1 |
1
게인 영역, 상기 게인 영역에 이격하는 튜닝 영역, 및 상기 튜닝 영역과, 상기 게인 영역 사이의 위상 조절 영역을 포함하는 기판;상기 기판 상의 도파로 층;상기 도파로 층 상의 클래드 층; 및상기 게인 영역 및 상기 튜닝 영역의 상기 기판 또는 상기 클래드 층 상에 배치된 격자들을 포함하되,상기 격자들은:상기 게인 영역에 배치되고, 제 1 격자 길이를 갖는 제 1 격자; 및 상기 튜닝 영역 내에 배치되고, 상기 제 1 격자 길이와 다른 제 2 격자 길이를 갖는 제 2 격자를 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 격자는 제 1 단위 격자들을 포함하고,상기 제 2 격자는 상기 제 1 단위 격자들과 동일한 제 2 단위 격자들을 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 단위 격자들은 제 1 피치를 갖고,상기 제 2 단위 격자들 상기 제 1 피치와 다른 제 2 피치를 갖는 파장선택 레이저 다이오드
|
4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 제 1 격자는 상기 제 1 단위 격자들의 군집에 의해 상기 제 1 피치보다 큰 제 1 샘플링 길이를 갖는 제 1 군 격자들을 더 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 제 2 격자는 상기 제 2 단위 격자들의 군집에 의해 상기 제 2 피치보다 크고 상기 제 1 샘플링 길이와 다른 제 2 샘플링 길이를 갖는 제 2 군 격자들을 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
6 |
6
제 2 항에 있어서,상기 제 1 단위 격자들은 제 11 피치, 제 12 피치 및 제 13 피치를 갖고,상기 제 2 단위 격자들은 상기 제 11 피치, 상기 제 12 피치, 및 상기 제 13 피치와 다른 제 21 피치, 제 22 피치 및 제 23 피치를 갖는 파장선택 레이저 다이오드
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 격자는 상기 제 1 단위 격자들의 군집에 의해 제 11 피치, 상기 제 12 피치, 및 상기 제 13 피치보다 큰 제 11 중첩 격자 길이, 제 12 중첩 격자 길이, 및 제 13 중첩 격자 길이를 각각 갖는 제 11 서브 군 격자, 제 12 서브 군 격자, 및 제 13 서브 군 격자를 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 제 2 격자는 상기 제 2 단위 격자들의 군집에 의해 상기 제 11 중첩 격자 길이, 상기 제 12 중첩 격자 길이, 및 상기 제 13 중첩 격자 길이와 다른 제 21 중첩 격자 길이, 제 22 중첩 격자 길이, 및 제 23 중첩 격자 길이를 갖는 제 21 서브 군 격자, 제 22 서브 군 격자, 및 제 13 군 격자를 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 격자와 상기 제 2 격자는 샘플 격자를 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 격자와 상기 제 2 격자는 중첩 격자를 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 도파로 층은:상기 게인 영역 내에 배치된 제 1 활성 도파로; 및상기 위상 조절 영역 및 상기 튜닝 영역에 배치된 수동 도파로를 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 기판은 상기 튜닝 영역 인접하는 변조 영역을 더 포함하되,상기 도파로 층은 상기 변조 영역에 배치된 제 2 활성 도파로들 더 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 기판은 상기 변조 영역에 인접하여 배치된 증폭 영역을 더 포함하되,상기 제 1 활성 도파로는 상기 증폭 영역 내에 배치된 파장선택 레이저 다이오드
|
14 |
14
제 12 항에 있어서,상기 도파로 층 상에 배치된 전극들과, 상기 전극들에 연결되어 상기 도파로 층 외곽의 상기 클래드 층 상에 배치된 패드들을 구비하는 전극 층을 더 포함하되,상기 전극들은:상기 게인 영역 상의 플레이트 전극; 및상기 위상 조절 영역 및 상기 튜닝 영역 상의 히터 전극을 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 전극들은 변조 영역 상의 상기 패드들 중의 어느 하나를 둘러싸는 캐버티 링을 더 포함하되, 상기 캐버티 링은 상기 도파로 층에 인접하여 배치되는 파장선택 레이저 다이오드
|
16 |
16
제 1 항에 있어서,상기 기판의 하부에 배치된 하부 전극 층; 및상기 게인 영역에 인접하는 상기 기판의 측벽에 배치된 전반사 층을 더 포함하는 파장선택 레이저 다이오드
|
17 |
17
복수개의 파장선택 레이저 다이오드들: 및상기 복수개의 파장선택 레이저 다이오드들에 연결된 광 결합기를 포함하되,상기 복수개의 파장선택 레이저 다이오드들의 각각은: 게인 영역, 상기 게인 영역에 이격하는 튜닝 영역, 및 상기 튜닝 영역과, 상기 게인 영역 사이의 위상 조절 영역을 포함하는 기판;상기 기판 상의 도파로 층;상기 도파로 층 상의 클래드 층; 및상기 게인 영역 및 상기 튜닝 영역의 상기 기판 또는 상기 클래드 층 상에 배치된 격자들을 포힘하되,상기 격자들은:상기 게인 영역에 배치되고, 제 1 격자 길이를 갖는 제 1 격자; 및 상기 튜닝 영역 내에 배치되고, 상기 제 1 격자 길이와 다른 제 2 격자 길이를 갖는 제 2 격자를 포함하는 광통신 장치
|
18 |
18
제 17 항에 있어서,상기 광 결합기에 연결된 광 증폭기를 더 포함하는 광통신 장치
|
19 |
19
제 18 항에 있어서,상기 도파로 층에 연결되고, 상기 복수개의 파장선택 레이저들을 상기 광 결합기에 연결하는 광 도파로들을 더 포함하는 광통신 장치
|
20 |
20
제 17 항에 있어서,상기 복수개의 파장선택 레이저 다이오드들 중의 어느 하나는 여분(residual)인 광통신 장치
|