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기판; 상기 기판 위에 형성되는 캐비티(cavity);상기 캐비티를 덮고, 제1 레이어 및 제2 레이어의 다층 구조로 형성된 멤브레인을 포함하고,상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 영률은 서로 상이하고,상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 두께는 상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 영률 값의 비에 기초하여 결정되는 초음파 트랜스듀서
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제1항에 있어서,상기 제1 레이어는 고분자 레이어이고, 상기 제2 레이어는 세라믹 레이어인 초음파 트랜스듀서
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제1항에 있어서,상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 두께는 서로 상이한 초음파 트랜스듀서
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6
제1항에 있어서,상기 제1 레이어는,제1 위치에 형성된 제1 고분자 레이어; 및제2 위치에 형성된 제2 고분자 레이어를 포함하는 초음파 트랜스듀서
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7
제6항에 있어서,상기 제1 고분자 레이어의 제1 면은 상기 제2 레이어의 상면에 접촉하고,상기 제2 고분자 레이어의 제1 면은 상기 제2 레이어의 하면에 접촉하는 초음파 트랜스듀서
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8
제7항에 있어서,상기 제1 고분자 레이어의 제2 면은 전극에 접촉하고,상기 제2 고분자 레이어의 제2 면은 상기 캐비티에 접촉하는 초음파 트랜스듀서
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9
제1항에 있어서,상기 기판은 투명 폴리이미드 기판인 초음파 트랜스듀서
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10
하나 이상의 초음파 트랜스듀서; 및상기 초음파 트랜스듀서로 구동 신호를 출력하는 구동 장치를 포함하고,상기 초음파 트랜스듀서는,기판; 상기 기판 위에 형성되는 캐비티(cavity);상기 캐비티를 덮고, 제1 레이어 및 제2 레이어의 다층 구조로 형성된 멤브레인을 포함하고,상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 영률은 서로 상이하고,상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 두께는 상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 영률 값의 비에 기초하여 결정되는 초음파 장치
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제10항에 있어서,상기 제1 레이어는 고분자 레이어이고, 상기 제2 레이어는 세라믹 레이어인 초음파 장치
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제10항에 있어서,상기 제1 레이어 및 상기 제2 레이어의 두께는 서로 상이한 초음파 장치
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14
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제10항에 있어서,상게 제1 레이어는,제1 위치에 형성된 제1 고분자 레이어; 및제2 위치에 형성된 제2 고분자 레이어를 포함하는 초음파 장치
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제15항에 있어서,상기 제1 고분자 레이어의 제1 면은 상기 제2 레이어의 상면에 접촉하고,상기 제2 고분자 레이어의 제2 면은 상기 제2 레이어의 하면에 접촉하는 초음파 장치
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제16항에 있어서,상기 제1 고분자 레이어의 제2 면은 전극에 접촉하고,상기 제2 고분자 레이어의 제2 면은 상기 캐비티에 접촉하는 초음파 장치
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18
제10항에 있어서,상기 기판은 투명 폴리이미드 기판인 초음파 장치
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기판을 형성하는 단계;상기 기판 위에 희생 레이어를 증착하는 단계;상기 기판 위에 형성될 캐비티(cavity)의 크기로 상기 희생 레이어를 패터닝하는 단계;상기 캐비티를 덮는 다층 구조의 멤브레인을 구성하는 제1 고분자 레이어를 패터닝된 희생 레이어 위에 형성하는 단계;상기 멤브레인을 구성하는 세라믹 레이어를 상기 제1 고분자 레이어 위에 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 고분자 레이어 및 상기 세라믹 레이어의 영률은 서로 상이하고,상기 제1 고분자 레이어 및 상기 세라믹 레이어의 두께는 상기 제1 고분자 레이어 및 상기 세라믹 레이어의 영률 값의 비에 기초하여 결정되는 초음파 트랜스듀서 제작 방법
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제19항에 있어서,상기 세라믹 레이어 위에 상기 멤브레인을 구성하는 제2 고분자 레이어를 형성하는 단계를 더 포함하는 초음파 트랜스듀서 제작 방법
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제19항에 있어서,상기 기판을 형성하는 단계는,투명 폴리이미드를 코팅하여 상기 기판을 형성하는 단계를 포함하는 초음파 트랜스듀서 제작 방법
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제19항에 있어서,상기 패터닝된 희생 레이어를 제거하여 상기 캐비티를 형성하는 단계를 더 포함하는 초음파 트랜스듀서 제작 방법
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