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실리카계 물질로 코팅된 하기 화학식 1의 페로브스카이트 나노입자를 제조하는 방법으로서, (a) 하기 화학식 1의 A를 포함하는 나노입자 전구체를 준비하는 단계; (b) 하기 화학식 1의 B와 X를 포함하는 금속 할라이드를 준비하는 단계; (c) 상기 금속 할라이드를 실리카계 전구체와 혼합하는 단계로서, 여기서 상기 실리카계 전구체는 상기 금속 할라이드의 금속을 기준으로 17
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제1항에 있어서, (e) 상기 (d) 단계에서 얻어진 용액을 가수분해하는 단계를 추가로 포함하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계가 유기 리간드 전구체와 화학식 1의 A로서 Rb, Cs, 또는 Fr의 전구체를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 나노입자 전구체가 상기 유기 리간드와 상기 A를 포함하는 나노입자 전구체인 방법
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제1항에 있어서, A가 Rb, Cs, Fr, 또는 이들의 조합인 방법
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제1항에 있어서, B는 Pb이거나, 또는 Sn, Bi, Ge, Ga, In, Sb, 및 Mn에서 선택된 1종 이상과 Pb의 조합인 방법
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제3항에 있어서, 상기 유기 리간드 전구체는 탄소수 6 내지 18의 알킬기 또는 알켄기의 말단에 카르복시산이 결합된 유기산인 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리카계 전구체는 TEOS (테트라에틸 오르소실리케이트), TMOS (테트라메틸 오르소실리케이트), APTES (아미노프로필트리에톡시실란), 및 APTMS (아미노프로필트리메톡시실란)에서 선택되는 1종 이상인 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리카계 전구체는 상기 금속 할라이드의 금속을 기준으로 18
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제1항에 있어서, 실리카계 물질로 코팅된 화학식 1의 페로브스카이트 나노입자가 용액 또는 겔 형태로 수득되는 방법
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제1항에 따른 방법으로 제조된 페로브스카이트 나노입자의 용액을 기판에 코팅하여 박막화함으로써 페로브스카이트 나노입자 박막을 제조하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 코팅은 딥 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 또는 롤투롤(roll-to-roll) 프린팅에 의해 수행되는 방법
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제10항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블 기판인 방법
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제10항에 있어서, 상기 페로브스카이트 나노입자 박막은 발광 소자의 발광층으로 사용되는 것인 방법
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포토리소그래피에 의해 페로브스카이트 나노입자 박막의 패턴을 형성하는 방법으로서,(i) 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;(ii) 상기 포토레지스트 층을 노광시키는 단계;(iii) 상기 포토레지스트층을 현상제로 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (iv) 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 제1항에 따른 방법으로 제조된 페로브스카이트 나노입자의 용액으로 코팅함으로써 페로브스카이트 나노입자 박막을 형성하는 단계; 및(v) 상기 포토레지스트 패턴의 포토레지스트를 리프트-오프(lift-off)함으로써 페로브스카이트 나노입자 박막의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 방법
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제14항에 있어서, 상기 (v) 단계는 리프트-오프용 용매로 메틸 아세테이트를 사용하여 수행되는 방법
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