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절연막을 포함하는 기판을 마련하는 단계;상기 기판의 절연막의 표면을 시드 촉진제(seeding promoter)로 처리하는 단계; 및상기 시드 촉진제가 표면 처리된 기판 상에 다결정의 ReS2박막을 화학 기상 증착 공정으로 직접적으로(directly) 형성하는 단계를 포함하되,상기 화학 기상 증착 공정 시,상기 증착 공정이 수행되는 공정 공간을 330℃ 12분 동안 가열하고 330℃를 5분 동안 유지하여 열 공정을 안정화 하는 단계; 및상기 공정 공간을 760℃ 에서 20분 동안 가열하고 15분 유지하여 상기 ReS2박막이 성장하는 단계를 포함하는 ReS2박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 시드 촉진제는 perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid tetrapotassium acid salt (PTAS)을 포함하는 ReS2박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 완성되는 ReS2박막은 적어도 1cm2이상의 크기를 갖는 ReS2박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판의 표면을 상기 시드 촉진제를 처리 하기 전에,상기 기판을 아세톤, 이소프로필 알코올, 및 DI로 세척, 이소프로필 알코올로 초음파 적용, 및 O2 플라즈마 처리 중 적어도 하나를 수행하는 것을 더 포함하는 ReS2박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 ReS2 박막은 복수의 층으로 이루어지는 ReS2박막 형성 방법
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절연막을 포함하는 기판을 마련하는 단계;상기 기판의 절연막의 표면을 시드 촉진제(seeding promoter)로 처리하는 단계; 상기 시드 촉진제가 표면 처리된 기판 상에 다결정의 ReS2박막을 화학 기상 증착 공정으로 직접적으로(directly) 형성하여, 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층의 양단에 Ti를 포함하는 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출기 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 시드 촉진제에 의해 상기 활성층 내 분산 사이트(scattering site)가 구성되는 광 검출기 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 활성층이 상기 시드 촉진제가 표면 처리된 기판 상에 직접적으로 형성됨으로써, 상기 활성층에는 트랩 상태가 없어, 상기 광 검출기에서 발생된 캐리어들의 이동이 감소하게 되어, 캐리어 드리프트 속도가 증가하는 광 검출기 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 시드 촉진제는 perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid tetrapotassium acid salt (PTAS)을 포함하고,상기 전극들 각각은 Ti/Au를 포함하는 광 검출기 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 채널 길이 및 폭은 2 및 100μm인 광 검출기 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 전극들을 형성하는 것은,상기 활성층 양단을 광학 포토리소그래피 공정으로 식각하는 단계; 및식각된 부분에 전자선 증착 공정을 이용하여 상기 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출기 형성 방법
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