전극
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제 1 항에 있어서, 상기 광활성층은 BiVO4, Cu2O, TiO2, Fe2O3, WO3, MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, SnS2, SnSe2, SnTe2, ReS2, ReSe2, ReTe2, TaS2, TaSe2, TaTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 에너지 전이형 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 MOF(Metal organic framework), ZIF(zeolitic imidazolate framework), 제올라이트, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 에너지 전이형 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 기판은FTO, ITO, Si, SIO2, Ge, SiGe, SiC, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 에너지 전이형 광전극
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기판 상에 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 촉매층을 형성하는 단계;를 포함하는,에너지 전이형 광전극의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 에너지 전이형 광전극의 제조 방법은 상기 촉매층을 형성한 후 열처리하는 단계를 포함하지 않는 것인, 에너지 전이형 광전극의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 촉매층을 형성하는 단계는 MOF 전구체 또는 ZIF 전구체를 열처리하여 MOF 또는 ZIF 를 형성하는 단계 및 상기 MOF 또는 상기 ZIF 를 상기 광활성층 상에 전사 또는 코팅하는 단계를 포함하는 것인, 에너지 전이형 광전극의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 MOF 전구체 또는 상기 ZIF 전구체는 각각 독립적으로 Co, Ti, Zn, Cd, Zr, Hf, 및 이들의 조합들로 이루어진 금속 이온의 전구체, 및 유기물 전구체 또는 이미다졸레이트(imidazolate) 전구체를 포함하는 것인, 에너지 전이형 광전극의 제조 방법,
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제 9 항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는 졸-겔법(sol-gel process), 스핀 코팅, 바코팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 젯 프린팅(electrohydrodynamic jet printing), 전기분무(electrospray), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 공정에 의해 수행된 것인, 에너지 전이형 광전극의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 에너지 전이형 광전극을 포함하는 물 분해 시스템
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