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다음의 단계를 포함하는 황을 개시제로 사용하는 화학기상증착(sCVD)를 이용한 고분자 막의 제조방법:(a) sCVD 반응기에 기상 상태의 단량체와 고체 상태의 황을 유입시키는 단계;(b) 고체 상태의 황을 가열·기화시켜 기상 상태의 황과 단량체를 혼합하는 단계; 및 (c) 기판을 가열하여 기판 상에 황과 단량체를 흡착·중합시켜 황 함유 고분자를 증착시키는 단계
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제1항에 있어서, 상기 황 함유 고분자는 폴리(설퍼-co-1,4-부탄디올 디비닐에테르)(poly(sulfur-co-1,4-butanediol divinyl ether, SBDDVE), 폴리(설퍼-co-디(에틸렌 글리콜)디비닐에테르)(poly(sulfur-co-di(ethylene glycol)divinyl ether, SDEGDVE), 폴리(설퍼-co-디비닐 벤젠)(poly(sulfur-co-divinyl benzene, SDVB), 폴리(설퍼-co-1,9-데카다이엔) (poly(sulfur-co-1,9-decadiene, SDDE), 폴리(설퍼-co-1,11-도데카다이엔) (poly(sulfur-co-1,11-dodecadiene, SDDDE), 폴리(설퍼-co-1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸사이클로트리실록산)(poly(sulfur-co-1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethyl cyclotrisiloxane, SV3D3), 폴리(설퍼-co-1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산)(poly(sulfur-co-1,3,5,7-tetravinyl-1,3,5,7- tetramethylcyclotetrasiloxane, SV4D4) 또는 폴리(설퍼-co-헥사비닐실록산(poly(sulfur-co-hexavinyldisiloxane, SHVDS)인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
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제1항에 있어서, 90~140℃의 기판 온도 및 500~1500mTorr의 압력에서 5분~2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계 후에 반응기 내부의 필라멘트를 330~380℃의 온도로 가열하는 단계를 추가로 포함하는 고분자 막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 기판을 110~130 ℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단량체는 부탄디올 디비닐 에테르(butanediol divinyl ether, BDDVE), 디(에틸렌 글리콜)디비닐 에테르(di(ethylene glycol)divinyl ether, DEGDVE), 디비닐벤젠(divinylbenzene, DVB), 1,9-데카다이엔 (1,9-decadiene, DDE), 1,11-도데카다이엔 (1,11-dodecadiene, DDDE), 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐 사이클로트리실록산(1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinyl cyclotrisiloxane, V3D3), 1,3,5,7-테트라비닐-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산(1,3,5,7-tetravinyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, V4D4) 및 헥사베닐디실록산(hexavinyldisiloxane, HVDS)으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 황 함유 고분자의 두께는 1nm~10㎛인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
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다음을 포함하는 황을 개시제로 사용하는 화학기상증착(sCVD)를 이용한 고분자 막의 제조장치(1):(a) sCVD 반응기(10); (b) sCVD 반응기(10) 하단에 설치되어 있으며 반응기(10) 내부 고체 황을 로딩할 수 있으며, 공정 시 가열되어 황을 증발시키는 황 로딩 소스셀(100); (c) sCVD 반응기(10) 상단에 연결되어 있으며, 단량체를 기상으로 주입하기 위하여 가열한 다음, 500~1500mtorr 범위의 공정 압력을 가지도록 sCVD 반응기(10) 내부로 이동시키는 단량체 로딩부; (d) 고온의 금속 합금선으로 구성되어 있어 상기 황 로딩 소스셀(100)로부터 증발된 기상 황의 결합길이를 짧게 만들어주고, 기화된 황이 기판(400)으로 이동하도록 하는 필라멘트(300); 및(e) 그 윗면이 sCVD 반응기(10)의 하부를 향하도록 장착시킨 다음, 상기 (b)의 단량체 로딩부(200)로부터 sCVD 반응기(10) 내부로 이동한 단량체가 윗면에 흡착되고, 증발된 황과 고분자의 합성반응이 진행되는 기판(400)
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제9항에 있어서, 상기 (b)의 황 로딩 소스셀(100)의 주변에 온도 및 승온 속도를 조절하는 라인히터가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 황을 개시제로 사용하는 화학기상증착(sCVD)를 이용한 고분자 막의 제조장치(1)
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제9항에 있어서, 상기 (c)의 단량체 로딩부(200)와 상기 sCVD 반응기(10)와의 연결 라인 위쪽에 단량체의 유량을 조절하는 볼 밸브(ball valve)와 니들 밸브(needle valve)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 황을 개시제로 사용하는 화학기상증착(sCVD)를 이용한 고분자 막의 제조장치(1)
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제9항에 있어서, 상기 sCVD 반응기(10) 내부에 단량체의 주입량을 설정하는 바라트론 센서((baratron sensor)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 황을 개시제로 사용하는 화학기상증착(sCVD)를 이용한 고분자 막의 제조장치(1)
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제9항에 있어서, 상기 (e)의 기판(400)은 회전 가능한 것을 특징으로 하는 황을 개시제로 사용하는 화학기상증착(sCVD)를 이용한 고분자 막의 제조장치(1)
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제9항에 있어서, 상기 (d)의 필라멘트(300) 및 (e)의 기판(400)의 높이는 각각 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 황을 개시제로 사용하는 화학기상증착(sCVD)를 이용한 고분자 막의 제조장치(1)
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