1 |
1
제 1 금속으로 이루어진 분말을 몰드 내에 배치하는 제 1 단계; 상기 분말과 상기 몰드 사이에 제 2 금속으로 이루어진 호일을 개재하는 제 2 단계; 및소결공정으로 상기 분말로부터 금속 소결체를 형성하는 제 3 단계; 를 포함하되,제 2 금속은 제 1 금속 보다 탄소 친화도 및 산소 친화도가 더 높으며, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 더 낮으며, 제 1 금속 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 2 금속 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높으며, 제 2 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수 보다 제 1 금속의 탄화물 내에서의 탄소 확산 계수가 더 높은 것을 특징으로 하는,금속 소결체의 형성 방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 3 단계는, 침탄에 의하여 상기 금속 소결체의 내부로 탄소가 확산되어 제 1 금속의 탄화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 탄화물이 형성되는 단계를 포함하고, 상기 제 3 단계는, 상기 금속 소결체의 내부로 산소가 확산되어 제 1 금속의 산화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 호일 내에 제 2 금속의 산화물이 형성되는 단계를 포함하는,금속 소결체의 형성 방법
|
3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 제 3 단계 중 제 2 금속의 탄화물이 형성된 후에 상기 호일 내 탄소가 확산하는 속도가 더 낮아지는 것을 특징으로 하는, 금속 소결체의 형성 방법
|
4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 금속 소결체에 인접한 상기 호일의 계면에 제 2 금속의 탄화물이 형성되는 것을 특징으로 하는,금속 소결체의 형성 방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 몰드는 흑연몰드를 포함하고, 상기 소결공정은 내부 산소 분압을 가지는 진공챔버 내에 수행되는 방전 활성 소결공정을 포함하는,금속 소결체의 형성 방법
|
6 |
6
텡스텐(W) 분말을 흑연몰드 내에 배치하는 제 1 단계; 상기 텡스텐 분말과 상기 흑연몰드 사이에 탄탈륨(Ta) 호일을 개재하는 제 2 단계; 및소결공정으로 상기 텅스텐 분말로부터 텅스텐 소결체를 형성하는 제 3 단계; 를 포함하는,금속 소결체의 형성 방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 제 3 단계는, 침탄에 의하여 상기 텅스텐 소결체의 내부로 탄소가 확산되어 텅스텐 탄화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 탄탈륨 호일 내에 탄탈륨 탄화물(Ta2C)이 형성되는 단계를 포함하고, 상기 제 3 단계는, 상기 텅스텐 소결체의 내부로 산소가 확산되어 텅스텐 산화물이 형성되는 것을 방지하도록, 상기 탄탈륨 호일 내에 탄탈륨 산화물(Ta2O5)이 형성되는 단계를 포함하는,금속 소결체의 형성 방법
|
8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 소결공정에서 텅스텐과 상기 흑연몰드 간의 화학적 결합을 방지하고 상기 소결공정 후에 상기 흑연몰드로부터 상기 금속 소결체를 분리하기 위하여, 상기 제 2 단계는 상기 탄탈륨 호일과 상기 흑연몰드 사이에 탄소를 함유하는 호일을 더 개재하는 단계를 포함하는,금속 소결체의 형성 방법
|
9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 소결공정은 내부 산소 분압을 가지는 진공챔버 내에 수행되는 방전 활성 소결공정을 포함하는,금속 소결체의 형성 방법
|