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단일 전자 점유된 양자점 및 이의 자성 제어방법(Single electron occupied quantum dot and magnetic control method thereof)

  • 기술번호 : KST2018003602
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 전자 점유된 양자점 및 이의 자성 제어방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 전도대의 양자화된 에너지 준위에 단일 전자를 포함하는, 양자점 나노입자 및 이의 자성 제어방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자점의 자성 제어방법은 양자점의 화학적 반응시간을 조절함으로써, 양자점의 전도대 내 양자화된 에너지 준위를 단일 전자로 채울 수 있으며, 또한 전자의 수를 조절하여 양자점의 자성을 제어할 수 있는 효과가 있다. 또한 상기 양자점은 무티올 리간드를 포함하여 제조됨으로써, 종래 티올 리간드에 비해 양자점의 n 타입 도핑을 유지하면서 동시에 리간드 치환이 매우 용이한 효과가 있다.
Int. CL C09K 11/89 (2006.01.01) C09K 11/54 (2006.01.01) C09K 11/08 (2006.01.01) C09K 11/62 (2006.01.01) C09K 11/64 (2006.01.01) C09K 11/66 (2006.01.01) C09K 11/59 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01) H01L 29/12 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01) C09K 11/892(2013.01)
출원번호/일자 1020160123110 (2016.09.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1971586-0000 (2019.04.17)
공개번호/일자 10-2018-0033758 (2018.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20190618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정광섭 대한민국 서울특별시 성북구
2 정주연 대한민국 경기도 안양시 만안구
3 최윤창 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김순웅 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호 (구로동,에이스테크노타워*차)(정진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0929783-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0015309-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0732140-34
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1230939-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-1230938-08
7 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2017.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-1231036-19
8 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2017.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-1231147-78
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0292100-54
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0649808-97
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0745437-81
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0745436-35
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0889879-26
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0099776-57
15 법정기간연장승인서
 2019.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0018604-85
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0196161-97
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.02.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0196162-32
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0196454-69
19 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0197499-27
20 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5016269-81
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
양자점 코어 및 상기 양자점 코어에 결합된 올레산, 올레일아민, 옥틸아민, 트리옥틸아민 및 헥사데실아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 무티올 리간드;를 포함하며,전도대(conduction band)의 양자화된 에너지 준위에 단일 전자(single electron)를 포함하고, 상기 양자화된 에너지 준위는 Se, Pe, 또는 De 준위이고, 상기 양자점 나노입자는 상자성(paramagnetic)을 나타내는 것인, 양자점 나노입자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 양자점 나노입자는 1~20 nm의 평균 직경을 갖는 것을 특징으로 하는, 양자점 나노입자
5 5
제 1항에 있어서,상기 양자점 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb; SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe; Si, Ge, SiC 및 SiGe으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 양자점 나노입자
6 6
제 1항에 있어서,상기 양자점 코어는 12족 금속-칼코겐 나노결정인 것을 특징으로 하는, 양자점 나노입자
7 7
삭제
8 8
무티올 리간드에 용해된 12족 금속 전구체 및 칼코겐 전구체의 혼합용액을 전도대(conduction band)의 양자화된 에너지 준위에 단일 전자가 포함되도록 40~120℃에서 반응시키는 단계; 및무티올 리간드 및 테트라클로로에틸렌을 첨가하는 단계;를 포함하고, 상기 무티올 리간드는 올레산, 올레일아민, 옥틸아민, 트리옥틸아민 및 헥사데실아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인, 양자점 나노입자의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 무티올 리간드는 12족 금속 전구체에 대해 1~100의 몰비로 사용된 것을 특징으로 하는, 양자점 나노입자의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 12족 금속 전구체 1 몰에 대하여 칼코겐 전구체는 0
11 11
(a) 무티올 리간드에 용해된 12족 금속 전구체 및 칼코겐 전구체의 혼합용액을 40~120℃에서 반응시켜 양자점 나노입자를 제조하는 단계; 및(b) 무티올 리간드 및 테트라클로로에틸렌을 첨가하는 단계;를 포함하며, 상기 (a)의 반응시간을 조절하여 전도대(conduction band)의 양자화된 에너지 준위를 단일 전자로 채움으로써 양자점의 자성을 상자성으로 제어하는 것을 특징으로 하는, 양자점 나노입자의 자성 제어방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 반응시간이 20초 내지 40초인 경우, 양자점은 상자성(paramagnetic)을 나타내는 것을 특징으로 하는, 양자점 나노입자의 자성 제어방법
13 13
삭제
14 14
제 1항의 양자점 나노입자를 포함하는, 반도체 장치
15 15
제 14항에 있어서, 상기 반도체 장치는 LED, 태양 전지, 텔레비젼, 트랜지스터, 적외선 카메라, 적외선 레이저, 적외선 검출기, 적외선 치료기, 적외선 통신장치, 기체 센서 또는 컬러필터인 것을 특징으로 하는, 반도체 장치
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1 미래창조과학부 고려대학교 신진연구자지원-신진연구 콜로이드 양자점의 전도띠 내 및 원자가띠 내의 띠내전이를 통한 중/장파장 적외선 광원 생산 및 광전자적 응용