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실리콘 기판 위에 질화실리콘 소재의 지지층을 형성하는 단계;상기 지지층 위에 그래핀 소재의 코어층을 형성하는 단계;상기 코어층을 형성하는 그래핀의 추가적인 손상 없이 상기 그래핀에 발생되는 결함을 치유하기 위해서 상기 코어층 위에 형성하되, 열을 이용한 ALD(atomic layer deposition) 공정으로 MeOxNy(Me=Si, Al, Ti, Zr 및 Hf 중에 하나, x+y=2) 소재를 상기 코어층의 그레인 바운더리(grain boundary)에 선택적으로 형성하여 상기 코어층을 형성하는 그래핀의 결함을 치유하는 그래핀 결함 치유층을 형성하는 단계;상기 그래핀 결함 치유층 위에 캡핑층을 ALD 공정으로 형성하는 단계; 및상기 지지층 아래의 상기 실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 지지층이 노출되는 개방부를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 코어층을 형성하는 단계는,상기 지지층 위에 소층 그래핀을 형성하는 단계;상기 소층 그래핀 위에 금속촉매층을 형성하는 단계;상기 금속촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계; 및상기 소층 그래핀을 씨드층으로 하여 열처리를 통한 상기 금속촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 비정질 탄소층의 탄소가 상기 금속촉매층을 통과하여 상기 소층 그래핀 위로 이동하여 상기 소층 그래핀을 다층 그래핀으로 직성장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 지지층을 형성하는 단계에서,상기 지지층은 LPCVD(Low pressure chemical vapor deposition) 공정으로 10nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 코어층을 형성하는 단계와 상기 그래핀 결함 치유층을 형성하는 단계 사이에 수행되는,상기 코어층을 형성하는 과정에서 발생되는 잔류물을 ALD 공정을 통한 오존 전처리(Ozine pre-treatment)로 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 결함 치유층을 형성하는 단계에서,상기 그래핀 결함 치유층은 열을 이용한 ALD 공정으로 1nm 내지 3nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 결함 치유층의 소재는 Me, O 및 N을 포함하는 3성분계 소재인 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 결함 치유층의 소재는 SiON, AlON, TiON, ZrON 및 HfON 중에 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 캡핑층은 SiNx, SiC, B4C, BN 또는 MoSi2를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 캡핑층을 형성하는 단계에서,상기 캡핑층은 ALD(atomic layer deposition) 공정으로 10nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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