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탄성 전극 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021011709
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄성 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 탄성 전극은 일면에 주름산(C)과 주름골(T)이 반복되는 주름 구조가 형성된 신축성 기판(10), 금속 나노입자(21)를 포함하고, 기판(10)의 주름을 따라 적층되어 형성된 주름 구조의 금속 나노입자층(20), 및 아민기(-NH2)를 갖는 단분자 물질을 포함하고, 금속 나노입자층(20) 상에 적층되어 형성된 주름 구조의 단분자층(30)을 포함한다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 3/46 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 1/02(2013.01) H01B 3/46(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020200036256 (2020.03.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0119739 (2021.10.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조진한 서울특별시 서초구
2 이석민 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)
2 김태훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-0312973-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0123721-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0653424-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일면에 주름산과 주름골이 반복되는 주름 구조가 형성된 신축성 기판;금속 나노입자를 포함하고, 상기 기판의 주름을 따라 적층되어 형성된 주름 구조의 금속 나노입자층; 및아민기(-NH2)를 갖는 단분자 물질을 포함하고, 상기 금속 나노입자층 상에 적층되어 형성된 주름 구조의 단분자층;을 포함하는 탄성 전극
2 2
청구항 1에 있어서,상기 금속 나노입자의 표면 리간드 중 일부가, 상기 기판의 일면에 구비된 작용기로 치환되어 제거되는 탄성 전극
3 3
청구항 2에 있어서,상기 금속 나노입자의 표면 리간드 중 다른 일부가, 상기 단분자 물질의 상기 아민기로 치환되어 제거되는 탄성 전극
4 4
청구항 1에 있어서,상기 기판은, 티올기(-SH)로 기능화된 폴리다이메틸실록세인(poly(dimethylsiloxane), PDMS) 기판이고,상기 금속 나노입자는, 테트라옥틸암모늄 브로마이드(tetraoctylammonium bromide, TB)로 안정화된 금 나노입자(Au nanoparticle)이며,상기 단분자 물질은, 트리스(2-아미노에틸)아민(tris(2-aminoethyl)amine, TA), 디에틸렌트리아민 (Diethylenetriamine, DETA), 하이드라진(hydrazine, Hyd), 및 트리스(2-아미노에틸)아민 (tris(2-aminoethyl)amine, TREN)으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 탄성 전극
5 5
청구항 1에 있어서,상기 금속 나노입자층 상에 상기 단분자층이 적층된 이중층에 형성된 표면 주름은, 파장이 1
6 6
청구항 1에 있어서,상기 금속 나노입자층 상에 상기 단분자층이 적층된 이중층이, 다수 개 적층된 탄성 전극
7 7
(a) 제1 유기 용매에 금속 나노입자가 분산된 제1 분산액에, 신축성 기판을 침지하여, 상기 기판을 팽윤시키고, 팽윤된 상기 기판 상에 금속 나노입자층을 형성하는 단계; 및(b) 제2 유기 용매에 아민기(-NH2)를 갖는 단분자 물질이 분산된 제2 분산액에, 상기 금속 나노입자층이 형성되고 팽윤된 상기 기판을 침지하여, 상기 금속 나노입자층 상에 단분자층을 형성하고, 상기 기판을 수축시켜 상기 금속 나노입자층 상에 상기 단분자층이 적층된 이중층의 표면에 주름 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 탄성 전극 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 기판은, 폴리다이메틸실록세인(poly(dimethylsiloxane), PDMS) 기판이고,상기 제1 유기 용매는, 톨루엔(toluene)을 포함하며,상기 제2 유기 용매는, 에탄올(ethanol)을 포함하는 탄성 전극 제조방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 이중층이 다수 개가 적층되도록, 상기 (a) 단계 및 상기 (b) 단계를 순차적으로 다수 회 반복하는 탄성 전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 〉 중견연구자지원사업 〉도약연구지원사업 〉후속연구지원(도전) 고분자 직물 소재 및 탄성체 기반의 고성능 나노복합체 전극 플랫폼 개발 및 에너지 저장/발생 시스템 응용
2 과학기술정보통신부 고려대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업〉기초연구실지원사업〉기초연구실지원사업 전하초집속 피브릴 전극 설계 및 시스템 연구실