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기판;상기 기판 위에 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극:상기 기판 위에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하는 감광 채널층;상기 감광 채널층 위에 배치되는 유전체층; 및상기 유전체층 위에 배치되는 게이트 전극을 포함하는 포토트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 유전체층은 pV3D3(poly(1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinyl cyclotrisiloxane))으로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 감광 채널층은 MoS2로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 그래핀으로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 포토트랜지스터는 광자-트리거 시냅스 가소성을 갖는 것을 특징으로 하는 포토트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 포토트랜지스터는 상기 감광 채널층과 상기 유전체층의 계면 트랩에서 시간에 따른 광전류 축적 및 감쇠를 나타내는 것을 특징으로 하는 포토트랜지스터
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 포토트랜지스터가 배열되는 포토트랜지스터 어레이를 포함하는 이미징 장치
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제 7 항에 있어서,상기 이미징 장치는 뉴로모픽 전처리를 이용하여 이미지 패턴을 식별하는 것을 특징으로 하는 이미징 장치
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제 7 항에 있어서,상기 이미징 장치는 복수회 조사된 광 입력에 의해 축적되는 광전류를 이용하여 이미지 패턴을 식별하는 것을 특징으로 하는 이미징 장치
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10
제 7 항에 있어서,상기 포토트랜지스터 어레이는 곡면에 배치되는 것을 특징으로 하는 이미징 장치
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